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    MODULAR MICROWAVE SOURCE WITH LOCAL LORENTZ FORCE
    91.
    发明申请
    MODULAR MICROWAVE SOURCE WITH LOCAL LORENTZ FORCE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018208392A1

    公开(公告)日：2018-11-15

    申请号：PCT/US2018/026330

    申请日：2018-04-05

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： KRAUS, Philip Allan ,  CHUA, Thai Cheng ,  SUBRAMANI, Mani

    IPC: H01J37/32

    CPC classification number: H01J37/32678 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32935

    Abstract: Embodiments include methods and apparatuses that include a plasma processing tool that includes a plurality of magnets. In one embodiment, a plasma processing tool may comprise a processing chamber and a plurality of modular microwave sources coupled to the processing chamber. In an embodiment, the plurality of modular microwave sources includes an array of applicators positioned over a dielectric that forms a portion of an outer wall of the processing chamber, and an array of microwave amplification modules. In an embodiment, each microwave amplification module is coupled to one or more of the applicators in the array of applicators. In an embodiment, the plasma processing tool may include a plurality of magnets. In an embodiment, the magnets are positioned around one or more of the applicators.

    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
    92.
    发明申请
    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 审中-公开
    等离子体加工设备和等离子体处理方法

    公开(公告)号：WO2016002590A1

    公开(公告)日：2016-01-07

    申请号：PCT/JP2015/068064

    申请日：2015-06-23

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 久保田　紳治 ,  市川　裕介

    IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

    CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

    Abstract: 　プラズマ処理装置は、処理容器と、載置台と、ガス供給機構と、プラズマ生成機構と、調整部とを備える。載置台は、処理容器の内部に設けられ、被処理体が載置される。ガス供給機構は、プラズマ反応に用いられる処理ガスを処理容器の内部へ供給する。プラズマ生成機構は、マイクロ波発振器を含み、該マイクロ波発振器によって発振されるマイクロ波を用いて、処理容器の内部へ供給された処理ガスをプラズマ化する。調整部は、被処理体をプラズマ処理するための複数のステップの各々が実行される場合に、複数のステップの各々が切り替えられるタイミングで、マイクロ波発振器によって発振されるマイクロ波の周波数をステップ毎に予め定められた目標周波数に調整する。

    Abstract translation: 该等离子体处理装置设置有处理容器，放置台，气体供给机构，等离子体生成机构和调整单元。 放置台设置在处理容器中，待处理对象放置在放置台上。 气体供给机构向处理容器的内部供给处理气体，所述处理气体用于等离子体反应的目的。 等离子体产生机构包括微波振荡器，并且使用通过微波振荡器振荡的微波将提供给处理容器内部的处理气体带入等离子体状态。 在进行用于等离子体处理对象的多个步骤的情况下，调整单元在通过微波振荡器将要振荡的微波的频率切换到各步骤的预定频率的同时，调整步骤的定时。

    マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置
    95.
    发明申请
    マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置 审中-公开
    微波排放机理，微波等离子体源和表面波等离子体处理装置

    公开(公告)号：WO2013111474A1

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：PCT/JP2012/082496

    申请日：2012-12-14

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 池田　太郎 ,  宮下　大幸 ,  長田　勇輝 ,  藤野　豊 ,  小松　智仁

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4615 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463

    Abstract: 　マイクロ波放射機構（４３）は、マイクロ波を伝送する伝送路（４４）と、マイクロ波伝送路（４４）を伝送されてきたマイクロ波をチャンバ（１）内に放射するアンテナ部（４５）とを有し、アンテナ部（４５）は、マイクロ波を放射するスロット（１３１）が形成されたアンテナ（８１）と、アンテナ（８１）から放射されたマイクロ波を透過させ、その表面に表面波が形成される誘電体部材（１１０ｂ）とを有し、かつ、少なくともスロット（１３１）内壁および誘電体部材（１１０ｂ）の表面および内部を含む、表面電流および変位電流が流れる閉回路（Ｃ）を有し、閉回路（Ｃ）の長さが、マイクロ波の波長をλ ０ とした場合に、ｎλ ０ ±δ（ｎは正の整数、δは微調整成分（０を含む）である）となるようにする。

    Abstract translation: 微波发射机构（43）包括：传输微波的传输路径（44）; 以及发射在微波传输路径（44）上传输的微波的天线部分（45），所述微波在腔室（1）内发射。 天线部分（45）包括天线（81），电介质部件（110b）和闭合电路（C）。 在所述天线（81）中形成发射微波的时隙（131）。 所述电介质构件（110b）被从天线（81）发射的微波穿透; 并在其表面形成有表面波。 所述闭合回路（C）中的表面电流和位移电流流至少包含：所述槽（131）的内壁; 以及电介质构件（110b）的表面和内部。 闭合电路（C）的长度为nλ0±δ（其中n为正整数，Δ为微调组件（可为0）），当微波的波长为λ0时。

    プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置
    96.
    发明申请
    プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置 审中-公开
    等离子体制造装置和等离子体处理装置

    公开(公告)号：WO2013094716A1

    公开(公告)日：2013-06-27

    申请号：PCT/JP2012/083181

    申请日：2012-12-17

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 辻　晃弘 ,  康　松潤

    IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32477

    Abstract: 　マイクロ波を導入するための誘電体窓が損傷するのを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。プラズマ処理装置１１０は、基板Ｓを収容する処理チャンバ１１１と、該処理チャンバ１１１に隣接して配置されるプラズマ生成ユニット１１２とを備え、該プラズマ生成ユニット１１２は、マイクロ波を伝播させる導波管１１５と、該導波管１１５に接続されたプラズマ生成チャンバ１１６と、導波管１１５及びプラズマ生成チャンバ１１６の間に介在し、導波管１１５が伝播するマイクロ波をプラズマ生成チャンバ１１６の内部へ導入する誘電体窓１１７とを有し、プラズマ生成チャンバ１１６の内部空間であるプラズマ発生空間Ｇは球状を呈し、処理チャンバ１１１の内部と連通する。

    Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，其中可以防止对用于引入微波的介电窗口的损坏。 等离子体处理装置（110）设置有用于容纳衬底（S）的处理室（111）和与处理室（111）相邻布置的等离子体产生单元（112）。 等离子体产生单元（112）具有：微波传播通过的波导（115） 连接到波导（115）的等离子体产生室（116）; 以及位于所述波导（115）和所述等离子体产生室（116）之间的电介质窗（117），所述电介质窗（117）将通过所述波导（115）传播的所述微波引入所述等离子体产生室（116）的内部， 。 作为等离子体产生室（116）的内部空间的等离子体产生空间（G）具有球形并与处理室（111）的内部连通。

    METHOD FOR PROCESSING A GAS AND A DEVICE FOR PERFORMING THE METHOD
    97.
    发明申请
    METHOD FOR PROCESSING A GAS AND A DEVICE FOR PERFORMING THE METHOD 审中-公开
    用于处理气体的方法和用于执行该方法的装置

    公开(公告)号：WO2012147054A1

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：PCT/IB2012/052115

    申请日：2012-04-27

    Applicant: GASPLAS AS ,  RISBY, Philip, John ,  PENNINGTON, Dale

    Inventor： RISBY, Philip, John ,  PENNINGTON, Dale

    IPC: H05H1/30 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/3478 ,  H05H2001/4622

    Abstract: The present invention relates to a method and device for processing a gas by forming microwave plasmas of the gas. The gas that is to be processed is set in a two or three co-axial vortex flow inside the device and exposed to a microwave field to form the plasma in the inner co-axial vortex flow, which subsequently is expelled as a plasma afterglow through an outlet of the device. The device is provided with a microwave field choking effect by having a diameter of the exit channel larger than zero but smaller than 1/16 of the wavelength of the standing microwave within the microwave chamber and a length, ∈, of the exit channel that may correspondingly have one of the following ranges: from a factor larger than zero but smaller than (n+1/8), n G {0, 1, 2, 3}, of the wavelength of the standing microwave within the microwave chamber.

    Abstract translation: 本发明涉及通过形成气体的微波等离子体来处理气体的方法和装置。 要处理的气体被设置在装置内部的两个或三个同轴涡流中并暴露于微波场以在内部同轴涡流中形成等离子体，其随后被排出为等离子体余辉 设备的出口。 通过使出口通道的直径大于零但小于微波室内的立体微波的波长的1/16，并且出口通道的长度α可以设置有微波场阻塞效应 相应地具有以下范围之一：从微波室内的立体微波的波长的大于零但小于（n + 1/8）的因子n G {0,1,2,3}。

    INSTALLATION DE TRAITEMENT MICRO-ONDE D'UNE CHARGE
    98.
    发明申请
    INSTALLATION DE TRAITEMENT MICRO-ONDE D'UNE CHARGE 审中-公开
    微处理负荷的设施

    公开(公告)号：WO2012146870A1

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：PCT/FR2012/050903

    申请日：2012-04-25

    Applicant: SAIREM SOCIETE POUR L'APPLICATION INDUSTRIELLE DE LA RECHERCHE EN ELECTRONIQUE ET MICRO ONDES ,  GRANDEMENGE, Adrien ,  JACOMINO, Jean-Marie ,  RADOIU, Marilena ,  LATRASSE, Louis

    Inventor： GRANDEMENGE, Adrien ,  JACOMINO, Jean-Marie ,  RADOIU, Marilena ,  LATRASSE, Louis

    IPC: H01J37/32

    CPC classification number: H05B6/6447 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32678 ,  H05B6/664 ,  H05B6/74

    Abstract: L'invention porte sur une installation(1) de traitementmicro-onded'une charge, comprenant: -au moins un dispositif d'application (30); -au moins un générateur à état solide(4) dans le domaine des micro-ondes, raccordé à au moins un dispositif d'application par des moyens de guidage (5) de l'onde électromagnétique; -au moins un système de réglage fréquentiel (40) conçu pour régler la fréquence de l'onde produite par le générateur (4) correspondant; -un système de mesure (31) pour le ou chaque dispositif d'application (30), conçu pour mesurer la puissance réfléchie P R(i) par le dispositif d'application (30); -un moyen de commande (6)automatisérelié à chaque système de réglage fréquentiel (40)et à chaque système de mesure (31) pour commander le réglage de la fréquence f (i) de l'onde électromagnétique en fonction de la puissance réfléchie, afin de réguler la puissance réfléchie P R(i) et/ou réguler la puissance transmise PT (i).

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于微波处理负载的设备（1），包括：至少一个施加装置（30）; 在微波领域中的至少一个固态发生器（4），通过用于引导（5）电磁波的装置连接到至少一个施加装置; 至少一个频率调节系统（40），被设计用于调整由相应的发电机（4）产生的波的频率; 用于所述或每个应用设备（30）的测量系统（31），被设计用于测量由所述应用设备（30）反映的功率（i）的功率; 连接到每个频率调节系统（40）和每个测量系统（31）的自动控制装置（6），以便根据反射功率来控制电磁波的频率f（i）的调整，以便 调整反射功率PR（i）和/或调整发射功率PT（i）。

    電漿處理裝置
    99.
    发明专利
    電漿處理裝置 审中-公开
    等离子处理设备

    公开(公告)号：TW201309106A

    公开(公告)日：2013-02-16

    申请号：TW101123579

    申请日：2012-06-29

    Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    Inventor： 岩崎征英 ,  IWASAKI, MASAHIDE

    IPC: H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222

    Abstract: 為避免微波放電所使用之微波，洩漏到射頻供電線，本發明可在線的途中有效地加以阻絕，確實地防止微波洩漏之干擾。於本發明之微波電漿處理裝置，對載置台12施加射頻偏壓用的高週波之供電棒34，其上端連接載置台12的底面中心部位，其下端連接匹配單元32內之上述匹配器的高週波輸出端子。又，腔室10之底面與匹配單元32之間，為了形成同軸線路36，而設有圓筒狀的外部導體38，其以供電棒34作為內部導體而環繞其周圍。同軸線路36，設有抗流機構40，當微波從腔室10裡面的電漿產生空間闖入線路內時，該抗流機構40用以阻絕該微波之空間傳播。

    Abstract in simplified Chinese: 为避免微波放电所使用之微波，泄漏到射频供电线，本发明可在线的途中有效地加以阻绝，确实地防止微波泄漏之干扰。于本发明之微波等离子处理设备，对载置台12施加射频偏压用的高周波之供电棒34，其上端连接载置台12的底面中心部位，其下端连接匹配单元32内之上述匹配器的高周波输出端子。又，腔室10之底面与匹配单元32之间，为了形成同轴线路36，而设有圆筒状的外部导体38，其以供电棒34作为内部导体而环绕其周围。同轴线路36，设有抗流机构40，当微波从腔室10里面的等离子产生空间闯入线路内时，该抗流机构40用以阻绝该微波之空间传播。

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