公开(公告)号：JP2007081337A

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：JP2005270844

申请日：2005-09-16

Applicant: Denso Corp ,  株式会社デンソー

Inventor： ISHIKAWA EIJI ,  AOKI TAKAAKI

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/035281 ,  B81B2201/058 ,  B81B2201/06 ,  B81C1/00071 ,  B81C2201/0169 ,  Y02E10/50

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having a stereoscopic structure capable of being easily manufactured and loaded with a high function with a small area, and to provide a method of manufacturing the same. SOLUTION: There is provided a semiconductor device 10 having a silicon oxide film 2 of a stereoscopic structure formed so as to be partially floated from a surface of a substrate 1 on the substrate 1 composed of a silicon (Si) semiconductor. For example, a resistive element and a capacitive element are formed on the silicon oxide film 2 of the stereoscopic structure, and by forming these elements into the stereoscopic structure, a large resistive value and capacitive value can be loaded with a small area, compared to the resistive element and the capacitive element of a planar structure. In addition, the stereoscopic structure is formed, with the silicon oxide film 2 partially floated from the surface of the silicon substrate 1, and this semiconductor device 10 can be easily manufactured by using hydrogen annealing treatment. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有能够容易地制造和加载具有小面积的高功能的立体结构的半导体器件，并且提供其制造方法。 解决方案：提供一种具有立体结构的氧化硅膜2的半导体器件10，其形成为从由硅（Si）半导体构成的衬底1上的衬底1的表面部分漂浮。 例如，在立体结构的氧化硅膜2上形成电阻元件和电容元件，通过将这些元件形成为立体结构，可以以较小的面积加载大的电阻值和电容值，与 电阻元件和平面结构的电容元件。 此外，形成立体结构，其中氧化硅膜2从硅衬底1的表面部分漂浮，并且该半导体器件10可以通过使用氢退火处理而容易地制造。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JPWO2002103808A1

公开(公告)日：2004-10-07

申请号：JP2002586704

申请日：2001-06-13

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 清志 石橋 ,  清志 石橋 ,  牧夫 堀川 ,  牧夫 堀川 ,  美香 奥村 ,  美香 奥村 ,  正明 青砥 ,  正明 青砥 ,  大作 吉田 ,  大作 吉田 ,  博文 高倉 ,  博文 高倉

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0169 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01G4/33 ,  H01G5/16

Abstract: 本発明は、半導体加工技術を用いて形成される薄膜構造体およびその製造方法に関し、特に半導体加速度センサを構成する薄膜構造体およびその製造方法において、簡便に薄膜体の応力制御が可能であるとともに、薄膜体の膜厚を厚くすることが容易な薄膜構造体およびその製造方法を提供することを目的とする。そして、上記目的を達成するために、半導体加速度センサの質量体(3)、梁(7)および固定電極(5)を構成する薄膜体(8)が、不純物として例えばンをドープしつつポリシリコンを成膜する工程を複数回行って積層された複数のドープドポリシリコン薄膜(33,35)によって構成されている。

公开(公告)号：KR101815731B1

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR1020150068898

申请日：2015-05-18

Applicant: 인벤센스, 인크.

Inventor： 스메이스,피터 ,  신,종우 ,  신,종이

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/0169

Abstract: 본발명은 MEMS 장치의액추에이터층을형성하는방법에관한것이다. 이방법은액추에이터층을에칭하고 MEMS 장치의표면거칠기를감소시키도록에칭후에액추에이터층을어닐링하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR1020140053246A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：KR1020147005238

申请日：2012-08-03

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 파이안도 ,  클라쎈요하네스

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B3/0008 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0176

Abstract: 일 실시예에서, MEMS 장치를 형성하는 방법은 기판을 제공하는 단계와, 기판층 상부에 희생층을 형성하는 단계와, 희생층 상에 실리콘계 작용부를 형성하는 단계와, 작용부가 적어도 하나의 노출된 외면을 포함하도록 희생층으로부터 실리콘계 작용부를 배출하는 단계와, 실리콘계 작용부의 적어도 하나의 노출된 외면 상에 제1 실리사이드 형성 금속층을 형성하는 단계와, 제1 실리사이드 형성 금속층으로 제1 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：TW201535522A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103107794

申请日：2014-03-07

Applicant: 國立臺灣大學 ,  NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY

Inventor： 林清富 ,  LIN, CHING FUH ,  鄭宇彣 ,  CHENG, YU WEN ,  林禹鍾 ,  LIN, YU ZHONG

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3245 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0169 ,  C25D9/04 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 一種調變半導體薄膜應力的方法，包含：提供一基板；在該基板上成長一半導體薄膜；進行一後退火處理；以及藉由控制該後退火處理的溫度，調變該半導體薄膜的殘餘應力為一特定的壓縮應力、一特定的拉伸應力，或為0。

Abstract in simplified Chinese: 一种调制半导体薄膜应力的方法，包含：提供一基板；在该基板上成长一半导体薄膜；进行一后退火处理；以及借由控制该后退火处理的温度，调制该半导体薄膜的残余应力为一特定的压缩应力、一特定的拉伸应力，或为0。

公开(公告)号：TWI368598B

公开(公告)日：2012-07-21

申请号：TW097112551

申请日：2008-04-07

Applicant: 亞德諾公司

Inventor： 湯瑪斯

IPC: B81C ,  H01L

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/025 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0169

Abstract: 一種用於微機電元件慣性感測器之形成厚多晶矽薄膜的方法，該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在基材上形成第一多晶矽薄膜，至少使接近基材的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長(grain growth)；該方法亦包含在第一多晶矽薄膜形成一氧化層，在約1100℃或更高溫度的環境下對第一非結晶型多晶矽薄膜進行退火以生成一結晶型多晶矽薄膜，並且移除該氧化層；最終，該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在該結晶型多晶矽薄膜的表面上形成第二非結晶型多晶矽薄膜，至少使接近該結晶型多晶矽薄膜表面的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于微机电组件惯性传感器之形成厚多晶硅薄膜的方法，该方法包含于高温环境下持续一段时间以在基材上形成第一多晶硅薄膜，至少使接近基材的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长(grain growth)；该方法亦包含在第一多晶硅薄膜形成一氧化层，在约1100℃或更高温度的环境下对第一非结晶型多晶硅薄膜进行退火以生成一结晶型多晶硅薄膜，并且移除该氧化层；最终，该方法包含于高温环境下持续一段时间以在该结晶型多晶硅薄膜的表面上形成第二非结晶型多晶硅薄膜，至少使接近该结晶型多晶硅薄膜表面的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长。

公开(公告)号：TW523787B

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：TW090115370

申请日：2001-06-26

Applicant: 三菱電機股份有限公司

Inventor： 石橋清志 ,  堀川牧夫 ,  奧村美香 ,  青砥正明 ,  吉田大作 ,  高倉博文

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0169 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01G4/33 ,  H01G5/16

Abstract: 本發明之目的在提供一種薄膜構造體及其製造方法，係關於使用半導體加工技術而形成的薄膜構造體及其製造方法，特別是構成半導體加速度感知器的薄膜構造體及其製造方法，不僅可簡便地進行薄膜體的應力控制，同時可很容易將薄膜體的膜厚予以加厚。
為了達成上述目的，半導體加速度感知器的質量體(3)、樑(7)及構成固定電極(5)的薄膜體(8)，係由複數的經摻雜之多晶矽薄膜(33，35)所構成，而該經摻雜之多晶矽薄膜(33，35)，則是藉由進行多次一邊摻雜做為雜質的磷一邊使多晶矽成膜的程序而層疊而成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在提供一种薄膜构造体及其制造方法，系关于使用半导体加工技术而形成的薄膜构造体及其制造方法，特别是构成半导体加速度感知器的薄膜构造体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。 为了达成上述目的，半导体加速度感知器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，系由复数的经掺杂之多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂之多晶硅薄膜(33，35)，则是借由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的进程而层叠而成。

公开(公告)号：TW201607879A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW104115947

申请日：2015-05-19

Applicant: 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

Inventor： 史密斯 彼得 ,  SMEYS, PETER ,  辛 宗祐 ,  SHIN, JONGWOO ,  辛 正一 ,  SHIN, JONG II

IPC: B81B7/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/0169

Abstract: 在此揭露了一用於形成微機電系統(MEMS,micro-electromechanical system)裝置的致動器層之方法。該方法包括對致動器層進行蝕刻，並且在蝕刻之後對致動器層進行退火處理以減少MEMS裝置的表面粗糙度。

Abstract in simplified Chinese: 在此揭露了一用于形成微机电系统(MEMS,micro-electromechanical system)设备的致动器层之方法。该方法包括对致动器层进行蚀刻，并且在蚀刻之后对致动器层进行退火处理以减少MEMS设备的表面粗糙度。

公开(公告)号：TW201432819A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102145770

申请日：2013-12-12

Applicant: 飛思卡爾半導體公司 ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

Inventor： 蒙提茲 魯邦B ,  MONTEZ, RUBEN B. ,  史黛莫 羅伯F ,  STEIMLE, ROBERT F.

IPC: H01L21/324

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/06 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/112 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

Abstract: 本發明提供用於藉由減少在製作期間可累積於多晶矽表面上之基於TEOS之氧化矽膜之碳之一量而降低一MEMS裝置中之靜摩擦力之一機制。一碳障壁材料膜(510、520)沈積於一MEMS裝置中之一或多個多晶矽層(210、230)與基於TEOS之氧化矽層(220)之間。此障壁材料阻擋碳擴散至該多晶矽中，藉此降低該等多晶矽表面上之碳累積。藉由降低該碳累積，同樣地降低由於該碳之存在所致之靜摩擦力之機會。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于借由减少在制作期间可累积于多晶硅表面上之基于TEOS之氧化硅膜之碳之一量而降低一MEMS设备中之静摩擦力之一机制。一碳障壁材料膜(510、520)沉积于一MEMS设备中之一或多个多晶硅层(210、230)与基于TEOS之氧化硅层(220)之间。此障壁材料阻挡碳扩散至该多晶硅中，借此降低该等多晶硅表面上之碳累积。借由降低该碳累积，同样地降低由于该碳之存在所致之静摩擦力之机会。

公开(公告)号：TW201119934A

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：TW099121298

申请日：2010-06-29

Applicant: 飛思卡爾半導體公司 ,  法國原子能與替代能源委員會

Inventor： 裴諾丘 法蘭克 ,  劉連鈞 ,  帕奇歌 瑟吉歐 ,  德菲 艾曼紐 ,  雷 派翠斯

IPC: B81C ,  B81B

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0169

Abstract: 本發明揭示一種形成一機電轉換器裝置(200)之方法,其包含在一固定結構(210)上形成(500)該機電轉換器裝置之一可移動結構(203)及一致動結構,其中該可移動結構(203)經配置以在該機電轉換器裝置(200)之操作中可回應於該致動結構之致動而相對於該固定結構移動。該方法進一步包含:在該可移動結構(203)之至少部分上提供(504)一應力微調層(216);在提供該應力微調層(216)之後,自該固定結構(210)釋放(506)該可移動結構(203)以提供一經釋放機電轉換器裝置(200);及在釋放該可移動結構(203)之後,改變(508)該經釋放機電轉換器裝置之該應力微調層中的應力,使得在該機電轉換器裝置(200)處於一關斷狀態中時使該可移動結構(203)相對於該固定結構(210)偏轉一預定量。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种形成一机电转换器设备(200)之方法,其包含在一固定结构(210)上形成(500)该机电转换器设备之一可移动结构(203)及一致动结构,其中该可移动结构(203)经配置以在该机电转换器设备(200)之操作中可回应于该致动结构之致动而相对于该固定结构移动。该方法进一步包含:在该可移动结构(203)之至少部分上提供(504)一应力微调层(216);在提供该应力微调层(216)之后,自该固定结构(210)释放(506)该可移动结构(203)以提供一经释放机电转换器设备(200);及在释放该可移动结构(203)之后,改变(508)该经释放机电转换器设备之该应力微调层中的应力,使得在该机电转换器设备(200)处于一关断状态中时使该可移动结构(203)相对于该固定结构(210)偏转一预定量。