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公开(公告)号：CN104795295A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024419.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939 , H01J29/04 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。
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公开(公告)号：CN104795294A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024369.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述第一电极为一碳纳米管层，每一电子发射单元中的半导体层具有多个间隔设置的孔洞，对应孔洞位置处的碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN1216394C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02142595.7
申请日：2002-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e-)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。
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公开(公告)号：CN104795295B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410024419.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。
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公开(公告)号：CN104795293B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410024418.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/308
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，包括：依次层叠设置的第一电极、一半导体层、一绝缘层以及一第二电极，所述第一电极作为该电子发射源的电子发射端，其特征在于，所述半导体层具有多个孔洞间隔设置，所述第一电极为一碳纳米管层，该碳纳米管层在对应多个孔洞位置处悬空设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795297A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024483.9
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元，每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层，所述条行第一电极为一碳纳米管层，所述半导体层包括多个孔洞，所述条形碳纳米管层覆盖所述多个孔洞，对应孔洞位置处的条形碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795291A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024347.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , H01J9/02 , H01J9/022 , H01J31/12
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极以及多个条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间设置一绝缘层，所述条形第一电极为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层设置于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN101894719A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910204470.9
申请日：2009-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01J1/30 , H01J1/312 , H01J63/02 , H01J29/04 , H01J63/06 , G02F1/13357 , G02F1/133 , H01J31/12 , G03G15/00 , H01J9/02
CPC classification number: G03G15/02 , B82Y10/00 , G02F2001/133625 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J63/06 , H01J2201/3125 , H01J2329/0484
Abstract: 提供一种电子发射元件、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置、送风装置、冷却装置、带电装置、图像形成装置、电子线硬化装置及电子发射元件的制造方法。本发明的电子发射元件中，设在电极基板和薄膜电极之间的电子加速层有含有绝缘性微粒的微粒层构成，该微粒层中含有碱性分散剂。从而，可以提供一种没有绝缘体层内的绝缘破坏的问题且可以廉价地制造的电子发射元件。
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公开(公告)号：CN100403486C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN02829411.4
申请日：2002-10-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J29/481 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 在薄膜型电子源阵列的作为向上部电极(13)供电的供电线的上部电极供电布线(16)之下形成第二层间绝缘层(15)来防止短路。而且，通过用第二层间绝缘层(15)限制电子发射部，覆盖在电子加速层(12)和第一层间绝缘层(14)的边界上偏析出来的缺陷，抑止长时间绝缘破坏。
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公开(公告)号：CN100399487C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n-型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n-型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加給直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n-型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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