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公开(公告)号：KR100199019B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960062351
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/16
Abstract: 본 발명은 마이크로파 통신 시스템에서 사용되는 핵심부품인 다채널 멀티플랙서의 한 부분으로 마이크로스트립 분기선 방식의 3dB 하이브리드 결합기와 평행결합선 방식의 2극 대역통과필터를 집적시킨 고온초전도 서브시스템에서, 본 발명은 마이크로스트립 방식의 고온초전도 마이크로파 듀플렉서는 고온초전도 YBCO/MgO 에피택셜 박막과 미세 형상화 공정을 통하여 구현 하였으며, 출력포트에서의 필터 신호는 11GHz 중심주파수를 가졌다. 한편, 4포트형 3성분 시험치구에 제조한 고온초전도 듀풀렉서를 내장시키고 저온 마이크로파 특성의 측정을 위한 기판 앞 뒷면에는 전자선 증발기로 이중 금속 전극 및 접지 평판을 증착하였다. 따라서 고온초전도 듀플렉서는 Au/Ti/YBCO/MgO/Ti/Ag 구조를 갖게 된다. 이러한 고온초전도 듀플렉서는 사용하는 무선 및 마이크로파 통신 부품을 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고 마이크로스트립선 방식의 서브시스템이므로 제조도 간단하고 경량이며, PLD와같은 장비에서 가장 적합한 설계이다. 그리고 이 설계는 고온초전도 MMIC의 발달을 촉진할 것으로 기대된다.
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公开(公告)号：KR100171021B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950054534
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H9/00
Abstract: 본 발명은 RF 및 마이크로파 통신시스템이나 통신기기에 사용되는 멀티플렉서, 믹서등의 핵심부품을 구성하는 핵심소자이면서도 기본소자인 특정주파수대역에서만 정보를 통과시키게 하는 X-밴드용 섭동준고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터에 관한 것으로, RF 및 마이크로파 특성이 우수한 MaO 단결정 기판과 상기 단결정 기판 상부의 한쪽 모서리에 형성한 신호 전송용 입출력단(gold pad 포함)과 상기 단결정 기판 상부의 상기 입출력단과 마이크로스트립 결합선 사이에 신호의 전송에너지를 제어하거나 필터링하는 섭동준 고리형 공진기 2개와 마이크로스트립 결합선을 집적시킨 고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터의 회로패턴과, 상기 단결정 기판의 하부에 증착시킨 접지평면용의 금속박막을 포함하여 구성되어 고리형 고온� �전도 이중모드 대역통과 필터의 극수를 5-극으로 하고, 회로패턴의 크기는 기판의 크기를 고려하여 15㎜×15㎜내로 하여, 마이크로파 특성은 통과대역에서의 맥류진폭도 매우 작안 평평도가 우수하고, 저지대역까지의 가파르기인 스커트 특성도 우수하다.
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公开(公告)号：KR100146556B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950017176
申请日：1995-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H7/00
Abstract: 본 발명은 마이크로스트립 평행결합선 방식의 고온초전도 6-극 대역 통과 필터에 관한 것으로서, 마이크로파 특성이 우수한 단결정기판과, 상기 단결정기판 상부의 일측에 형성된 신호 전송용 입력단과, 상기 단결정기판 상부의 상기 신호 전송용 입력단의 타측에 형성된 출력단과, 상기 단결정기판 상부에 입력단 및 출력단과 연결되도록 형성된 ㄱ자형 또는 ㄴ자형의 정합망과, 상기 단결정 기판 상부의 정합망 사이에 있는 마이크로스트립 평행결합선의 갯수에 의해 극수가 결정되는 평행결합선 방식으로 형성된 6-극 필터 패턴과, 상기 단결정 기판 하부에 형성된 Ti/Ag 접지평면을 포함한다.
따라서, 통과대역의 손실 특성을 저하시키지 않으면서 저지대역까지의 스커트 특성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980044284A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062351
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/16
Abstract: 본 발명은 마이크로파 통신 시스템에서 사용되는 핵심부품인 다채널 멀티플렉서의 한 부분으로 마이크로스트립 분기선 방식의 3dB 하이브리드 결합기와 평행결합선 방식의 2극 대역통과필터를 집적시킨 고온초전도 서브시스템에서, 본 발명은 마이크로스트립 방식의 고온초전도 마이크로파 듀플렉서는 고온초전도 YBCO/MgO 에피택셜 박막과 미세 형상화 공정을 통하여 구현하였으며, 출력포트에서의 필터신호는 11GHz 중심주파수를 가졌다. 한편, 4포트형 3성분 시험치구에 제조한 고온초전도 듀플렉서를 내장시키고 저온 마이크로파 특성의 측정을 위한 기판 앞 뒷면에는 전자선 증발기로 이중 금속 전극 및 접지 평판을 증탁하였다. 따라서 고온초전도 듀플렉서는 Au/Ti/YBCO/MgO/Ti/Ag 구조를 갖게 된다. 이러한 고온초전도 듀플렉서는 사용하는 무선 및 마이크로파 통신부품을 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고 마이크로스트립선 방식의 서브시스템이므로 제조도 간단하고 경량이며, PLD와 같은 장비에서 가장 적합한 설계이다. 그리고 이 설계는 고온초전도 MMIC의 발달을 촉진할 것으로 기대된다.
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公开(公告)号：KR100125327B1
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019930026301
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A fabrication method of planar superconductor five poles low pass filter is provided to improve accuracy of patterns and SN(signal-to-noise) ratio in the range of microwave band. The method comprises the steps of: forming a superconductor film(1) on LaAlO3 substrate(2) using PLD(pulse laser deposition) method; spin-coating a photoresist film on the superconductor film(1) and hard baking; milling the photoresist film and the superconductor film(1) using ECR(electron cyclotron resonance); removing an Ag-paste formed in rear of the substrate(2) and polishing; and forming an input/output terminals(3) in the rear surface of the substrate. Thereby, it is possible to improve accuracy of circuit pattern.
Abstract translation: 提供了平面超导体五极低通滤波器的制造方法，以提高微波频带范围内的图案精度和SN（信噪比）比。 该方法包括以下步骤：使用PLD（脉冲激光沉积）方法在LaAlO 3衬底（2）上形成超导膜（1）; 在超导薄膜（1）上旋涂光致抗蚀剂薄膜并进行硬烘烤; 使用ECR（电子回旋共振）研磨光致抗蚀剂膜和超导膜（1）; 去除形成在基板（2）后面的Ag糊料并进行抛光; 以及在所述基板的后表面中形成输入/输出端子（3）。 由此，能够提高电路图案的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970054313A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052640
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/18
Abstract: 본 발명은 RF 및 마이크로파 통신시스템이나 통신기기에 사용되는 멀티플렉서, 믹서등의 핵심부품을 구성하는 핵심소자이면서도 기본소자인 특정주파수대역에서만 정보를 통과시키게 하는 마이크로파용 섭동준 원반형 고온초전도 이중모드 5－극 대역통과 필터에 관한 것으로, RF 및 마이크로파 특성이 우수한 MaO 단결정 기판과 상기 단결정 기판 상부의 한쪽 모서리에 형성한 신호 전송용 입출력단(gold pad 포함)과 상기 단결정 기판 상부의 상기 입출력단과 마치크로스트립 결합선 사이에 신호의 전송에너지를 제어하거나 필터링하는 섭동준 원반형 공진기 2개와 마이크로스트립 결합선을 집적시킨 원반형 고온초전도 이중모그 5－극 대역통과 필터의 회로패턴과, 상기 단결정 기판의 하부에 증착시킨 접지평면용의 금속박막을 포함하여 구성되어 원반 형 고온초전도 이중모드 대역통과 필터의 극수를 5－극으로 하고, 회로패턴의 크기는 기판의 크기를 고려하여 15㎜×15㎜내로 하여, 마이크로파 특성은 통과대역에서의 맥류진폭도 매우 작아 평면도가 우수하고, 저지대역까지의 가파르기인 스커트 특성도 우수하다.
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公开(公告)号：KR1019970006617B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930027343
申请日：1993-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: There are provided a controlling method of a surface particle density for improving evenness of surface of YBa2Cu3O7-x thin film and a controlling method of pulse laser deposition YBa2Cu3O7-x high temperature thin film by using noncontinuous circulation target. The method is characterized in that continuous process which repeats the unit process making an incidence of pulse laser is performed in a uniform incidence with a still state after circulating a target in a certain angle without continuously circulating sintered body target(1).
Abstract translation: 提供了一种用于改善YBa2Cu3O7-x薄膜表面的均匀度的表面颗粒密度的控制方法以及通过使用非连续循环目标的脉冲激光沉积YBa2Cu3O7-x高温薄膜的控制方法。 该方法的特征在于，在不连续循环烧结体靶（1）的情况下，在以一定角度循环靶之后，以均匀的入射状态，以静止状态进行重复进行脉冲激光入射的单位处理的连续处理。
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公开(公告)号：KR1019970008636A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950020207
申请日：1995-07-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 마이크로파 통신시스템에 사용되는 핵심부품인 멀티플렉서나 믹서등을 구성하는 핵심소자인 3-dB 하이브리드 결합기(copler) 일종으로, 마이크로스트립 분기선 방식의 矩形(사각형) 構造를 갖는 마이크로 파용 4-포트 수동소자이다.
본 발명인 직각 하이브리드 결합기는 3-dB 이상의 우수한 결합특성이 10GHz 근방에서 발휘되게끔 설계하였고, 고온초전도 YBCO/MgO 에피택셜 박막을 미세형상화(패터닝)함으로서 제조하였다.
이어서 기판 뒷면에는 집저평면용 Ti(10nm)/Ag(2㎛)을 증착하여 YBCO/MgO/Ti/Ag구조를 갖게 하였다.
그리고 4개의 K-커넥트(4-포트)를 가지는 3-성분 시험치구에 내장시켜 저온 마이크로파 특성을 측정하였다.
이러한 고온초전도 커플러를 핵심소자로 사용하는 무선 및 마이크로파 통신부품은 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고 마이크로스 트립선 방식의 서브시스템이므로 제조가 간단하고 경량이다.
그리고 고운초전도체의 우수한 마이크로파 특성을 이용한 하이브리드 결합기이므로 結合度가 뛰어나고, 마이크로파 손실특성도 매우 양호하였다.-
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公开(公告)号：KR1019960027042A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940033887
申请日：1994-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P7/00
Abstract: 한정된 전파자원을 효율적으로 활용하기 위해서는 매우 우수한 특성의 마이크로웨이브 부품개발이 요구되는바, 여기에 높은 양호도를 발휘할 수 있는 무손실 무저항의 고온초전도체의 응용은 마이크로웨이브 부품의 특성 향상애 매우 유리하다.
본 발명은 고온초전도 박막을 이용하여 마이크로웨이브 대역에서 사용할 수 있는 새로운 개념을 갖는 섭동된 이중모드 원판형 공진기의 설계 및 제작에 관한 것이며 고온초전도 에피택셜박막과 시뮬레이션으로 구한 최적 회로패턴을 전사시킨 전자선 마시크를 이용한 포토리소그래픽 공정과 식각공정을 통해, YBa
2 Cu
3 O
7-8 /MgO/Ti(또는 Cr)/Ag 구조의 섭동된 고온초전도 이중모드 원판형 공진기를 제작한다.
본 발명의 소자는 기존의 금속박막형 고주파 수동소자보다 성능이 우수하다.
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