公开(公告)号：WO2010054244A4

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/US2009063616

申请日：2009-11-06

Applicant: CAVENDISH KINETICS INC ,  SMITH CHARLES GORDON ,  KNIPE RICHARD L ,  JOSHI VIKRAM ,  GADDI ROBERTO ,  UNAMUNO ANARTZ ,  VAN KAMPEN ROBERTUS PETRUS

Inventor： SMITH CHARLES GORDON ,  KNIPE RICHARD L ,  JOSHI VIKRAM ,  GADDI ROBERTO ,  UNAMUNO ANARTZ ,  VAN KAMPEN ROBERTUS PETRUS

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/053 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/135 ,  H01G5/18 ,  H01G5/40

Abstract: Embodiments disclosed herein generally include using a large number of small MEMS devices to replace the function of an individual larger MEMS device or digital variable capacitor. The large number of smaller MEMS devices perform the same function as the larger device, but because of the smaller size, they can be encapsulated in a cavity using complementary metal oxide semiconductor (CMOS) compatible processes. Signal averaging over a large number of the smaller devices allows the accuracy of the array of smaller devices to be equivalent to the larger device. The process is exemplified by considering the use of a MEMS based accelerometer switch array with an integrated analog to digital conversion of the inertial response. The process is also exemplified by considering the use of a MEMS based device structure where the MEMS devices operate in parallel as a digital variable capacitor.

Abstract translation: 本文公开的实施例通常包括使用大量的小MEMS器件来代替单个更大的MEMS器件或数字可变电容器的功能。 大量较小的MEMS器件具有与较大器件相同的功能，但是由于尺寸较小，因此可以使用互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容工艺封装在腔中。 通过大量较小器件的信号平均，允许较小器件阵列的精度等同于较大的器件。 通过考虑使用具有惯性响应的集成模数转换的基于MEMS的加速度计开关阵列来举例说明该过程。 还通过考虑使用MEMS器件结构（其中MEMS器件并行地作为数字可变电容器）来使用该过程。

公开(公告)号：WO2019011572A1

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：PCT/EP2018/065762

申请日：2018-06-14

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT DARMSTADT

Inventor： YILMAZOGLU, Oktay ,  YADAV, Sandeep ,  CICEK, Deniz ,  SCHNEIDER, Jörg J.

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/036 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0188

Abstract: Eine Anordnung von Kohlenstoff-Nanoröhren für einen Sensor oder einen Aktuator umfasst: mehrere schichtartig angeordnete Stapel hoher Dichte (110), zumindest einen schichtartig angeordneten Stapel geringer Dichte (120) und zumindest zwei elektrische Kontaktelemente (130). Die Stapel hoher Dichte (110) und die Stapel geringer Dichte (120) weisen jeweils eine Vielzahl von Kohlenstoff-Nanoröhren auf und der zumindest eine Stapel geringer Dichte (120) steht beidseitig in Kontakt zu jeweils einem der Stapel hoher Dichte (110), um diese in einem variierbaren Abstand (A) voneinander zu halten. Die zumindest zwei elektrischen Kontaktelemente (130) kontaktieren verschiedene Stapel hoher Dichte (110) elektrisch, um eine Änderung des variierbaren Abstandes (A) als ein elektrisches Sensorsignal zu erfassen, oder um den variierbaren Abstand (A) durch ein Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen den zumindest zwei elektrischen Kontaktelementen (130) zu ändern.

公开(公告)号：WO2015031473A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：PCT/US2014/052898

申请日：2014-08-27

Applicant: CAVENDISH KINETICS, INC

Inventor： RENAULT, Mickael

IPC: H01H59/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0221 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00341 ,  H01G5/18 ,  H01H1/0036 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0052 ,  H01H2001/0084

Abstract: The present invention generally relates to an RF MEMS DVC and a method for manufacture thereof. To ensure that undesired grain growth does not occur and contribute to an uneven RF electrode, a multilayer stack comprising an AlCu layer and a layer containing titanium may be used. The titanium diffuses into the AlCu layer at higher temperatures such that the grain growth of the AlCu will be inhibited and the switching element can be fabricated with a consistent structure, which leads to a consistent, predictable capacitance during operation.

Abstract translation: 本发明一般涉及RF MEMS DVC及其制造方法。 为了确保不发生不期望的晶粒生长并且有助于不均匀的RF电极，可以使用包括AlCu层和包含钛的层的多层堆叠。 钛在更高的温度下扩散到AlCu层中，使得AlCu的晶粒生长将被抑制，并且开关元件可以以一致的结构制造，这在操作期间导致一致的可预测的电容。

公开(公告)号：WO2013153566A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/JP2012/002466

申请日：2012-04-09

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  埴原 甲二

Inventor： 埴原　甲二

IPC: H02N13/00

CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/0221 ,  H01G5/16 ,  H01H59/00 ,  H01H2059/0072

Abstract: 　簡単な構成で、スティクションを防止することができる。　シリコン基板２上に設けられた固定駆動電極２１と、固定駆動電極２１に対面して配設され、固定駆動電極２１との間の静電気力により、固定駆動電極２１に近接する可動駆動電極２２と、固定駆動電極２１と可動駆動電極２２との近接状態において、可動駆動電極２２に接触し、固定駆動電極２１と可動駆動電極２２との間に所定のエアギャップを形成する一対のスペーサー２５と、を備え、各スペーサー２５は、絶縁体を介して可動駆動電極２２に接触すると共に、少なくとも近接状態において、一方の電極と同一の電位を有するスペーサー電極部３１と、を有する。

Abstract translation: 本发明能够通过简单的结构来防止静电。 该静电致动器配备有：设置在硅基板（2）上的固定驱动电极（21）; 可动驱动电极（22），其设置成与所述固定驱动电极（21）相对，并且通过在所述可动驱动电极和所述固定驱动器之间产生的静电力而靠近所述固定驱动电极（21） 电极（21）; 以及在固定驱动电极（21）和可动驱动电极（22）彼此靠近的状态下与可动驱动电极（22）接触的一对间隔件（25），形成规定的空气 固定驱动电极（21）与可动驱动电极（22）之间的间隙。 每个间隔物（25）具有经由绝缘体与可动驱动电极（22）接触的间隔电极（31），并且至少在接近状态下具有与一个电极相同的电位。

公开(公告)号：WO2013019515A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/US2012/048172

申请日：2012-07-25

Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC. ,  LIN, Peng Cheng ,  VELEZ, Mario Francisco

Inventor： LIN, Peng Cheng ,  VELEZ, Mario Francisco

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0163 ,  G01P1/023 ,  H01G5/16 ,  H01L23/315 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: This disclosure provides systems and methods for forming a metal thin film shield over a thin film cap to protect electromechanical systems devices in a cavity beneath. In one aspect, a dual or multi layer thin film structure is used to seal a electromechanical device. For example, a metal thin film shield can be mated over an oxide thin film cap to encapsulate the electromechanical device and prevent degradation due to wafer thinning, dicing and package assembly induced stresses, thereby strengthening the survivability of the electromechanical device in the encapsulated cavity. During redistribution layer processing, a metal thin film shield, such as a copper layer, is formed over the wafer surface, patterned and metalized.

Abstract translation: 本公开提供了用于在薄膜盖上形成金属薄膜屏蔽以保护下面空腔中的机电系统装置的系统和方法。 在一个方面，使用双层或多层薄膜结构来密封机电装置。 例如，金属薄膜屏蔽可以配合在氧化物薄膜帽上以封装机电装置，并防止由于晶片变薄，切割和封装组件引起的应力引起的劣化，从而增强机电装置在封装空腔中的生存性。 在再分配层处理期间，在晶片表面上形成诸如铜层的金属薄膜屏蔽，被图案化和金属化。

公开(公告)号：WO2013011864A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：PCT/JP2012/067535

申请日：2012-07-10

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  梅田圭一

Inventor： 梅田圭一

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23C14/14 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01B1/02 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00666 ,  B81C1/00698 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0181 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  H01G4/33 ,  H01G5/16 ,  H03H9/131 ,  H03H9/173 ,  H03H9/2457 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/0428 ,  H03H2009/02291

Abstract: 　タングステンからなる主電極層を含む薄膜電極を備える薄膜デバイスにおいて、薄膜電極が低い抵抗率を有することを実現する。下地層（７Ａ）と、下地層（７Ａ）の上に形成された主電極層（７Ｂ）とを有する薄膜電極（７）を備え、下地層（７Ａ）は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するチタン・タングステン合金からなり、主電極層（７Ｂ）は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するタングステンからなる、薄膜デバイス（１）。

Abstract translation: 提供了一种薄膜器件，其包括具有由钨形成的主电极层的薄膜电极，其中薄膜电极具有低电阻率。 薄膜器件（1）包括具有接地层（7A）和形成在接地层（7A）上的主电极层（7B））的薄膜电极（7），接地层（7A）由钛 钨合金，其中表面形态具有波形晶体结构，并且主电极层（7B）由表面形态具有波形晶体结构的钨形成。

公开(公告)号：WO2011152192A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：PCT/JP2011/061146

申请日：2011-05-16

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  小中義宏 ,  丹羽亮介 ,  吉田康一 ,  吉田順一

Inventor： 小中義宏 ,  丹羽亮介 ,  吉田康一 ,  吉田順一

IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/0221

Abstract: 　駆動ＤＣ電圧を大きくすることなく、チャージアップによるＭＥＭＳの動作不良を防ぐことができる可変容量素子を提供する。可変容量素子（１）は、梁側容量形成部（３Ａ～３Ｃ）と支持部（３Ｄ）とを備える可動梁（３）、を筐体に収容し、梁側容量形成部（３Ａ～３Ｃ）に対向する下駆動電極（６Ａ～６Ｃ）と上駆動電極（７Ａ～７Ｃ）とを設け、筐体内部空間を減圧雰囲気とし、駆動ＤＣ電圧の印加時に、梁側容量形成部（３Ａ，３Ｂ）を下駆動電極（６Ａ，６Ｂ）または上駆動電極（７Ａ，７Ｂ）に正対する状態とし、梁側容量形成部（３Ｃ）を下駆動電極（６Ｃ）または上駆動電極（７Ｃ）に非正対な状態とし、駆動ＤＣ電圧の印加状態から非印加状態への変化により可動梁（３）の変位が非印加状態での位置を行き過ぎるようにされていることを特徴とする。

Abstract translation: 提供了一种能够在不增加驱动DC电压的情况下防止由充电引起的MEMS操作故障的可变电容元件。 可变电容元件（1）的特征如下：包括光束侧电容形成部分（3A至3C）和支撑部分（3D）的可移动光束（3）容纳在底架中。 下侧驱动电极（6A〜6C）和上部驱动电极（7A〜7C）设置为面对波束侧电容形成部（3A〜3C）。 底盘内的空间设置为减压气氛。 当施加驱动DC电压时，光束侧电容形成部分（3A，3B）直接面对下驱动电极（6A，6B）或上驱动电极（7A，7B），但是束侧电容 形成部分（3C）不直接面对下驱动电极（6C）或上驱动电极（7C）。 从施加驱动直流电压的状态到未施加驱动直流电压的状态的转变使得在不施加驱动直流电压的状态下，可移动光束（3）的位移超过该位置 。

公开(公告)号：WO2010054244A3

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/US2009063616

申请日：2009-11-06

Applicant: CAVENDISH KINETICS INC ,  SMITH CHARLES GORDON ,  KNIPE RICHARD L ,  JOSHI VIKRAM ,  GADDI ROBERTO ,  UNAMUNO ANARTZ ,  VAN KAMPEN ROBERTUS PETRUS

Inventor： SMITH CHARLES GORDON ,  KNIPE RICHARD L ,  JOSHI VIKRAM ,  GADDI ROBERTO ,  UNAMUNO ANARTZ ,  VAN KAMPEN ROBERTUS PETRUS

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/053 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/135 ,  H01G5/18 ,  H01G5/40

Abstract: Embodiments disclosed herein generally include using a large number of small MEMS devices to replace the function of an individual larger MEMS device or digital variable capacitor. The large number of smaller MEMS devices perform the same function as the larger device, but because of the smaller size, they can be encapsulated in a cavity using complementary metal oxide semiconductor (CMOS) compatible processes. Signal averaging over a large number of the smaller devices allows the accuracy of the array of smaller devices to be equivalent to the larger device. The process is exemplified by considering the use of a MEMS based accelerometer switch array with an integrated analog to digital conversion of the inertial response. The process is also exemplified by considering the use of a MEMS based device structure where the MEMS devices operate in parallel as a digital variable capacitor.

Abstract translation: 这里公开的实施例通常包括使用大量的小型MEMS器件来代替单个较大的MEMS器件或数字可变电容器的功能。 大量较小的MEMS器件执行与较大器件相同的功能，但由于尺寸较小，因此可以使用互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容工艺将其封装在腔中。 对大量较小的设备进行信号平均可以使较小设备阵列的精度等同于较大的设备。 该过程通过考虑使用基于MEMS的加速度计开关阵列以及惯性响应的集成式模数转换来加以说明。 该过程还通过考虑使用基于MEMS的器件结构来实现，其中MEMS器件作为数字可变电容器并联工作。

公开(公告)号：EP2572804A3

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：EP12006480.3

申请日：2012-09-14

Applicant: Canon Kabushiki Kaisha

Inventor： Kato, Ayako ,  Torashima, Kazutoshi

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0392 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00

Abstract: Provided is a method of manufacturing an electromechanical transducer having a reduced variation in a breakdown strength caused by a variation in flatness of an insulating layer. In the method of manufacturing the electromechanical transducer, a first insulating layer (2) is formed on a first substrate (1), a barrier wall (3) is formed by removing a part of the first insulating layer, and a second insulating layer (10) is formed on a region of the first substrate after the part of the first insulating layer has been removed. Next, a gap is formed by bonding a second substrate (18) on the barrier wall, and a vibration film (23) that is opposed to the second insulating layer via the gap is formed from the second substrate. In the forming of the barrier wall, a height on a gap side in a direction vertical to the first substrate becomes lower than a height of a center portion.

Abstract translation: 提供一种制造机电转换器的方法，该机电转换器具有减小的绝缘层的平坦度变化引起的击穿强度的变化。 在制造机电变换器的方法中，在第一基板（1）上形成第一绝缘层（2），通过去除第一绝缘层的一部分形成阻挡壁（3），并且形成第二绝缘层 10）在所述第一绝缘层的所述部分已被去除之后形成在所述第一衬底的区域上。 接下来，通过将第二基板（18）接合在阻挡壁上形成间隙，并且从第二基板形成隔着间隙与第二绝缘层相对的振动膜（23）。 在形成阻挡壁时，在与第一基板垂直的方向上的间隙侧的高度变得低于中央部分的高度。

公开(公告)号：EP2943435B1

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：EP13818156.5

申请日：2013-12-19

Applicant: Robert Bosch GmbH

Inventor： FEYH, Ando ,  CHEN, Po-jui ,  ULM, Markus

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0228 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0771

Abstract: A semiconductor device includes a substrate, a first dielectric layer located above the substrate, a moving-gate transducer, and a proof mass. The moving-gate transducer is at least partially formed within the substrate and is at least partially formed within the first dielectric layer. The proof mass includes a portion of the first dielectric layer and a portion of a silicon layer. The silicon layer is located above the first dielectric layer.