公开(公告)号：KR1020010004137A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990024751

申请日：1999-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도형

IPC: H04L9/00

CPC classification number: H04L63/0435

Abstract: PURPOSE: A method for digital interfacing for preventing illegal duplication is provided to make an illegal duplication attempt of a synchronization apparatus not following an illegal duplication prevent protocol incompetent. CONSTITUTION: A source apparatus examines

Abstract translation: 目的：提供一种用于防止非法复制的数字接口的方法，以使得不遵循非法复制防止协议无效的同步装置的非法复制尝试。 规定：源设备检查

公开(公告)号：KR1020000031217A

公开(公告)日：2000-06-05

申请号：KR1019980047135

申请日：1998-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  김도형 ,  서양석

IPC: G11B20/02

Abstract: PURPOSE: Audio reproduction system and method using a location adjustable imaginary sound phase is provided to adjust an imaginary sound without changing a filter coefficient. CONSTITUTION: An audio reproduction system using a location adjustable imaginary sound phase includes an imaginary sound phase forming part(400), a control part(420), an output power location adjusting part(410), and an adder(430). The imaginary sound phase forming part(400) generates a primary imaginary sound phase for forming an imaginary sound phase located in an A-location and a primary imaginary sound phase forming signal for forming an imaginary sound phase located in a B-location. The output power location adjusting part(410) adjusts a phase difference between the primary imaginary sound phases of the A and B-locations. The adder(430) outputs L and R signals providing a secondary imaginary sound phase located in a C-location. The secondary imaginary sound phase is formed by separating right and left signals.

Abstract translation: 目的：提供使用位置可调虚拟声相的音频再现系统和方法来调节虚拟声音而不改变滤波器系数。 构成：使用位置可调虚拟声相的音频再现系统包括虚拟声相形成部分（400），控制部分（420），输出功率位置调整部分（410）和加法器（430）。 虚拟声相形成部分（400）产生用于形成位于A位置的虚拟声相位和用于形成位于B位置的虚拟声相位的主要虚声相位形成信号的主虚声相位。 输出功率位置调整部（410）调整A和B位置的主要虚声相位之间的相位差。 加法器（430）输出提供位于C位置的次级虚拟声相位的L和R信号。 次级虚拟声相通过分离左右信号而形成。

公开(公告)号：KR1020000021156A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980040118

申请日：1998-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이현철 ,  김도형 ,  김성환

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming metal contact is provided to increase misaligned margin between storage electrode contact hole and storage electrode. CONSTITUTION: A method comprises the steps of: forming a first isolated film(102) on semiconductor substrate; partially etching the first isolated film and forming a first opening(103) to expose the parts of surface of the semiconductor substrate; filling the first opening with the first metal film to form a contact plug(104a); forming the second isolated film on the first isolated film with the contact plug; partially etching the second isolated film and forming the second opening to expose upper surface of the contact plug and the parts of surface of the first isolated film at the both sides thereof; filling the second opening with the second metal film to form a contact electrode(108a); and removing the second isolated film at both sides of the contact electrode, resulting in reducing the size of capacitor with holding capacitor properties.

Abstract translation: 目的：提供一种形成金属接触的方法，以增加存储电极接触孔和存储电极之间的未对准余量。 构成：一种方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一隔离膜（102）; 部分地蚀刻第一隔离膜并形成第一开口（103）以暴露半导体衬底的表面的部分; 用第一金属膜填充第一开口以形成接触塞（104a）; 在所述第一隔离膜上用所述接触塞形成所述第二隔离膜; 部分地蚀刻第二隔离膜并形成第二开口以暴露接触插塞的上表面和第一隔离膜的两侧的表面部分; 用第二金属膜填充第二开口以形成接触电极（108a）; 并且在接触电极的两侧去除第二隔离膜，导致电容器的尺寸减小而保持电容器性能。

公开(公告)号：KR1020000009261A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019980029538

申请日：1998-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경훈 ,  김도형

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method is provided to preform an etching processing for etching a thin film of a highly integrated semiconductor device. CONSTITUTION: The etching method etches the thin films of a semiconductor device by using a plasma generated by Inductive Coupled Plasma type of a Helical Resonator. The method comprises the first step of etching the thin film by using a gas including both Cl and F as etching gas by a predetermined depth; and the second step of etching the residual portion of the thin film by using a gas including both Cl and Br as etching gas. The thin film may be a poly-film or metal film. Thereby it is possible to acquire a desired etching selection rate and form a vertical anisotropic mode profile so that it can be effectively used for manufacturing the semiconductor device which a fine pattern is required.

Abstract translation: 目的：提供一种用于预处理用于蚀刻高度集成的半导体器件的薄膜的蚀刻处理的方法。 构成：蚀刻方法通过使用由电感耦合等离子体类型的螺旋谐振器产生的等离子体来蚀刻半导体器件的薄膜。 该方法包括通过使用包括Cl和F的气体作为蚀刻气体预定深度来蚀刻薄膜的第一步骤; 以及通过使用包括Cl和Br的气体作为蚀刻气体来蚀刻残留部分的第二步骤。 薄膜可以是多层膜或金属膜。 因此，可以获得期望的蚀刻选择率并形成垂直各向异性模式轮廓，使得其可以有效地用于制造需要精细图案的半导体器件。

公开(公告)号：KR1020000008052A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980027698

申请日：1998-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고호 ,  김태룡 ,  김도형

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A plasma etching apparatus is provided to improve a throughput by minimizing a generation of error due to reverse inflow of plasma and by improving holes structure of an orifice ring. CONSTITUTION: The plasma etching apparatus comprises a tube(40). The tube(40) includes an orifice ring(42) formed at sides of inlet to inflow reaction gas from a gas cap(14). The diameter of hole of the orifice ring(42) is more narrow than that of the gas cap(14). Thereby, when plasma formation, the reverse inflow of the generated plasma is minimized. The thickness of the orifice ring(42) has 2 millimeters more than. The orifice ring(42) includes a first orifice ring(92) formed at edge portion of the tube(40) and a second orifice ring(94) formed in the tube(40).

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻装置，通过最小化由于等离子体的反向流入导致的误差的产生以及改善孔环的孔结构来提高生产率。 构成：等离子体蚀刻装置包括管（40）。 管（40）包括形成在入口侧的来自气帽（14）的反应气体的孔环（42）。 孔环（42）的孔直径比气盖（14）的直径更窄。 因此，当等离子体形成时，所产生的等离子体的反向流入最小化。 孔环（42）的厚度大于2毫米。 孔环（42）包括形成在管（40）的边缘部分处的第一孔环（92）和形成在管（40）中的第二孔环（94）。

公开(公告)号：KR1020000001512A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980021811

申请日：1998-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도형

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A gas supplying apparatus is provided to exactly control the pollution level of gas supplied to a process chamber by including a pollution sensing unit. CONSTITUTION: The process chamber(20) includes an MFC(mass flow controller)(24) and a valve(26) for controlling gas flow rate. The process chamber(20) further comprises a pollution sensing unit(28) formed on a line(22) for exactly sensing the gas pollution level supplied to the process chamber(20). Thereby, it is possible to improve a reliability of semiconductor devices by further comprising the pollution sensing unit(28).

Abstract translation: 目的：提供一种气体供应装置，通过包括污染检测单元来精确控制供应给处理室的气体的污染水平。 构成：处理室（20）包括用于控制气体流量的MFC（质量流量控制器）（24）和阀（26）。 处理室（20）还包括形成在线路（22）上用于精确地感测供应到处理室（20）的气体污染水平的污染感测单元（28）。 因此，通过进一步包括污染检测单元（28）可以提高半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：KR1019990069336A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980003508

申请日：1998-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도형

IPC: H04S3/00

Abstract: 본 발명은 5채널 오디오 데이터를 2채널 오디오 데이터로 변환하여 2개의 스피커로 3차원 음향을 재생하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 3차원 음향재생장치는 5채널 오디오 데이터를 좌측음원과 우측음원으로 분리하고 각 채널에 해당하는 위치로 가상음원을 생성하는 역필터, 상기 역필터의 각 채널에서 좌우 분리 출력된 음원을 좌측음원은 좌측음원끼리 합성하고, 우측음원은 우측음원끼리 합성하는 음원 합성부 및 상기 음원 합성부로부터 출력된 합성음원을 재생하는 좌측과 우측에 위치하는 좌우 스피커를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 단순히 두 개의 스피커로 청취자의 정면을 0
o 로 할 경우, 청취자의 좌,우로 균등한 거리에 두고 90
o 위치에 스피커를 배치하면 5개의 스피커 재생과 똑같은 효과를 얻을 수 있기 때문에 그만큼 비용 절감도 되고 또한 청취룸의 공간 제약을 크게 받지 않아도 된다. 또한 전 공간에 대해 거의 완벽한 3차원 효과를 느낄 수 있다.

公开(公告)号：KR100189995B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019950054714

申请日：1995-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오상근 ,  문상영 ,  김정곤 ,  김도형

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/057

Abstract: 본 발명은 이온 주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 이온 주입장치는 이온 추출기와 음 이온변환기 및 질량분석기를 구비하는 이온 주입장치에 있어서, 상기 질량분석기에 상기 질량분석기 내의 자기장의 방향을 바꿀 수 있는 극성 변환기가 구비되어 있다. 본 발명에 의한 이온주입장치를 사용하여 이온주입을 실시하면, 종래기술에 의한 이온 주입장치로는 불가능하였던 얕은 불순불충과 깊은 불순물층을 장치의 변경 없이 웨이퍼 상에 형성하는 것이 가능하다. 즉, B+나 P+ 뿐만 아니라 BF+ 불순물도 하나의 이온 주입장치를 사용하여 이온주입하는 것이 가능하다. 따라서, 본 발명에 의한 이온 주입장치를 사용하여 이온 주입을 실시한다면, 종래에 비해 반도체장치의 생산성과 양산기술의 경쟁력을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR100212707B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019970014612

申请日：1997-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김원주 ,  김도형 ,  오형원 ,  황병열

IPC: G01N37/00 ,  H01L21/66

Abstract: 본 발명은 고 효율의 이온빔 주입 기능을 달성할 수 있도록 하는 이온 주입 장치용 질량 분석기의 전자 포집 장치(Electron suppression apparatus)에 관한 것으로, 소정의 전자기장을 통해 주입되는 이온빔 입자를 질량별로 분석하는 질량 분석 챔버와, 상기 질량 분석 챔버의 소정 부위에 형성되어 상기 이온빔 입자의 출입통로를 제공하는 복수개의 슬롯을 포함하는 이온 주입 장치의 질량 분석기에 있어서, 상기 질량 분석 챔버의 저면에 형성되어 소정의 절연특성을 갖는 복수개의 지지대와; 상기 지지대들에 지지되고 소정의 전기장을 통해 상기 질량 분석 챔버의 저면에서 상기 이온빔 입자의 충돌에 의해 발생되는 이차전자를 포집하는 도전성의 바이어스 프레임과; 상기 바이어스 프레임에 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에서는 질량 분석 챔버 내부에 소정의 전자 포집이 가능한 장치를 구비하고 이를 통해 발생되는 이차전자를 적절히 포집시킴으로써, 이온 주입 공정을 방해하는 저해요인을 제거하고, 그 결과, 고 효율의 이온 주입 공정을 달성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990027324A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970049761

申请日：1997-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태룡 ,  최병욱 ,  김도형 ,  정광진

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명에 의한 멀티 챔버 시스템은 얼라인 챔버에서 웨이퍼 별로 인식이 이루어지고 반응챔버가 정해지며 웨이퍼 가공이 실시된다. 웨이퍼 인식은 웨이퍼 인식 시스템에 의해 이루어지고 웨이퍼 가공 반응챔버의 선정은 상기 웨이퍼 인식 시스템과 연결된 반응챔버의 시스템 컨트롤러에 의해 이루어진다. 또한, 이러한 일련의 과정에서 발생되는 데이터는 웨이퍼별로 데이터가 관리된다. 따라서 가공 공정중 어느 웨이퍼가 어느 반응챔버에서 가공되었는가를 정확히 알 수 있다. 이를 바탕으로 장애가 발생된 반응챔버에서 웨이퍼가 계속 가공되는 것을 방지하여 불필요한 작업공수가 증가되는 것을 방지할 수 있고 반도체장치의 신뢰성 및 생산성도 증가시킬 수 있다.