Abstract:
본 발명은 투과형 진단 키트 및 이것을 포함하는 리더기에 대한 것으로, 더욱 구체적으로는 지지체의 일면에 샘플패드와 신호검출패드가 구비된 진단스트립; 및 상기 진단스트립을 수용하고 상기 신호검출패드에 대응하는 윈도우를 양측에 가지는 진단키트케이스;를 포함하고, 상기 지지체 또는 상기 신호검출패드에 대응하는 지지체 영역의 전체 또는 일부는 투명한 것을 특징으로 함으로서, 종래의 이미지 센서와 같이 촛점을 맞출 필요가 없이, 타겟 물질의 농도에 따른 투과도를 측정하는 것만으로 낮은 농도의 타겟 물질 양까지 정량적으로 계산해 낼 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 공기 중의 생체물질 분석 방법 및 장치에 대한 것으로, 특히 공기 중에 포함된 부유물질을 이온화시키고, 상기 이온화된 부유물질을 전극에 흡착시킨 다음, 상기 전극으로부터 생체물질을 추출하여 분석하는 것이다. 이러한 본 발명은 공기 중에 포함된 부유물질을 용이하게 포집할 수 있고, 공기를 정화하는 것과 함께 상기 공기 안에 포함된 생체물질의 종류나 양을 간단하고 용이하게 확인할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
바이오 센서소자 제조방법 및 이를 이용한 바이오 센서 소자 및 당 검출방법을 제공된다. 본 바이오 센서소자 제조방법에 따르면, 메탈로이드 폴리머 나노복합물 상에 친수성 분자막을 고정화시키고, 산화 그래핀의 공유결합을 유도하여 화합물을 생성하며, 화합물 상에 포도당 산화 효소를 수식(修飾, modification)하여 바이오 센서 소자를 제조할 수 있게 되어, 혈당 검출의 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A gallium nitride-based nanowire LED(light emitting diode) device array and a fabricating method thereof are provided to increase a surface-to-volume ratio using nanowire LED elements formed by laminating a gallium nitride based nanowire LED on silicon nanowires. CONSTITUTION: A nanowire light emitting layer(110) includes an n-GaN layer, an active layer, and a p-GaN layer. A gallium nitride based nanowire LED element includes an N-electrode(120) on the n-GaN layer, and a P-electrode(130) on the p-GaN layer. The N-electrode is formed on an n-type semiconductor layer of a nanowire LED element array. The P-electrode is formed on a p-type semiconductor layer of the nanowire LED element array. The gallium nitride based nanowire LED element is mounted on a substrate(140).
Abstract:
본 발명은 실리콘 나노와이어 바이오 센서 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 제 1 실리콘 기판의 중앙부에 실리콘 나노와이어를 제작하는 제 1 단계와, 제 2 실리콘 기판에 마이크로 유체채널을 형성하는 제 2 단계와, 상기 제 1 실리콘 기판의 상기 실리콘 나노와이어가 형성된 일측과 상기 제 2 실리콘 기판의 마이크로 유체채널이 형성된 일측을 본딩하는 제 3 단계와, 상기 제 1 실리콘 기판에 전극을 형성하는 제 4 단계와, 상기 제 1 실리콘 기판에 형성된 두 전극 사이에 상기 실리콘 나노와이어만 남도록 제 1 실리콘 기판의 일부를 식각하는 제 5 단계와, 본딩된 상기 마이크로 유체채널이 형성된 상기 제 2 실리콘 기판의 하부에 홀을 뚫어 유체의 유입을 위한 제 1 호스 연결부 및 유출을 위한 제 2 호스 연결부를 형성하는 제 6 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a silicon nano wire bio sensor is provided to collect a silicon nano wire and a micro fluid channel on a substrate at the same time, thereby reducing a size of a silicon nano wire bio sensor and simplifying a packaging process. CONSTITUTION: A method for manufacturing a silicon nano wire bio sensor is as follows. Silicon nano wires(190) are manufactured in a central part of a first silicon substrate(110). A micro fluid channel is formed on a second silicon substrate(120). One side of the first silicon substrate where the silicon nano wire is formed and one side of the second silicon substrate where the micro fluid channel is formed are bonded. An electrode is formed in the first silicon substrate. A part of the first silicon substrate is etched so that only the silicon nano wire is left between the electrodes formed in the first silicon substrate. A hole is formed in the lower part of the bonded second silicon substrate where the micro fluid channel is formed so that a first hose connection unit for a fluid inflow and a second hose connection unit for a fluid discharge.
Abstract:
PURPOSE: An interface circuit for a multi-element gas sensor is provided to reduce power consumption and improve dynamic range property of a gas sensor. CONSTITUTION: A sensor array comprises N sensors. A selecting unit electrically connects one or the N sensors to one of N resistors according to a selection signal. One end of a first resistor(Rb) electrically connects to the N resistors. A second resistance(Ra) electrically connects the other end of the first resistor to the N sensors.
Abstract:
PURPOSE: A transistor formed on the flexible substrate and manufacturing method thereof are provided to obtain the performance of the mono crystal substrate transistor in the flexible substrate. CONSTITUTION: The transistor(240) is formed on the SOI(Silicon-On-Insulator) substrate(200) consisting of silicon layer(210), and the oxide layer(220) and single crystal silicon layer(230). The flexible substrate(250) is formed in the SOI top of the substrate in which transistor is formed. The silicon layer lower part of the SOI substrate is etched to expose the oxide layer. The silicon layer remaining in the edge of the SOI substrate backside, and the oxide layer and single crystal silicon layer are removed. The flexible substrate is formed in the oxide layer exposed to the etched SOI substrate backside. The dicing is performed on the flexible substrate.
Abstract:
A gas sensor and manufacturing method thereof is provided to hold a sensitive film effectively by forming an adhesive layer on top of an insulation layer, and then forming a sensitivity film and a sensitivity electrode pattern on top of adhesive layer. A gas sensor comprises a substrate(100), a membrane(110) formed on the top of the substrate; a heating electrode pattern(120) formed on top of the membrane; an insulating layer(130) which is formed on the top of the membrane while wrapping the heating electrode pattern; an adhesive layer(160) formed on top of a sensing electrode pattern(140) formed on the top of the adhesive layer; Some part of the membrane region is exposed due to removal of some part of the lower part of the substrate.