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101.发明授权
公开(公告)号：KR101372991B1
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120013472
申请日：2012-02-09
Applicant: 전자부품연구원
IPC: D06M11/44 , D06M13/224 , D06M13/325 , B82Y40/00 , D06C7/00
Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO) 나노와이어에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 직물을 마련하는 단계, 상기 직물의 표면에 촉매층을 형성하는 단계, 상기 촉매층이 형성된 직물을 성장 용액에 침수시켜 ZnO 나노와이어를 성장시키는 단계, ZnO 나노와이어가 성장된 직물을 세정 및 건조시키는 단계를 포함하는 ZnO 나노와이어를 이용한 기능성 직물 소재 제조 방법과 이를 지원하기 위한 시스템 및 이를 통해 제조된 기능성 직물 소재의 구성을 개시한다.
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公开(公告)号：KR101328483B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120049475
申请日：2012-05-10
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A transparent electrode thin film with a metal mesh structure and a method for the same are disclosed. The transparent electrode thin film according to the present invention comprises a metal mesh part on a base board and a first conductive thin film to be arranged between the base board and the metal mesh part.
Abstract translation: 公开了一种具有金属网状结构的透明电极薄膜及其制造方法。 根据本发明的透明电极薄膜包括在基板上的金属网部分和布置在基板和金属网部分之间的第一导电薄膜。
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公开(公告)号：KR101325939B1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：KR1020110108531
申请日：2011-10-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B05C5/00 , H01L21/027 , B05C11/00
Abstract: 반도체, 디스플레이, PCB, 태양전지 등 미세한 패턴이 필요한 분야에서 마이크로미터 크기의 액적을 기판 위에 토출하여 미세한 패턴을 직접 형성하는데 사용되는 정전식 액적 토출 장치 및 그 토출 장치에 사용되는 정액적 토출용 노즐을 제조하는 방법이 개시된다. 방법은 a) 기판의 후면 상에 제 1 DFR(Dry Film Resist)를 접착하는 단계; b) 노즐용 구멍 형성 위치에 대응하는 위치에 후면 윈도우를 형성하기 위해 상기 제 1 DFR을 패터닝하는 단계; c) 단계 b)에 의한 후면 윈도우 DFR 패턴을 마스크로 상기 기판의 후면을 가공하여 상기 노즐용 구멍의 일부를 형성하는 단계; d) 상기 기판의 전면 상에 제 2 DFR를 접착하는 단계; e) 상기 노즐용 구멍 형성 위치에 대응하는 위치에 전면 윈도우를 형성하기 위해 상기 제 2 DFR을 패터닝하는 단계; f) 단계 e)에 의한 전면 윈도우 DFR 패턴을 마스크로 상기 기판의 전면을 가공하여 상기 노즐용 구멍을 완성하는 단계; g) 상기 기판의 전면 상에 제 3 DFR를 접착하는 단계; h) 노즐 외경 형성을 위해 상기 제 3 DFR을 패터닝하는 단계; i) 단계 h)에 의한 노즐 외경 DFR 패턴을 마스크로 상기 기판의 전면을 가공하여 상기 노즐 외경을 형성하는 단계; 및 j) 상기 기판 전면 및 후면의 DFR 패턴들을 제거하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101315054B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020120013473
申请日：2012-02-09
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO) 나노와이어에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기판을 마련하는 단계, 상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계, 상기 촉매층 상에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 성장 단계, 상기 ZnO 나노와이어 상에 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계를 포함하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법과 이 방법에 의하여 표면 처리된 구조물의 구성을 개시한다.
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公开(公告)号：KR1020130092034A
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020120013473
申请日：2012-02-09
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A surface processing method based on a zinc oxide nanowire is provided to maintain the proper water contact angle of a substrate structure for a long time by coating the structure with a Teflon solution on the zinc oxide nanowire through a hydrothermal synthesis method. CONSTITUTION: A surface processing method based on a zinc oxide nanowire comprises the following steps: preparing a substrate; forming a catalyst layer on the substrate; growing the zinc oxide nanowire on the catalyst layer; and forming a coating layer on the zinc oxide nanowire. The growing step comprises the following steps: preparing a growing solution with a molar ratio of polyethylenimine of 0.03 M, ammonium chloride of 0.09 M, and a molar ratio of zinc nitrate hexahydrate of 0.015 M, and hexamethylenetetramine of 0.015 M; dipping the substrate with the catalyst layer inside the growing solution; and growing the zinc oxide nanowire using a hydrothermal synthesis method. A coating layer formation step comprises the following steps: mixing two solutions with a ratio of Teflon AF 160 and FC 50 of 1:5 and 1:10; and coating the mixture on the zinc oxide nanowire using a spin coater method. [Reference numerals] (101) Step of preparing a substrate; (103) Step of forming a catalyst layer by using liquid catalyst; (105) Step of growing ZnO nanowire; (107) Step of washing; (109) Step of coating; (111) Step of heat-treating
Abstract translation: 目的：提供一种基于氧化锌纳米线的表面处理方法，通过水热合成法将氧化锌纳米线上的特氟纶溶液涂覆结构，长时间保持基体结构的适当水接触角。 构成：基于氧化锌纳米线的表面处理方法包括以下步骤：制备基板; 在基板上形成催化剂层; 在催化剂层上生长氧化锌纳米线; 并在氧化锌纳米线上形成涂层。 生长步骤包括以下步骤：制备0.03M聚乙烯亚胺摩尔比为0.09M，硝酸锌六水合物摩尔比为0.015M，六亚甲基四胺为0.015M的生长溶液; 将衬底与催化剂层浸入生长溶液内; 并使用水热合成法生长氧化锌纳米线。 涂层形成步骤包括以下步骤：将特氟隆AF 160和FC 50的比例为1:5和1:10的两种溶液混合; 并使用旋涂机将该混合物涂布在氧化锌纳米线上。 （附图标记）（101）准备基板的工序; （103）使用液体催化剂形成催化剂层的工序; （105）生长ZnO纳米线的步骤; （107）洗涤步骤 （109）涂布步骤 （111）热处理工序
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Patent Agency Ranking106.发明授权
公开(公告)号：KR101291147B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020100128728
申请日：2010-12-15
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어(ZnO nanowire)의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어 부재에 관한 것으로, 노광 공정 없이 촉매층 위에 금속 마스크층을 형성하여 성장되는 산화아연 나노와이어의 밀도를 조절하여 산화아연 나노와이어의 길이 및 직경을 개선 및 제어하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 산화아연 소재의 촉매층이 형성된다. 촉매층 위에 열처리를 통하여 복수의 성장 구멍을 갖는 금속 마스크층이 형성된다. 그리고 복수의 성장 구멍에 노출된 촉매층 부분을 기반으로 복수의 산화아연 나노와이어를 성장시킨다. 이때 금속 마스크층의 소재는 저융점 금속으로서, 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중에 하나가 사용될 수 있다. 이러한 금속 마스크층은 촉매층 위에 코팅된 금속 나노파티클 소재의 코팅층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다. 또는 금속 마스크층은 촉매층 위에 5 내지 20nm 두께로 형성된 금속층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130034735A
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020110098763
申请日：2011-09-29
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A capacitive droplet discharging device of a slit structure is provided to improve mass production by obtaining a multi-nozzle by arranging a plurality of nozzles and to discharge droplets accurately and stably. CONSTITUTION: A capacitive droplet discharging device(100) of a slit structure comprises a first body(110) and a second body(120). The first body discharges ink to a substrate. The second body receives the ink and supplies the ink to the first body by being joined to the first body. The first body is formed into a hexahedron form including first and second faces. The first body includes; a first ink flowing slot which is formed by being extended from the first face to a part of the second face; and a second ink flowing slot which is formed to be inserted from a third face parallel to the first face to a first face side.
Abstract translation: 目的：提供一种狭缝结构的电容式液滴喷射装置，通过设置多个喷嘴并精确稳定地喷射液滴获得多喷嘴来提高批量生产。 构成：狭缝结构的电容式液滴喷射装置（100）包括第一主体（110）和第二主体（120）。 第一主体将墨水排出到基板。 第二主体接收墨水并通过接合到第一主体将墨水供应到第一主体。 第一体形成包括第一和第二面的六面体形式。 第一个身体包括; 第一墨水流动槽，其从第一面延伸到第二面的一部分; 以及第二墨水流动槽，其形成为从与第一面平行的第三面插入到第一面侧。
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公开(公告)号：KR101145665B1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：KR1020090129482
申请日：2009-12-23
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01L9/0042 , H04R19/016
Abstract: 본 발명은 플렉서블 기판을 이용한 압력센서 및 이를 이용한 5.1 채널 마이크로폰 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센싱부인 실리콘 나노와이어가 중앙부에 형성되어 있는 제 1 기판; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 제 1 기판 상에 형성된 전극층; 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 상기 전극층을 노출시키는 구조로 코팅되어 있는 멤브레인 막; 상기 멤브레인 막 상에 형성되고, 상기 전극층 및 센싱부에 대응되는 부분은 사진식각공정을 통해 제거된 플렉서블 기판; 및 상기 중앙 센싱부의 멤브레인 막이 드러날 때까지 마모된 제 1 기판 하부에 형성되고, 상기 센싱부에 진공 또는 기준압력을 위한 캐비티 형성을 위해 부착된 캡을 포함하는 플렉서블 기판을 이용한 압력센서 및 이를 이용한 5.1채널 마이크로폰의 제조방법에 관한 것이다.
압력센서, 멤브레인, 5.1채널, 마이크로폰-
公开(公告)号：KR1020110131394A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100050812
申请日：2010-05-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A system for growing large area zinc oxide nano-wires is provided to grow zinc oxide nano-wires electrode devices of uniform densities, lengths, and diameters based on a circulated double-jacket type bath. CONSTITUTION: A system(10) for growing large area zinc oxide nano-wires includes a zinc oxide growing bath(100) and a circulated double-jacket type bath(200). A substrate holder is arranged in the zinc oxide growing bath, and a growing solution is introduced into the zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath surrounds the zinc oxide growing bath and uniformly applies heat to the entire zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath includes oil and a heat insulating material. The oil transfers heat to the entire zinc oxide growing bath using a water bath mode. The heat insulating material is arranged at the external side of the bath.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生长大面积氧化锌纳米线的系统，用于生长基于循环双层套管的均匀密度，长度和直径的氧化锌纳米线电极器件。 构成：用于生长大面积氧化锌纳米线的系统（10）包括氧化锌生长浴（100）和循环双层套管（200）。 在氧化锌生长槽中设置衬底保持器，并且将生长溶液引入氧化锌生长浴中。 循环的双层套管围绕氧化锌生长浴，并对整个氧化锌生长浴均匀地加热。 循环的双层套管包括油和绝热材料。 油使用水浴模式将热量传递到整个氧化锌生长槽。 绝热材料布置在浴槽的外侧。
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公开(公告)号：KR1020110076695A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090133454
申请日：2009-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A silicon thin film solar cell device by electroless plating, and a manufacturing method thereof are provided to reduce the manufacturing cost for the solar cell device by using an electroless plating process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a silicon thin film solar cell device by electroless plating comprises the following steps: forming an amorphous silicon layer(200) having the amorphous property on a substrate(110) for the photoelectric conversion; forming a metal catalyst layer on the amorphous silicon layer using an electroless plating process; and forming a polycrystalline silicon layer by heat-processing the amorphous silicon layer including the metal catalyst layer.
Abstract translation: 目的：通过无电镀处理硅薄膜太阳能电池器件及其制造方法，通过使用化学镀处理来降低太阳能电池器件的制造成本。 构成：通过无电解电镀制造硅薄膜太阳能电池器件的方法包括以下步骤：在用于光电转换的衬底（110）上形成具有非晶性的非晶硅层（200）; 使用化学镀方法在所述非晶硅层上形成金属催化剂层; 以及通过对包括金属催化剂层的非晶硅层进行热处理而形成多晶硅层。
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