convertisseur de puissance résonant série

    公开(公告)号:FR3092213B1

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:FR1900606

    申请日:2019-01-24

    Applicant: 3D PLUS

    Inventor: COLONNA CÉDRIC

    Abstract: Convertisseur (100) de puissance à circuit résonant série qui comporte : - un onduleur (1), - un circuit résonant série LC, - un transformateur (T1) comprenant un circuit primaire (2) et un circuit secondaire (3), et - des moyens (4) de contrôle de l’onduleur, l’onduleur étant relié au circuit résonant série LC qui est destiné à être connecté à une charge de sortie (Rout) à travers le transformateur (T1), caractérisé en ce que le circuit primaire (2) comporte un premier enroulement de N11 spires et un second enroulement de N12 spires avec N11=N12, une inductance (Lx) en parallèle du premier enroulement, un condensateur de capacité Cx en parallèle du second enroulement. Figure pour l’abrégé : Fig. 1

    PROCEDE DE METALLISATION DE TROUS D'UN MODULE ELECTRONIQUE PAR DEPOT EN PHASE LIQUIDE

    公开(公告)号:FR3077825B1

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:FR1851215

    申请日:2018-02-14

    Applicant: 3D PLUS

    Inventor: VAL CHRISTIAN

    Abstract: L'invention concerne un procédé de dépôt en phase liquide de couches métalliques dans des trous (11) d'un module électronique (10) disposé dans une enceinte hermétique (1), à partir d'un liquide (4) chimique à composés métalliques destinés à former une couche métallique. Les trous ont une profondeur P et un diamètre D tels que D>80 µm et P/D > 10, et le procédé comporte au moins un cycle (Cyc) comportant les sous-étapes suivantes : - M1) Mise sous une pression prédéterminée PO de l'enceinte et remplissage de l'enceinte par le liquide, - M2) Dégazage des trous par mise sous une pression réduite P1 de l'enceinte, avec P1

    Procedimiento de interconexión eléctrica en tres dimensiones entre chips electrónicos encapsulados o entre un chip electrónico encapsulado y un circuito impreso

    公开(公告)号:ES2675783T3

    公开(公告)日:2018-07-12

    申请号:ES01905860

    申请日:2001-01-30

    Applicant: 3D PLUS

    Inventor: VAL CHRISTIAN

    Abstract: Procedimiento de interconexión en tres dimensiones para al menos dos cápsulas (2) plásticas de encapsulado conteniendo cada una al menos un chip electrónico (1), y provista cada una de conductores (30) de conexión para conectar, en el interior de cada cápsula, unos contactos (10) de conexión del chip electrónico con unos pines (40) de salida hacia el exterior de la cápsula, incluyendo dicho procedimiento las etapas siguientes: a) apilado y ensamblado (100) por encolado de las cápsulas; b) recorte (101) a través del plástico que encapsula las cápsulas, a una distancia del chip electrónico comprendida entre aproximadamente 0,5 y 2 mm, para formar un bloque (6) que deja asomar las secciones (31) de los conductores de conexión; c) realización (102) de conexiones eléctricas (71) entre las secciones (31) que asoman sobre las caras de dicho bloque.

    MODULE OPTOELECTRONIQUE 3D D'IMAGERIE

    公开(公告)号:FR3060851A1

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:FR1662823

    申请日:2016-12-20

    Applicant: 3D PLUS

    Inventor: GAMBART DIDIER

    Abstract: L'invention concerne un module optoélectronique 3D d'imagerie destiné à être fixé à un dispositif de formation d'images qui comprend : - un capteur optoélectronique (200) comportant un boîtier (203) avec une puce (201) électriquement connectée à - un empilement d'au moins un circuit imprimé, - l'ensemble capteur et empilement étant moulé dans une résine et présentant des faces selon Z avec des pistes d'interconnexion électrique des circuits imprimés. Il comprend un berceau rigide thermiquement conducteur sous forme d'un cadre (300) présentant une surface de référence selon X,Y et : ○ sur une surface supérieure (302) : des points de référence (317) destinés à centrer et aligner le dispositif de formation d'images par rapport à la surface de référence, des points de fixation (316) destinés à permettre la fixation du dispositif de formation d'images, et ○ une surface d'appui intérieure (301) présentant des points d'appui (313) du capteur ajustés pour centrer et aligner la puce par rapport à la surface de référence.

    PROCEDE DE POSITIONNEMENT DES PUCES LORS DE LA FABRICATION D'UNE PLAQUE RECONSTITUEE

    公开(公告)号:FR2943176A1

    公开(公告)日:2010-09-17

    申请号:FR0901095

    申请日:2009-03-10

    Applicant: 3D PLUS

    Inventor: VAL CHRISTIAN

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaque (1) reconstituée qui comporte des puces (10) présentant des plots de connexion (11) sur une face de la puce dite face avant (12), ce procédé comprenant les étapes suivantes de : - positionnement des puces (10) sur un support adhésif (20), face avant sur le support, - dépôt d'une résine (50) sur le support (20) pour encapsuler les puces, - polymérisation de la résine (50). Avant l'étape de dépôt de la résine, il comprend une étape de collage sur les puces d'une plaque de maintien (40) du positionnement des puces, cette plaque de maintien (40) comportant des parties disposées sur une face (12, 13) des puces.

    108.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE602005015465D1

    公开(公告)日:2009-08-27

    申请号:DE602005015465

    申请日:2005-09-07

    Applicant: 3D PLUS

    Abstract: The present invention relates to an electronic device incorporating a heat distributor. It applies more particularly to devices of the plastic package type, with one or more levels of components. According to the invention, the electronic device, for example of the package type, is provided for its external connection with pads distributed over a connection surface. It includes a thermally conducting plate lying parallel to said connection surface and having a nonuniform structure making it possible, when the device is exposed to a given external temperature, to supply a controlled amount of heat to each external connection pad according to its position on the connection surface. If the device is a package comprising a support of the printed circuit type, the conducting plate will advantageously form an internal layer of said support.

    109.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE602006006210D1

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:DE602006006210

    申请日:2006-11-30

    Applicant: 3D PLUS

    Abstract: The module has a stack (100) of two slices (10, 30), where the slice (10) has a set of electrically conducting bumps on its face. The slice (30) comprises an electrically insulating material zone (61) passing through the thickness of the slice (30) and an electrically conducting element (3) passing through the slice (30) in the zone. The conducting element and the bumps are made of material having a determined hardness. The hardness of the material of the element (3) is lower than the hardness of the material of the bumps so that the bumps penetrate in the conducting element.

    PROCEDE D'INTERCONNEXION VERTICALE DE MODULES ELECTRONIQUES 3D PAR DES VIAS.

    公开(公告)号:FR2923081A1

    公开(公告)日:2009-05-01

    申请号:FR0707557

    申请日:2007-10-26

    Applicant: 3D PLUS SA

    Inventor: VAL CHRISTIAN

    Abstract: La présente invention concerne un procédé d'interconnexion verticale de modules électroniques 3D (100), un module comportant un empilement de K tranches électroniques (19) reliées électriquement entre elles par des conducteurs situés selon la direction de l'empilement, qui comprend les étapes consistant à :A) fabriquer un lot de tranches (19) comportant n motifs géométriques délimités par des chemins de découpe (14), chaque motif étant muni d'au moins un composant électronique (6) entouré de résine isolante (9) et connecté à des plots (4) de connexion électrique, les plots étant reliés à des pistes (12) de connexion électrique déposées sur une couche diélectrique (11) ; chaque piste (12) s'étend jusqu'à une électrode (13) interconnectant les pistes entre elles, et située sur les chemins de découpe (14), et comprend un segment courbe (12a) délimitant une zone (15a) qui entoure un emplacement destiné à former un via,B) empiler et assembler les K tranches (19) de manière à superposer lesdites zones (15a),C) percer des vias (15) dans la résine (9) à l'aplomb des emplacements des vias,D) métalliser la paroi des vias (15) par croissance électrolytique,E) découper l'empilement selon les chemins de découpe (14), la largeur de la découpe étant supérieure à celle de l'électrode (13), en vue d'obtenir les modules électroniques 3D (100).

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