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公开(公告)号:FR3043250A1
公开(公告)日:2017-05-05
申请号:FR1560422
申请日:2015-10-30
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor: ROY FRANCOIS , ARE PHILIPPE
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant un circuit de commande et une pluralité de pixels (300), chaque pixel comportant : une zone photosensible (PD), une zone de stockage (SD) sensiblement rectangulaire adjacente à la zone photosensible, et une zone de lecture (315) ; des première et deuxièmes électrodes (309, 311) verticales isolées connectées électriquement l'une avec l'autre, en vis-à-vis l'une de l'autre, et délimitant la zone de stockage, la première électrode s'étendant entre la zone de stockage et la zone photosensible, la deuxième électrode comprenant un prolongement coudé (311B) en regard d'une première extrémité de la première électrode, la zone de stockage débouchant sur la zone photosensible du côté de la première extrémité, le circuit de commande étant adapté à appliquer un premier potentiel aux première et deuxième électrodes pour effectuer un transfert de charges, et un deuxième potentiel pour bloquer ledit transfert.
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公开(公告)号:DE112015003151T5
公开(公告)日:2017-04-27
申请号:DE112015003151
申请日:2015-05-28
Inventor: DAVEAU JEAN-MARC , ROCHE PHILIPPE , FUIN DIDIER
IPC: G01R31/3187 , G01R31/317 , G01R31/3185
Abstract: Vorrichtung (5) mit einer integrierten Schaltung mit einer Menge von N Flip-Flops (1 bis 4), die über ihren jeweiligen Testeingang (ti) und ihren jeweiligen Testausgang (tq) in Reihe gekoppelt sind, um eine Kette von N Flip-Flops (1 bis 4) zu bilden. Die Vorrichtung (5) umfasst eine Steuerschaltung (7), die dazu konfiguriert ist, nach einem normalen Betriebsmodus der Flip-Flops (1 bis 4) die N Flip-Flops (1 bis 4) in einen Testmodus zu setzen, in dem der Testeingang (ti) des ersten Flip-Flops (1) der Kette eine erste Sequenz von Testbits empfangen soll, einen Speicher (6), der dazu konfiguriert ist, die Sequenz von N Werten, die durch den Testausgang (tq) des letzten Flip-Flops (4) der Kette geliefert werden, aufzuzeichnen, wobei die Steuerschaltung dazu konfiguriert ist, am Testeingang (ti) des ersten Flip-Flops (1) der Kette zu liefern, die Sequenz von N gespeicherten Werten empfangen soll, um den Zustand der N Flip-Flops vor ihrem Setzen in den Testmodus wiederherzustellen.
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103.
公开(公告)号:DE112015002991T5
公开(公告)日:2017-04-20
申请号:DE112015002991
申请日:2015-06-26
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor: DAVEAU JEAN-MARC , CLERC SYLVAIN , ROCHE PHILIPPE
IPC: G06F11/14 , G01R31/3185 , G06F11/18 , G06F11/267
Abstract: Verfahren zum Managen des Betriebs eines Logikbauteils (2) mit einer Mehrheitsentscheidungsschaltung (3) und einer ungeraden Anzahl von Flip-Flops (4 bis 6) mindestens gleich drei, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: a) nach einem normalen Betriebsmodus des Bauteils ein Setzen des Bauteils (2) in einen Testmodus, in dem: – ein Flip-Flop (4) des Logikbauteils (2) in einen Testmodus gesetzt wird, – ein Testsignal (TI) in den Testeingang (ti) des getesteten Flip-Flops (4) eingespeist wird, – der Logikzustand der anderen Flip-Flops (5 und 6) eingefroren wird und – das Testausgangssignal (TQ) analysiert wird, dann, b) am Ende des Tests ein neues Setzen des Bauteils (2) in einen normalen Betriebsmodus, wobei die Mehrheitsentscheidungsschaltung (3) automatisch den Wert des Ausgangssignals (Q) des Bauteils (2), der vor der Einleitung des Tests existierte, wiederherstellt.
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公开(公告)号:FR3041772A1
公开(公告)日:2017-03-31
申请号:FR1559267
申请日:2015-09-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: GIRARD DESPROLET ROMAIN , MARTY MICHEL , BOUTAMI SALIM , LHOSTIS SANDRINE
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un filtre spectral comprenant les étapes successives suivantes : a) former, dans une première couche en un premier matériau, un premier barreau rectangulaire (27) en un deuxième matériau d'indice optique différent de celui du premier matériau ; et b) former, dans une deuxième couche ou dans la deuxième couche et à la fois dans une partie au moins de la première couche, un deuxième barreau rectangulaire (33) en le deuxième matériau et en contact avec le premier barreau, la deuxième couche reposant sur la première couche et étant en le premier matériau.
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公开(公告)号:FR3041115A1
公开(公告)日:2017-03-17
申请号:FR1558668
申请日:2015-09-16
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , DOUIX MAURIN FELICIEN , BOEUF FREDERIC , CREMER SEBASTIEN
IPC: G02F1/025
Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (41) comportant, sur un support isolant (37), une bande de silicium monocristallin (33) et une bande de silicium polycristallin (35) de même épaisseur et dopées de types de conductivité opposés, lesdites bandes étant adjacentes et séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47, 51) couplée à un contact électrique (49, 53).
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公开(公告)号:FR3040533A1
公开(公告)日:2017-03-03
申请号:FR1558060
申请日:2015-08-31
Inventor: RODRIGUEZ PHILIPPE , GHEGIN ELODIE , NEMOUCHI FABRICE
IPC: H01L23/485 , H01L29/72
Abstract: Réalisation de zones de contacts pour un dispositif à transistors comprenant des étapes de : a) former au moins une couche en un composé à base de semi-conducteur et de métal sur une ou plusieurs première(s) régions semi-conductrice(s) d'un premier transistor de type N et sur une ou plusieurs deuxième(s) région(s) semiconductrices d'un deuxième transistor de type P reposant sur un même substrat, les premières régions étant à base d'un matériau de type III-V tandis que les deuxièmes régions semi-conductrices sont à base d'un autre matériau différent du matériau III-V, le semi-conducteur du composé étant un dopant de type N du matériau III-V, b) effectuer au moins un recuit thermique de sorte à former sur les premières régions semi-conductrices des premières zones (74) de contact et sur les deuxièmes régions semi-conductrices des deuxièmes zones (76) de contact à base à base de composé de semi-conducteur et de métal tout augmentant le dopage N du matériau III-V
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公开(公告)号:FR3040499A1
公开(公告)日:2017-03-03
申请号:FR1557883
申请日:2015-08-24
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES
Abstract: Le circuit intégré (IC) comprend dans un substrat (F) semiconducteur, un dispositif actif (DA) de confinement d'un flux lumineux comportant une nervure de confinement (NC) séparée de deux zones dopées (ZD) par deux tranchées (T), chaque zone dopée (ZD) comportant une zone de prise de contact (PC) sur une face supérieure (FS) de cette zone dopée (ZD). Chaque tranchée (T) s'évase depuis sa paroi de fond (PF) vers la face supérieure (FS) de la zone dopée (ZD) correspondante.
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公开(公告)号:FR3011678B1
公开(公告)日:2017-01-27
申请号:FR1359703
申请日:2013-10-07
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: RIDEAU DENIS , BAYLAC ELISE , RICHARD EMMANUEL , ANDRIEU FRANCOIS
IPC: H01L21/336 , H01L29/772
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公开(公告)号:FR3009889B1
公开(公告)日:2016-12-23
申请号:FR1358138
申请日:2013-08-23
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: MARTY MICHEL , JOUAN SEBASTIEN , FREY LAURENT , BOUTAMI SALIM
IPC: H01L31/0232
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公开(公告)号:FR3036847A1
公开(公告)日:2016-12-02
申请号:FR1554755
申请日:2015-05-27
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor: MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L21/8232 , H01L29/772
Abstract: Circuit intégré (IC), comprenant un substrat (S), une région isolante (STI) délimitant au moins une zone du substrat (ZS), et au moins un transistor (T) comportant une région semiconductrice concave (RSC) supportée par la région isolante (STI) selon une première direction (D1), tournant sa concavité vers ladite au moins une zone (ZS) et contenant des régions de drain (RSD), de source (RSS) et de canal, une région de grille (G) possédant une partie concave chevauchant une partie de la région semiconductrice concave (RSC), et une région diélectrique (RD) située entre ladite zone de substrat (ZS) et ladite région semiconductrice concave (RSC).
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