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公开(公告)号：KR1020070010711A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050065508
申请日：2005-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H3/007
CPC classification number: H01L23/10 , H01F17/0006 , H01F27/027 , H01L23/49838 , H01L23/645 , H01L2924/16152
Abstract: A packaging chip having an inductor is provided to reduce a chip size and improve a Q value by implementing an inductor with a sealing material which is used in packaging and is stacked widely on an edge of a substrate. A packaging chip having an inductor includes a substrate(100), a port(120), a sealing unit(130), and a packaging substrate(160). A predetermined circuit element is mounted on the substrate(100). A port(120) is formed on an upper surface of the substrate(100). The sealing unit(130) is electrically connected to an end of the circuit element and the port(120) on the substrate(100). The packaging substrate(160) is contacted with the substrate(100) through the sealing unit(130), and packages the circuit element. The sealing unit(130) is made of a conductive material and has an inductance of a predetermined amplitude. The port(120) includes a signal port and a ground port.
Abstract translation: 提供了一种具有电感器的封装芯片，通过使用封装材料的电感器实现电感，从而减小了芯片尺寸并提高了Q值，并将其广泛堆叠在基板的边缘上。 具有电感器的封装芯片包括基板（100），端口（120），密封单元（130）和封装基板（160）。 预定电路元件安装在基板（100）上。 在基板（100）的上表面上形成有端口（120）。 密封单元（130）电连接到电路元件的端部和基板（100）上的端口（120）。 包装衬底（160）通过密封单元（130）与衬底（100）接触，并封装电路元件。 密封单元（130）由导电材料制成并且具有预定振幅的电感。 端口（120）包括信号端口和接地端口。
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公开(公告)号：KR100661350B1
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：KR1020040112699
申请日：2004-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00269
Abstract: 본 발명에 의한 MEMS 소자 패키지는, MEMS 활성소자가 상면에 형성되어 있는 소자용 기판; MEMS 활성소자가 위치하는 공간 및 MEMS 활성소자의 전기적 경로를 제공하는 것으로, MEMS 활성소자의 양측에 배치되며, 제 1 패드 및 제 2 패드가 일정간격을 두고 대향된 구조의 내부전극패드; 내부전극패드의 외곽에 배치되는 실링패드; 실링패드를 통하여 소자용 기판과 결합되며, 내부전극패드의 간격이 위치하는 부분에 비아홀이 형성된 덮개용 기판; 일단이 내부전극패드와 접촉하도록 비아홀의 내측면에 형성된 연결부재; 및 연결부재의 타단과 접촉하도록 덮개용 기판의 상면에 형성된 외부전극패드;를 포함한다.
MEMS, 소자, 패키지, 웨이퍼, 기판, 비아홀, Au, 전극, 실링-
103.发明授权
公开(公告)号：KR100631217B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050068486
申请日：2005-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An integrated filter comprising an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) and a SAW(Surface Acoustic Wave) resonator and a method for fabricating the same are provided to reduce the size and to improve the yield by integrating the FBAR and the SAW resonator into one substrate. An integrated filter comprising an FBAR and an SAW resonator comprises a substrate(110), a first electrode(120), a first piezoelectric layer(130), a second electrode(150), a second piezoelectric layer(140) and an inter digital transducer(IDT) electrode. The first electrode(120) is located at a predetermined first area of the top surface of the substrate(110). The first piezoelectric layer(130) is located on the first electrode(120). The second electrode(150) is located on the first piezoelectric layer(130). The second piezoelectric layer(140) is located at a predetermined second area of the top surface of the substrate(110). The IDT electrode is located on the second piezoelectric layer(140). The IDT electrode includes a first IDT electrode(160) with a comb structure and a second IDT electrode(170) with the comb structure engaged with the first IDT electrode(160).
Abstract translation: 提供包括FBAR（薄膜体声波谐振器）和SAW（表面声波）谐振器的集成滤波器及其制造方法，以通过将FBAR和SAW谐振器集成到一个基底中来减小尺寸并提高产量 。 包括FBAR和SAW谐振器的集成滤波器包括基板（110），第一电极（120），第一压电层（130），第二电极（150），第二压电层（140）和内部数字 换能器（IDT）电极。 第一电极（120）位于基板（110）的顶表面的预定第一区域处。 第一压电层（130）位于第一电极（120）上。 第二电极（150）位于第一压电层（130）上。 第二压电层（140）位于基板（110）的顶表面的预定第二区域处。 IDT电极位于第二压电层（140）上。 IDT电极包括具有梳状结构的第一IDT电极（160）和梳状结构与第一IDT电极（160）接合的第二IDT电极（170）。
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公开(公告)号：KR100631216B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020040034969
申请日：2004-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/02 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 에어갭 형 박막벌크음향공진기가 개시된다. 본 에어갭 형 박막벌크음향공진기는 상부 표면의 소정영역에 공동부가 형성된 기판, 제1전극, 압전물질, 및 제2전극이 차례로 적층된 구조로 상기 공동 상부에 형성된 공진부, 및 상기 기판 하부를 관통하여 상기 공동부로 연결된 적어도 하나의 비아홀을 포함한다. 본 에어갭 형 박막벌크음향공진기는 공진특성이 종래에 비해 향상되며, 에어갭 형성 과정에서 공진부의 손상이 최소화될 수 있다.
FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator), 압전막, 비아홀, 에어갭-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100542557B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020030063389
申请日：2003-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H2003/021
Abstract: 본 발명에 따른 박막 공진기는, 기판의 상면에 적층되는 멤브레인층과, 멤브레인층의 상면 일부에 적층되는 하부 전극층과, 하부 전극층의 상부에 적층되는 압전체층과, 압전체층의 상면에 적층되는 상부 전극층 및 하부 전극층과 상기 멤브레인층의 사이에 형성되며, 소정 질량을 가지는 질량부하층을 포함한다. 이에 의하면, 박막 공진기의 공진주파수를 정밀하게 조절할 수 있어, 보다 정밀한 필터를 제공할 수 있게 된다.
필터, 박막 공진기, 압전체, 질량부하층, 멤브레인층-
公开(公告)号：KR1020050109870A
公开(公告)日：2005-11-22
申请号：KR1020040034969
申请日：2004-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/02 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: An air-gap type thin-film bulk acoustic resonator has a substrate having a cavity formed on a predetermined portion of an upper surface thereof; a resonance part having a structure of a first electrode, a piezoelectric substance, and a second electrode deposited in order and formed over the upper side of the cavity; and at least one via hole penetrating a lower surface of the substrate and connecting to the cavity.
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公开(公告)号：KR1020050034052A
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：KR1020030069838
申请日：2003-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49135 , Y10T29/49155
Abstract: 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 본 발명에 의한 박막 벌크 음향 공진기는, 기판과, 기판 상에 증착된 보호층과, 기판 상부 표면과 일정 거리 이격되도록 보호층에 증착된 멤브레인층과, 멤브레인층의 상부에 위치하는 적층공진부를 포함한다. 또한, 개시된 본 발명에 의한 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법은, 기판 상에 멤브레인층을 증착하는 단계와, 멤브레인층의 양측으로 보호층을 형성하는 단계와, 멤브레인층 상부에 적층공진부를 증착하는 단계와, 보호층 사이에 위치하는 기판의 일부를 제거하여 에어갭을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 의하면, 스트레스가 없고 단순한 멤브레인층의 형성이 가능하며, 전체적인 제조공정이 간단해지는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020050026659A
公开(公告)日：2005-03-15
申请号：KR1020030063389
申请日：2003-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H2003/021
Abstract: A thin film resonator, a method for manufacturing the thin film resonator, and a filter with the thin film resonator are provided to improve accuracy of a resonant frequency adjustment by employing a mass load layer. A membrane layer(210) is layered on an upper surface of a substrate. A lower electrode layer(220) is layered on a part of an upper surface of the membrane layer(210). A piezoelectric layer(230) is formed on an upper portion of the lower electrode layer(220). An upper electrode layer(240) is layered on an upper surface of the piezoelectric layer(230). A mass load layer(250) is formed between the lower electrode layer(220) and the membrane layer(210) and has a predetermined thickness. Upper and lower surfaces of the lower electrode layer(220) are surrounded by the membrane layer(210).
Abstract translation: 提供薄膜谐振器，制造薄膜谐振器的方法和具有薄膜谐振器的滤波器，以通过采用质量负载层来提高谐振频率调节的精度。 膜层（210）层叠在基板的上表面上。 下部电极层（220）层叠在膜层（210）的上表面的一部分上。 在下部电极层（220）的上部形成压电体层（230）。 在压电层（230）的上表面层叠上电极层（240）。 质量负荷层（250）形成在下电极层（220）和膜层（210）之间并具有预定的厚度。 下电极层（220）的上表面和下表面被膜层（210）包围。
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公开(公告)号：KR1020050006996A
公开(公告)日：2005-01-17
申请号：KR1020030046997
申请日：2003-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/24
Abstract: PURPOSE: A film bulk acoustic resonator fabricated by using a LOCOS process and a method for manufacturing the same are provided to easily manufacture the FBAR of an air gap structure with an excellent and stable effective bandwidth. CONSTITUTION: A film bulk acoustic resonator fabricated by using a LOCOS process includes a substrate(100), a pair of poly silicon oxide layers(140a,140b), a membrane layer(130) and a stacked resonator(200). The insulation layer is deposited on the top surface of the substrate. The poly silicon oxide layers are deposited on both sides of the insulation layer except a predetermined portion. The membrane layer is positioned between the poly silicon oxide layers with interval from the top surface of the insulation layer by a predetermined distance. And, the stacked resonator is positioned on top of the membrane layer.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用LOCOS工艺制造的薄膜体声波谐振器及其制造方法，以容易地制造具有优异且稳定的有效带宽的气隙结构的FBAR。 构成：通过使用LOCOS工艺制造的薄膜体声波谐振器包括衬底（100），一对多晶硅层（140a，140b），膜层（130）和层叠谐振器（200）。 绝缘层沉积在基板的顶表面上。 除了预定部分之外，多晶硅氧化物层沉积在绝缘层的两侧。 膜层位于多个氧化硅层之间，间隔距离绝缘层的顶表面一预定距离。 并且，堆叠的谐振器位于膜层的顶部。
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