公开(公告)号：KR1020060079958A

公开(公告)日：2006-07-07

申请号：KR1020050000381

申请日：2005-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 타카시노구치 ,  후아샹잉 ,  정지심 ,  선우문욱 ,  권장연 ,  노용한 ,  정석원 ,  정성훈

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 개시된 실리콘 박막트랜지스터는: 기판에 형성되는 실리콘 채널과; 상기 실리콘 채널 위에 형성되는 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 위에 마련되는 게이트를; 구비하고, 상기 게이트 절연층은 HfOx
박막을 포함하는 구조를 가진다. 이러한 박막트랜지스터는 낮은 전류누설특성을 가진다.
다결정, 실리콘, 게이트 절연층, HfOx, HfO2

公开(公告)号：KR1020060008521A

公开(公告)日：2006-01-27

申请号：KR1020040056815

申请日：2004-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  타카시노구치 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/31

Abstract: 양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조제조방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은:
게이트 위에 게이트 절연물질층과 비정질 실리콘층을 ICP-CVD(Incuctively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition )에 의해 연속 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘을 열처리하여 다결정 실리콘을 형성하는 단계;를 포함한다.
본 발명은 하나의 챔버 내에서 게이트 절연층과 실리콘층이 연속 증착되기 때문에 게이트 절연층과 실리콘 층간의 계면 특성의 악화를 방지할 수 있다.
다결정, 바텀, 게이트, TFT

公开(公告)号：KR1020050110738A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：KR1020040035548

申请日：2004-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성진 ,  신승주 ,  권계시 ,  권장연 ,  문일권

IPC: G03G15/04

CPC classification number: G03G15/32 ,  G03G15/75 ,  G03G2217/0075 ,  G03G15/04045 ,  G03G15/0126 ,  G03G15/11 ,  G03G15/751

Abstract: 개시된 화상형성장치는, 그 표면에 정전잠상을 형성하기 위한 정전잠상 형성매체와, 정전잠상에 토너를 공급하여 정전잠상을 토너 화상으로 현상하는 토너공급유닛과, 토너 화상을 인쇄매체에 전사하는 전사유닛을 구비한다. 상기 정전잠상 형성매체는, 프레임 부재와; 프레임 부재의 표면에 적층되며 다수의 박막 트렌지스터를 가진 박막 트랜지스터 어레이와; 박막 트랜지스터 어레이 위에 형성된 공통 전극과, 공통 전극 위에 적층된 유전체막과, 유전체막의 표면에 하나의 화소에 대응하여 하나씩 배열되며 다수의 박막 트랜지스터 각각의 드레인에 전기적으로 연결되는 다수의 화소 전극을 포함하는 커패시터층;을 구비한다. 상기 다수의 박막 트랜지스터를 통해 다수의 화소 전극 각각에 선택적으로 전하를 인가하거나 화소 전극의 전하를 선택적으로 소거하면, 정전잠상 형성매체의 표면에는 그 주변 영역의 전위와는 다른 전위를 가진 정전잠상이 형성된다.

Abstract translation: 提供一种图像形成装置。 图像形成装置包括在其上形成静电潜像的静电潜像形成介质，向静电潜像供应调色剂并将静电潜像显影成调色剂图像的调色剂供给单元，以及将调色剂图像转印到 打印介质。 静电潜像形成介质包括框架110，层叠在框架110的表面上的薄膜晶体管（TFT）阵列120，并且包括多个TFT 122a，122b以及包括公共电极132的电容器层130 TFT阵列120，堆叠在公共电极132上的电介质层134和分别对应于像素的多个像素电极136，布置在电介质层134的表面上，分别连接到TFT 122a，122b的漏极 。 当电荷经由TFT 122a，122b选择性地施加到像素电极136时，或者当通过TFT 122a，122b选择性地去除像素电极136的电荷时，具有不同于其电位的电位的静电潜像 周围区域形成在静电潜像形成介质的表面上。

公开(公告)号：KR1020050073855A

公开(公告)日：2005-07-18

申请号：KR1020040001962

申请日：2004-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  타카시노구치 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H01L51/0097 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 플렉셔블 디스플레이에 관한 것이다. 플라스틱 기판을 사용하는 플렉셔블 디스플레이에 있어서, 플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판 상에 형성된 보호층;을 포함시킴으로써, 플라스틱 기판을 보호하고, 폴리 실리콘층의 형성을 위한 열처리 공정을 충분히 행할 수 있으며, 보호층에 의한 레이져 광의 반사 또는 흡수를 통하여 보다 우수한 표면 및 성질을 지닌 폴리 실리콘층을 형성시킴으로써 결과적으로 플렉셔블 디스플레이의 성능 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다.