투과형 진단 키트 및 이것을 포함하는 리더기
    101.
    发明公开
    투과형 진단 키트 및 이것을 포함하는 리더기 无效
    透光诊断套件和读写器具有相同的功能

    公开(公告)号:KR1020150020804A

    公开(公告)日:2015-02-27

    申请号:KR1020130097707

    申请日:2013-08-19

    Abstract: 본 발명은 투과형 진단 키트 및 이것을 포함하는 리더기에 대한 것으로, 더욱 구체적으로는 지지체의 일면에 샘플패드와 신호검출패드가 구비된 진단스트립; 및 상기 진단스트립을 수용하고 상기 신호검출패드에 대응하는 윈도우를 양측에 가지는 진단키트케이스;를 포함하고, 상기 지지체 또는 상기 신호검출패드에 대응하는 지지체 영역의 전체 또는 일부는 투명한 것을 특징으로 함으로서, 종래의 이미지 센서와 같이 촛점을 맞출 필요가 없이, 타겟 물질의 농도에 따른 투과도를 측정하는 것만으로 낮은 농도의 타겟 물질 양까지 정량적으로 계산해 낼 수 있는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种渗透性诊断试剂盒及其读取装置。 可渗透诊断套件包括:诊断条,其中样本垫和信号检测垫被包括在支撑体的一个表面上; 以及容纳诊断条的诊断套件盒,并且具有与其两侧的信号检测垫对应的窗口。 对应于信号检测垫的支撑体或支撑体的一部分或整体是透明的。 因此,只要通过根据目标材料的浓度测量导磁率,而不需像现有的图像传感器那样聚焦,则渗透性诊断试剂盒可以定量地计算低浓度的目标材料的量。

    공기 중의 생체물질 분석 방법 및 장치
    102.
    发明公开
    공기 중의 생체물질 분석 방법 및 장치 有权
    用于分析空气中生物材料的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020140139746A

    公开(公告)日:2014-12-08

    申请号:KR1020130060163

    申请日:2013-05-28

    Abstract: 본 발명은 공기 중의 생체물질 분석 방법 및 장치에 대한 것으로, 특히 공기 중에 포함된 부유물질을 이온화시키고, 상기 이온화된 부유물질을 전극에 흡착시킨 다음, 상기 전극으로부터 생체물질을 추출하여 분석하는 것이다. 이러한 본 발명은 공기 중에 포함된 부유물질을 용이하게 포집할 수 있고, 공기를 정화하는 것과 함께 상기 공기 안에 포함된 생체물질의 종류나 양을 간단하고 용이하게 확인할 수 있는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及用于分析空气中的生物材料的方法和装置。 更具体地说,用于分析浮在空气中的空气电离物质中的生物材料的方法和装置,将电离的浮质吸附到电极上,并从电极中提取和分析生物材料。 用于分析空气中的生物材料的方法和装置可以容易地收集包括在空气中的漂浮物质,可以净化空气,并且可以容易且简单地检查包括在空气中的生物材料的类型或数量。

    질화갈륨계 나노와이어 LED 소자 어레이 및 그의 제조방법
    105.
    发明授权
    질화갈륨계 나노와이어 LED 소자 어레이 및 그의 제조방법 失效
    基于氮化镓的纳米发光二极管装置阵列及其制造方法

    公开(公告)号:KR101264159B1

    公开(公告)日:2013-05-14

    申请号:KR1020110128869

    申请日:2011-12-05

    Abstract: PURPOSE: A gallium nitride-based nanowire LED(light emitting diode) device array and a fabricating method thereof are provided to increase a surface-to-volume ratio using nanowire LED elements formed by laminating a gallium nitride based nanowire LED on silicon nanowires. CONSTITUTION: A nanowire light emitting layer(110) includes an n-GaN layer, an active layer, and a p-GaN layer. A gallium nitride based nanowire LED element includes an N-electrode(120) on the n-GaN layer, and a P-electrode(130) on the p-GaN layer. The N-electrode is formed on an n-type semiconductor layer of a nanowire LED element array. The P-electrode is formed on a p-type semiconductor layer of the nanowire LED element array. The gallium nitride based nanowire LED element is mounted on a substrate(140).

    Abstract translation: 目的:提供一种氮化镓基纳米线LED(发光二极管)器件阵列及其制造方法,以通过在氮化硅纳米线上层叠氮化镓基纳米线LED而形成的纳米线LED元件来增加表面体积比。 构成:纳米线发光层(110)包括n-GaN层,有源层和p-GaN层。 氮化镓基纳米线LED元件包括n-GaN层上的N电极(120)和p-GaN层上的P电极(130)。 N电极形成在纳米线LED元件阵列的n型半导体层上。 P电极形成在纳米线LED元件阵列的p型半导体层上。 氮化镓基纳米线LED元件安装在基板(140)上。

    실리콘 나노와이어 바이오 센서 제조방법
    106.
    发明授权
    실리콘 나노와이어 바이오 센서 제조방법 失效
    使用纳米线装置的生物传感器的处理方法

    公开(公告)号:KR101220285B1

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:KR1020110018290

    申请日:2011-03-02

    Abstract: 본 발명은 실리콘 나노와이어 바이오 센서 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 제 1 실리콘 기판의 중앙부에 실리콘 나노와이어를 제작하는 제 1 단계와, 제 2 실리콘 기판에 마이크로 유체채널을 형성하는 제 2 단계와, 상기 제 1 실리콘 기판의 상기 실리콘 나노와이어가 형성된 일측과 상기 제 2 실리콘 기판의 마이크로 유체채널이 형성된 일측을 본딩하는 제 3 단계와, 상기 제 1 실리콘 기판에 전극을 형성하는 제 4 단계와, 상기 제 1 실리콘 기판에 형성된 두 전극 사이에 상기 실리콘 나노와이어만 남도록 제 1 실리콘 기판의 일부를 식각하는 제 5 단계와, 본딩된 상기 마이크로 유체채널이 형성된 상기 제 2 실리콘 기판의 하부에 홀을 뚫어 유체의 유입을 위한 제 1 호스 연결부 및 유출을 위한 제 2 호스 연결부를 형성하는 제 6 단계를 포함한다.

    실리콘 나노와이어 바이오 센서 제조방법
    107.
    发明公开
    실리콘 나노와이어 바이오 센서 제조방법 失效
    使用纳米线设备的生物传感器的处理方法

    公开(公告)号:KR1020120099834A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:KR1020110018290

    申请日:2011-03-02

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon nano wire bio sensor is provided to collect a silicon nano wire and a micro fluid channel on a substrate at the same time, thereby reducing a size of a silicon nano wire bio sensor and simplifying a packaging process. CONSTITUTION: A method for manufacturing a silicon nano wire bio sensor is as follows. Silicon nano wires(190) are manufactured in a central part of a first silicon substrate(110). A micro fluid channel is formed on a second silicon substrate(120). One side of the first silicon substrate where the silicon nano wire is formed and one side of the second silicon substrate where the micro fluid channel is formed are bonded. An electrode is formed in the first silicon substrate. A part of the first silicon substrate is etched so that only the silicon nano wire is left between the electrodes formed in the first silicon substrate. A hole is formed in the lower part of the bonded second silicon substrate where the micro fluid channel is formed so that a first hose connection unit for a fluid inflow and a second hose connection unit for a fluid discharge.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造硅纳米线生物传感器的方法,以在同时在衬底上收集硅纳米线和微流体通道,从而减小硅纳米线生物传感器的尺寸并简化包装过程。 构成:制造硅纳米线生物传感器的方法如下。 硅纳米线(190)制造在第一硅衬底(110)的中心部分。 微流体通道形成在第二硅衬底(120)上。 结合形成硅纳米线的第一硅衬底的一侧和形成有微流体通道的第二硅衬底的一侧。 在第一硅衬底中形成电极。 蚀刻第一硅衬底的一部分,使得仅在第一硅衬底中形成的电极之间留下硅纳米线。 在接合的第二硅基板的下部形成有形成微流体通道的孔,从而形成用于流体流入的第一软管连接单元和用于流体排放的第二软管连接单元。

    다종의 센서 어레이용 신호 처리 회로
    108.
    发明公开
    다종의 센서 어레이용 신호 처리 회로 失效
    多元气体传感器的接口电路

    公开(公告)号:KR1020100076723A

    公开(公告)日:2010-07-06

    申请号:KR1020080134857

    申请日:2008-12-26

    Abstract: PURPOSE: An interface circuit for a multi-element gas sensor is provided to reduce power consumption and improve dynamic range property of a gas sensor. CONSTITUTION: A sensor array comprises N sensors. A selecting unit electrically connects one or the N sensors to one of N resistors according to a selection signal. One end of a first resistor(Rb) electrically connects to the N resistors. A second resistance(Ra) electrically connects the other end of the first resistor to the N sensors.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于多元件气体传感器的接口电路,以降低功耗并提高气体传感器的动态范围性能。 构成:传感器阵列包括N个传感器。 选择单元根据选择信号将一个或N个传感器电连接到N个电阻中的一个。 第一电阻器(Rb)的一端电连接到N个电阻器。 第二电阻(Ra)将第一电阻器的另一端电连接到N个传感器。

    플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터 및 제조 방법
    109.
    发明公开
    플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터 및 제조 방법 失效
    柔性基板上形成的晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090124429A

    公开(公告)日:2009-12-03

    申请号:KR1020080050649

    申请日:2008-05-30

    Abstract: PURPOSE: A transistor formed on the flexible substrate and manufacturing method thereof are provided to obtain the performance of the mono crystal substrate transistor in the flexible substrate. CONSTITUTION: The transistor(240) is formed on the SOI(Silicon-On-Insulator) substrate(200) consisting of silicon layer(210), and the oxide layer(220) and single crystal silicon layer(230). The flexible substrate(250) is formed in the SOI top of the substrate in which transistor is formed. The silicon layer lower part of the SOI substrate is etched to expose the oxide layer. The silicon layer remaining in the edge of the SOI substrate backside, and the oxide layer and single crystal silicon layer are removed. The flexible substrate is formed in the oxide layer exposed to the etched SOI substrate backside. The dicing is performed on the flexible substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种形成在柔性基板上的晶体管及其制造方法,以获得柔性基板中单晶衬底晶体管的性能。 构成:晶体管(240)形成在由硅层(210)和氧化物层(220)和单晶硅层(230)组成的SOI(绝缘体上硅)衬底(200)上。 柔性衬底(250)形成在其中形成晶体管的衬底的SOI顶部中。 蚀刻SOI衬底的硅层下部以暴露氧化物层。 残留在SOI衬底背面边缘的硅层和氧化物层和单晶硅层被去除。 柔性基板形成在暴露于蚀刻SOI衬底背面的氧化物层中。 在柔性基板上进行切割。

    가스 센서 및 그의 제조 방법
    110.
    发明公开
    가스 센서 및 그의 제조 방법 失效
    气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090002424A

    公开(公告)日:2009-01-09

    申请号:KR1020070064215

    申请日:2007-06-28

    Abstract: A gas sensor and manufacturing method thereof is provided to hold a sensitive film effectively by forming an adhesive layer on top of an insulation layer, and then forming a sensitivity film and a sensitivity electrode pattern on top of adhesive layer. A gas sensor comprises a substrate(100), a membrane(110) formed on the top of the substrate; a heating electrode pattern(120) formed on top of the membrane; an insulating layer(130) which is formed on the top of the membrane while wrapping the heating electrode pattern; an adhesive layer(160) formed on top of a sensing electrode pattern(140) formed on the top of the adhesive layer; Some part of the membrane region is exposed due to removal of some part of the lower part of the substrate.

    Abstract translation: 提供一种气体传感器及其制造方法,通过在绝缘层的顶部形成粘合剂层,然后在粘合剂层的顶部上形成感光膜和感光电极图案,来有效地保持敏感膜。 气体传感器包括基板(100),形成在基板的顶部上的膜(110) 形成在所述膜的顶部上的加热电极图案(120) 绝缘层(130),其在包裹所述加热电极图案的同时形成在所述膜的顶部; 形成在形成在所述粘合剂层的顶部上的感测电极图案(140)的顶部上的粘合剂层(160) 膜区域的一部分由于去除衬底的下部的一部分而被暴露。

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