公开(公告)号：CN107094371A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201580067666.1

申请日：2015-12-28

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 伯·范德伯格 ,  爱德华·艾伊斯勒

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/1475 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J37/1478 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31701

Abstract: 离子注入系统(110)使用质量分析器(126)来进行质量分析和角度校正。离子源沿束路径产生离子束(124)。质量分析器放置在离子源的下游，所述质量分析器对离子束执行质量分析和角度校正。位于孔径组件(133)内的分辨孔径(134)位于质量分析器部件的下游并位于束路径上。分辨孔径具有根据所选择的质量分辨率以及离子束的束包络的尺寸和形状。角度测量系统(156)位于分辨孔径的下游并获得离子束的入射角值。控制系统(154)根据来自角度测量系统的离子束的入射角值导出针对质量分析器的磁场调整。

公开(公告)号：CN105474357A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480045728.4

申请日：2014-06-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·布雷克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C14/22 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32477 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/0473 ,  H01J2237/0475 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/1207 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种例如是离子植入系统、沉积系统和蚀刻系统的基板处理系统，其具有粗糙化硅衬垫。硅衬垫是用可以产生细部特征的化学加工来粗糙化，像是微角锥，其高度可以小于二十微米。这些微角锥已经比一般在石墨衬垫中常见的粗糙化特征更小，尽管事实如此，粗糙化的硅能够保留沉积的镀膜且避免剥落。一种在这些基板处理系统上执行预防性保养的方法也被提出。

公开(公告)号：CN104952681A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510104494.2

申请日：2015-03-10

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 八木田贵典

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/147 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/057

Abstract: 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的最终能量过滤器(400)具备入口侧单透镜(304)、中间电极部(401)及出口侧单透镜(308)。最终能量过滤器(400)具备FEF电源部(414)，该FEF电源部构成为分别单独向入口侧单透镜(304)、中间电极部(401)及出口侧单透镜(308)施加电压。FEF电源部(414)分别向上游辅助电极部(402)、偏转电极部(306)及下游辅助电极部(404)施加电压，以使上游辅助电极部(402)与偏转电极部(306)之间的第1区域中的离子束的能量范围和偏转电极部(306)与下游辅助电极部(404)之间的第2区域中的离子束的能量范围成为相同程度。

公开(公告)号：CN103151233A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210514925.9

申请日：2012-12-05

Applicant: FEI公司

Inventor： A.格劳佩拉 ,  C.奥迪斯

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/305 ,  H01J27/16 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/049 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及结合具有可选择离子的聚焦离子束柱使用的感应耦合等离子体离子源。在等离子体腔中具有多种气体的感应耦合等离子体源向聚焦的柱提供多个离子种类。滤质器允许选择特定离子种类以及在各个种类之间快速地改变。

公开(公告)号：CN103094053A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210442536.X

申请日：2012-11-08

Applicant: FEI公司

Inventor： N.W.帕克 ,  W.休斯

IPC: H01J49/46 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/1534

Abstract: 多元件静电西肯能量滤波器，其中向双极元件添加静电四极和六极激励。按照本发明的具有能够产生孔口处的线焦点的双极、四极和六极元件的组合的带电粒子能量滤波器降低空间电荷效应和孔口损坏。一个优选实施例允许滤波器充当共轭消隐系统。能量滤波器能够使能量扩展变窄，以便产生较小射束。

公开(公告)号：CN102203914B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980143988.4

申请日：2009-11-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 ,  詹姆士·S·贝福 ,  法兰克·辛克莱 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/30 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。

公开(公告)号：CN102804328A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。

公开(公告)号：CN102124538A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980123989.2

申请日：2009-06-23

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 佐藤秀 ,  曼尼·谢拉兹基 ,  爱德华·艾伊斯勒

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明公开一种离子束一致性控制系统，其中，该一致性控制系统系包含：差动泵送室，其围绕单独的控制的气体喷射器的阵列，其中，单独控制的气体喷射的气体压力由控制器所驱动以改变电荷交换离子的比率，且于气体与离子之间的电荷交换反应改变了具有一宽离子束的原始电荷状态的离子的比率，其中，宽离子束的电荷交换部分系利用其产生磁场的一偏转器而移除；法拉第杯轮廓仪，用于测量宽离子束轮廓；且，基于提供至控制器的反馈而调整单独控制的气体喷射以得到期望的宽离子束。

公开(公告)号：CN101103432B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580046588.3

申请日：2005-11-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安东尼·雷诺 ,  唐纳·L·史麦特雷克 ,  詹姆士·贝福 ,  艾立克·赫尔曼森

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J37/026 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H05H7/08

Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。

公开(公告)号：CN101257944A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200580048222.X

申请日：2005-12-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 肯尼思·H·珀泽 ,  诺曼·L·特纳

IPC: A61N5/00 ,  G21G5/00

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/0042 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057

Abstract: 现代半导体集成电路的制造往往要求涉及大电流低能量带电搀杂剂原子的注入步骤。当使用这样的射束时，添加用于中和空间电荷的影响的电子或负离子对于获得成功往往是有决定性意义的。在没有这种补充的情况下，离子束会“爆炸”，导致强度的损失和束聚焦的破坏。在本公开中，提供用于引入低能量电子和负离子并将其约束在磁场偏转区域内的带状束边界内的方法。描述了用于基于减少电子丢失、等离子体桥接和二次电子产生的来保持中和状态的设备。作为向偏转区域的等离子体引入的一部分，新颖的低温抽运设备选择性地从等离子体流中去除中性原子。