公开(公告)号：US20060284540A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11453331

申请日：2006-06-15

Applicant: Toshiaki Kusunoki ,  Masakazu Sagawa ,  Kazutaka Tsuji ,  Tatsumi Hirano ,  Etsuko Nishimura ,  Yoshiro Mikami ,  Yoshiyuki Kaneko ,  Tomoki Nakamura ,  Katsuhide Aoto

Inventor： Toshiaki Kusunoki ,  Masakazu Sagawa ,  Kazutaka Tsuji ,  Tatsumi Hirano ,  Etsuko Nishimura ,  Yoshiro Mikami ,  Yoshiyuki Kaneko ,  Tomoki Nakamura ,  Katsuhide Aoto

IPC: H01J1/00 ,  H01J19/06 ,  H01J1/62 ,  H01J63/04

CPC classification number: H01J29/481 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: An object of the invention is to provide a thin-film cathode having a base electrode, an upper electrode and an electron accelerator disposed therebetween and made of an insulator or a semiconductor, wherein a diode current rises with a lower threshold voltage that that in the background art, so that a diode current required for electron emission can be secured with a low voltage, and to obtain an image display device long in life and low in power consumption. Platinum-group metal (Group VIII), noble metal belonging to Group Ib, or a laminated film, a mixed film or an alloy film of those materials containing an alkali metal oxide, an alkaline earth metal compound or a compound of transition metal belonging to Group III to VII from the interface with an electron accelerator to the surface is used as an upper electrode.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有设置在其间并由绝缘体或半导体制成的基极，上电极和电子加速器的薄膜阴极，其中二极管电流以较低的阈值电压上升， 因此能够以低电压确保电子发射所需的二极管电流，并获得寿命长且功耗低的图像显示装置。 铂族金属（VIII族），属于Ib族的贵金属或层合膜，混合膜或含有碱金属氧化物，碱土金属化合物或过渡金属化合物的合金膜属于 从与电子加速器到表面的界面的III至VII族用作上电极。

公开(公告)号：US20060205103A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11213748

申请日：2005-08-30

Applicant: Takuo Tamura ,  Hiroshi Kikuchi ,  Yasushi Sano ,  Masakazu Sagawa ,  Yoshiro Mikami

Inventor： Takuo Tamura ,  Hiroshi Kikuchi ,  Yasushi Sano ,  Masakazu Sagawa ,  Yoshiro Mikami

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1214 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J9/50 ,  H01J2201/3125 ,  Y02W30/828

Abstract: For inhibiting generation of pixels that could not be displayed in a line in a display screen of an electron emission display comprising the pixels each provided with an electron source in which a first electrode at a signal line side and a second electrode at a scanning line side are joined through an isolating layer (electron acceleration layer), the present invention cuts off continuity between the first electrode and the second electrode which are short-circuited caused by a defect, so that the electron source with the defect is isolated from other electron sources. In the electron source with a defect, for example, a portion of the second electrode surrounding the above-mentioned defect thereof is excised by laser.

Abstract translation: 为了抑制在电子发射显示器的显示屏幕中不能显示的像素的产生，该电子发射显示器包括每个设有电子源的像素，其中信号线侧的第一电极和扫描线侧的第二电极 通过隔离层（电子加速层）接合，本发明切断由缺陷引起的短路的第一电极和第二电极之间的连续性，使得具有缺陷的电子源与其他电子源隔离 。 在具有缺陷的电子源中，例如，通过激光切除围绕上述缺陷的第二电极的一部分。

公开(公告)号：US20050110001A9

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10263055

申请日：2002-10-01

Applicant: Zhizhang Chen ,  Sriram Ramamoorthi ,  Hung Liao ,  Paul Benning ,  Alexander Govyadinov

Inventor： Zhizhang Chen ,  Sriram Ramamoorthi ,  Hung Liao ,  Paul Benning ,  Alexander Govyadinov

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01J19/24 ,  H01J21/06 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/3125

Abstract: An emitter has an electron supply and a porous cathode layer having nanohole openings. The emitter also has a tunneling layer disposed between the electron supply and the cathode layer.

Abstract translation: 发射极具有电子供体和具有纳米孔开口的多孔阴极层。 发射极还具有设置在电子源和阴极层之间的隧穿层。

公开(公告)号：US20050094429A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US11004868

申请日：2004-12-07

Applicant: Masakazu Sagawa ,  Mutsumi Suzuki ,  Toshiaki Kusunoki

Inventor： Masakazu Sagawa ,  Mutsumi Suzuki ,  Toshiaki Kusunoki

IPC: H01J1/30 ,  G09G3/10 ,  G09G3/22 ,  G11C11/24 ,  H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/241 ,  H01J2201/3125

Abstract: A display having hot electron type electron sources displaying an image by a line sequential scanning scheme is provided to prevent poor brightness uniformity along scan lines. The hot electron type electron source is provided with a top electrode bus line serving as a scan line and a bottom electrode bus line serving as a data line. The top electrode bus line has a sheet resistance lower than that of the bottom electrode. The wire sheet resistance of the scam line can be reduced to several m/square. When forming a 40 inch large screen FED using the hot electron type electron sources, a voltage drop amount produced in the scan line can be suppressed below an allowable range. As a result, high quality image without poor brightness uniformity can be obtained.

Abstract translation: 提供具有通过行顺序扫描方式显示图像的热电子型电子源的显示器，以防止沿着扫描线的亮度均匀性差。 热电子型电子源设置有用作扫描线的顶部电极总线和用作数据线的底部电极总线。 顶部电极母线具有低于底部电极的薄层电阻。 欺诈线的电线电阻可以减小到几米/平方。 当使用热电子型电子源形成40英寸大屏幕FED时，可以将在扫描线上产生的电压降量抑制在允许范围以下。 结果，可以获得没有差的亮度均匀性的高质量图像。

公开(公告)号：US20050073232A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10678958

申请日：2003-10-03

Applicant: Yukihisa Takeuchi ,  Tsutomu Nanataki ,  Iwao Ohwada

Inventor： Yukihisa Takeuchi ,  Tsutomu Nanataki ,  Iwao Ohwada

IPC: G09G3/22 ,  H01J1/312 ,  H01J31/12 ,  H01J1/05

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

Abstract: An electron emitter includes an emitter element made of a dielectric material, and an upper electrode and a lower electrode. A drive voltage is applied between the upper electrode and the lower electrode for emitting electrons from the emitter element. The upper electrode is formed on an upper surface of the emitter element, and the lower electrode is formed on a lower surface of the emitter element. The emitter element is exposed through a plurality of through regions of the upper electrode. Peripheral surfaces around the through regions facing the emitter element are spaced from the emitter element.

Abstract translation: 电子发射器包括由电介质材料制成的发射极元件，以及上电极和下电极。 在上电极和下电极之间施加驱动电压，用于从发射极元件发射电子。 上电极形成在发射体元件的上表面上，下电极形成在发射体元件的下表面上。 发射极元件通过上电极的多个通过区域露出。 围绕发射体元件的通过区域的周边表面与发射体元件间隔开。

公开(公告)号：US20030197457A1

公开(公告)日：2003-10-23

申请号：US10438070

申请日：2003-05-15

Applicant: MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD.

Inventor： Takuya Komoda ,  Tsutomu Ichihara ,  Koichi Aizawa ,  Nobuyoshi Koshida

IPC: H01J001/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/3125 ,  Y10S977/939

Abstract: There is provided a field emission electron source at a low cost in which electrons can be emitted with a high stability and a high efficiency and a method of producing the same. In the field emission electron source, a strong electric field drift part 106 is formed on the n-type silicon substrate on the principal surface thereof and a surface electrode 107 made of a gold thin film is formed on the strong electric field drift part 106. And the ohmic electrode 2 is formed on the back surface of the n-type silicon substrate 101. In this field emission electron source 110, when the surface electrode 107 is disposed in the vacuum and a DC voltage is applied to the surface electrode 107 which is of a positive polarity with respect to the n-type silicon substrate 101 (ohmic electrode 2), electrons injected from the n-type silicon substrate 101 are drifted in the strong electric field drift part 106 and emitted through the surface electrode 107. The strong electric field drift part 106 comprises a drift region 161 which has a cross section in the structure of mesh at right angles to the direction of thickness of the n-type silicon substrate 1, which is an electrically conductive substrate, and a heat radiation region 162 which is filled in the voids of the mesh and has a heat conduction higher than that of the drift region 161.

Abstract translation: 以低成本提供了以高稳定性和高效率发射电子的场致发射电子源及其制造方法。 在场发射电子源中，在其主表面上的n型硅衬底上形成强电场漂移部分106，并且在强电场漂移部分106上形成由金薄膜制成的表面电极107。 并且欧姆电极2形成在n型硅衬底101的背面上。在该场发射电子源110中，当表面电极107设置在真空中并且向表面电极107施加直流电压时 相对于n型硅衬底101（欧姆电极2）具有正极性，从n型硅衬底101注入的电子在强电场漂移部106中漂移，并通过表面电极107发射。 强电场漂移部106包括漂移区域161，该漂移区域161在与n型硅衬底1的厚度方向成直角的网状结构中具有横截面， 以及散热区域162，其被填充在网孔的空隙中，并且具有比漂移区域161高的导热性。

公开(公告)号：US20030076023A1

公开(公告)日：2003-04-24

申请号：US10252800

申请日：2002-09-24

Applicant: Matsushita Electric Works, Ltd.

Inventor： Takuya Komoda ,  Yoshiyuki Takegawa ,  Koichi Aizawa ,  Takashi Hatai ,  Tsutomu Ichihara ,  Yoshiaki Honda ,  Yoshifumi Watabe ,  Toru Baba

IPC: H01J001/00

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: A lower electrode (2) and surface electrode (7) composed of a layer-structured conductive carbide layer is formed on one principal surface side of the substrate (1) composed of an insulative substrate such as a glass or ceramic substrate. A non-doped polycrystalline silicon layer (3) is formed on the lower electrode (2), An electron transit layer (6) composed of an oxidized porous polycrystalline silicon is formed on the polycrystalline silicon layer (3). The electron transit layer (6) is composed of a composite nanocrystal layer including polycrystalline silicon and many nanocrystalline silicons residing adjacent to a grain boundary of the polycrystalline silicon. When voltage is applied between the lower electrode (2) and the surface electrode (7) such that the surface electrode (7) has a higher potential, electrons are injected from the lower electrode (2) toward the surface electrode (7), and emitted through the surface electrode (7) through the electron transit layer (6).

Abstract translation: 在由诸如玻璃或陶瓷基板的绝缘基板构成的基板（1）的一个主表面侧上形成下层电极（2）和由层状导电碳化物层构成的表面电极（7）。 在下电极（2）上形成非掺杂多晶硅层（3），在多晶硅层（3）上形成由氧化多孔多晶硅构成的电子迁移层（6）。 电子转移层（6）由包括多晶硅的复合纳米晶体层和与多晶硅的晶界相邻的许多纳米晶体硅构成。 当在下电极（2）和表面电极（7）之间施加电压使得表面电极（7）具有较高电位时，电子从下电极（2）向表面电极（7）注入，并且 通过电子转移层（6）通过表面电极（7）发射。

公开(公告)号：WO2009066723A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：PCT/JP2008/071102

申请日：2008-11-20

Applicant: シャープ株式会社 ,  神田 浩文 ,  岩松 正 ,  田村 壽宏 ,  平川 弘幸 ,  一井 愛雄

Inventor： 神田 浩文 ,  岩松 正 ,  田村 壽宏 ,  平川 弘幸 ,  一井 愛雄

IPC: H01J1/312 ,  G03G15/02 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01J63/06 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03G15/02 ,  B82Y10/00 ,  G03G2215/026 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/3125

Abstract: 　電子放出素子（１）は、基板（２）と上部電極（３）との間に微粒子層（４）を備え、微粒子層（４）は、抗酸化力が高い金属微粒子（６）と、金属微粒子（６）の大きさより大きい絶縁体の微粒子（５）とを含んでいる。電子放出素子（１）は、真空中だけでなく大気中でも安定して電子放出でき、放電を伴わないためオゾンやＮＯｘ等の有害物質をほぼ生成せず、酸化劣化しない。そのため、電子放出素子（１）は、寿命が長く大気中でも安定して長時間連続動作できる。

Abstract translation: 电子发射元件（1）包括在基板（2）和上电极（3）之间形成的基板（2），上电极（3）和颗粒层（4）。 颗粒层（4）含有具有高抗氧化性的金属颗粒（6）和尺寸大于金属颗粒（6）尺寸的绝缘颗粒（5）。 电子发射元件（1）在真空中甚至在大气中稳定地发射电子，因为电子发射元件（1）不会放电而不会被氧化和劣化，所以几乎不产生诸如臭氧和NOx的有害物质。 因此，电子发射元件（1）即使在大气中也可以长期稳定地连续运转，使用寿命长。

公开(公告)号：WO2006064634A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：PCT/JP2005/021321

申请日：2005-11-15

Applicant: パイオニア株式会社 ,  中田 智成 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  奥田 義行 ,  麻生 三郎 ,  渡辺 温 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

Inventor： 中田 智成 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  奥田 義行 ,  麻生 三郎 ,  渡辺 温 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/3125

Abstract: An electron discharge element includes: a lower electrode (2) near to a substrate and an upper electrode (7) far from the substrate; insulation layers (5, 6) layered between the lower electrode (2) and the upper electrode (7) and an electron supply layer (4). The electron discharge element discharges electrons from the upper electrode (7) when voltage is applied across the lower electrode (2) and the upper electrode (7). The electron discharge element further includes an electron discharge unit (14) having an opening formed by a stepwise inner wall of the insulation layers (5, 6) whose film thickness is stepwise reduced; and a carbon region (8) connected to the upper electrode (7), arranged in contact with the insulation layers (5, 6) and the electron supply layer (4), and containing carbon. Thus, it is possible to create an element having the same electron discharge characteristic as an electron discharge element in which the insulation layer film thickness is gradually reduced, without using minute particles or a micro-mask.

Abstract translation: 电子放电元件包括​​：靠近基板的下电极（2）和远离基板的上电极（7）; 层叠在下电极（2）与上电极（7）之间的绝缘层（5,6）和电子供给层（4）。 当电压施加在下电极（2）和上电极（7）上时，电子放电元件从上电极（7）放电。 电子放电元件还包括电子放电单元（14），该电子放电单元具有由膜厚逐步减小的绝缘层（5,6）的逐步内壁形成的开口; 和连接到所述上电极（7）的碳区域（8），与所述绝缘层（5,6）和所述电子供给层（4）接触并且包含碳。 因此，可以不使用微小的微粒或微型掩模来形成与绝缘层膜厚度逐渐降低的电子放电特性相同的元件。

公开(公告)号：WO2006006423A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：PCT/JP2005/012156

申请日：2005-06-24

Applicant: パイオニア株式会社 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

Inventor： 根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

IPC: G09G3/22

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  G09G2320/043 ,  H01J29/96 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0484 ,  H01J2329/96

Abstract: 　ディスプレイ、撮像素子、平面光源などに用いられ、経時変化を抑制できる電子放出装置の駆動方法を提供する。電子放出装置の駆動方法は、各々が、珪素又は珪素を主成分とする混合物若しくはその化合物からなる電子供給層、電子供給層上に形成された絶縁体層、及び絶縁体層上に形成された金属薄膜電極からなり、封着された複数の電子放出素子を有する電子放出装置の駆動方法であって、電子供給層及び金属薄膜電極間に電力を供給して電子放出素子から電子を放出せしめる駆動ステップと、駆動ステップ後に、電子供給層及び金属薄膜電極間に流れる素子電流の印加電圧に関する微分値に不連続が生じる印加電圧値以上の再活性化電圧を印加する再活性化ステップと、を含む。

Abstract translation: 用于驱动用于显示器，成像装置或平面光源的电子发射装置的驱动方法，并且能够抑制老化。 驱动方法驱动具有多个密封电子发射元件的电子发射器件，每个电子发射器件包括由硅制成的电子供应层，主要由硅或硅化合物构成的混合物，形成在电子源上的绝缘层 层和形成在绝缘层上的金属薄膜电极。 驱动方法包括在电子供给层和金属薄膜电极之间提供电力以从电子发射元件发射电子的驱动步骤，以及再生步骤，在驱动步骤之后施加这样的再生电压等于 或高于施加的电压值，这将导致在电子供应层和金属薄膜电极之间流动的元件电流相对于施加电压的微分值的不连续性。