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公开(公告)号：KR100198463B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960055703
申请日：1996-11-20
IPC: G02B6/35
Abstract: 본 발명은 광신호를 임의의 횟수만큼 반복하여 지연할 수 있는 광신호 버퍼 구조에 관한 것으로서, 종래 광신호 지연 버퍼가 갖고 있는 구조적인 복잡성 혹은 광신호 지연횟수의 증가에 따른 신호대 잡음 특성 감소현상을 해결하기 위하여 반도체 광증폭기로 구성된 마하젠더(Mach-Zehnder) 간섭계 및 1:2 광스위치를 이용하여 구조가 간단하면서도 광신호 지연회수의 임의 반복이 가능하며, 광신호 지연횟수의 증가에 대해서도 신호대 잡음 특성 감소가 적은 광신호 지연버퍼 구조를 제공하여 상기 마하젠더 간섭계가 갖는 특징을 이용하여 1:2 광스위치와, 광증폭기 및 광섬유 지연선을 마하젠더 간섭계와 함께 이용하는 것을 특징으로 하며, 광섬유 지연선을 통하여 지연된 광신호를 마하젠더 간섭계의 입력신호로 궤환함으로써 광증폭기에 의하여 신호대 � ��음 특성이 저하 되더라도 마하젠더 간섭계에서 다시 신호대 잡음 특성을 개선하여 주므로 신호대 잡음 특성의 저하가 없거나 무시할 수 있게 되어 N번의 반복 시간 지연을 하더라도 원래의 광신호에 비하여 신호대 잡음 특성 저하가 적은 장점을 지니고 있다.
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公开(公告)号：KR100198427B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960052614
申请日：1996-11-07
IPC: H04B10/29 , H04B10/2581
Abstract: 본 발명은 파장분할 다중(Wavelength Division Multiplexing, WDM) 광통신에서 여러개(M)의 파장과 여러(N)개의 입력단자를 갖는 M×N개의 광신호를 서로 충돌없이 목적지로 전송할 수 있도록 하는 광신호 교환장치에 관한 것으로서, 종래 광통신에서 광신호를 상호 교환하는 경우 광신호를 전기 신호로 바꾼 다음 전기적으로 신호를 스위칭 하고 이 신호를 다시 광신호로 바꾸어서 목적지까지 전송하는 시스템은 전기적 스위칭 속도가 느리기 때문에 초고속 광통신 신호의 경우 신호자체를 느린 여러개의 신호로 풀고 이를 스위칭한 후 다시 압축하여야 하는 등 전자교환기의 부피가 커지게 되고 사실상 쓸모없게 되는 문제점이 발생하므로 상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 광교환 장치는 입력광을 파장별로 분해하는 광파장분해부와 각각의 광파장 분해부에� � 분리된 광신호중 같은 파장만 입력되도록 하고 N개의 스위칭 입력단자를 갖는 N×N 공간 광스위치부와, 스위칭된 광신호를 파장별로 모은 다음 필요한 파장으로 변환하고 다시 분해해주는 파장변환분배부와, 그 뒤에 연결된 같은 파장만 입력되는 N개의 스위칭 입력단자를 갖는 N×N 공간 광스위칭부 및 광파장결합기로 구성되어 N×M개의 광신호를 교환할 수 있는 것을 특징으로 하며, 광신호들을 충돌없이 교환할 수 있도록 고안된 새로운 개념으로 전자교환기로는 불가능한 광신호의 교환을 위해 상기와 같은 개념을 쓰면 광신호의 상호 충돌없이도 광교환을 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100169834B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019950048740
申请日：1995-12-12
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 이중 산화방식의 유독가스 스크러버에 관한 것이다.
본 발명의 유독가스 스크러버는 스크러버 캐비넷 내에, 공기, 질소 및 수소의 가스 압력을 조절하기 위한 복수개의 가스압력 조절기와 유량조절을 위한 복수개의 유량조절기 및 밸브로 이루어진 가스압력 및 유량 조절수단과, 반도체 제조공정에서 배출되어 공정가스 라인을 통해 유입된 유독성 공정가스를 흡착제거시키고, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의행 유량이 조절되어 유입된 공기 및 질소를 사용하여 탈착이 이루어지는 활성탄 저장용기로 구성되어 유독성 가스를 1차 산화시키기 위한 제1산화수단과, 일단은 상기한 제1산화수단과 직렬로 연결되고 타단은 열 배기관과 연결되며, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의해 유량이 조절되어 유입된 공기 및 수소를 사용하여 점화연소시키는 연소기로 구성되어 상기한 제1산화수단을 거쳐 배출된 유독성 가스를 2차 산화시키기 위한 제2산화수단이 포함되어 구성된다.-
公开(公告)号：KR100175440B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950050531
申请日：1995-12-15
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 캐리오 농도가 1∼5×10
15 cm
-3 로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 광흡수층과, 상기 광흡수층의 상부에 한층 또는 여러 층으로 구성되고, InP와 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×10
15 cm
-3 로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 그레이딩층과, 상기 그레이딩층의 상부에 두께×캐리어농도가 2.5∼3.5×10
12 ㎝
-2 로 조절되게 결정 성장된 제1도전형 InP의 전하층과, 상기 전하층의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×10
15 cm
-3 로 결정 성장된 제1도전형 InP의 증폭층과, 상기 증폭층의 소정 부분에 2차례의 확산에 의해 형성된 제2도전형이 고농도로 도핑된 InP의 제2가드링과, 상기 제2가드링의 사이에 1차례의 � ��산에 의해 제2도전형의 불순물이 상기 제2가드링의 확산 깊를 갖도록 고농도로 도핑되어 형성된 InP의 활성영역과, 상기 증폭층의 상부에 상기 활성 영역의 상부와 접촉되게 형성된 제2도전형전극과, 상기 활성영역 이외의 증폭층의 상부에 형성된 표면보호층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 상기 제2도전형 전극과 대응되게 형성된 무반사막과 상기 반도체 기판 하부 표면의 무반사막이 형성되지 않은 부분에 형성된 제1도전형 전극을 포함한다.
따라서, 제1가드링 보다 제2가드링의 확산 깊이를 더 깊게 하므로 활성영역의 모서리 부분의 전기장 세기가 상대적으로 낮아지게 되어 효과적인 가드링이 가능하며, 또한, 제2가드링의 깊이를 활성 영역의 깊이와 같이 조절 할 수 있어 공정이 매우 쉽고 깊이 조절이 용이하며, 그리고, 제2가드링을 하나만 형성하므로 다이오드의 면적을 줄일 수 있고, 따라서, 다이오드의 커팬시컨스를 줄일 수 있으며, 증폭층 폭을 0.2∼0.3㎛로 할 수 있기 때문에 이득-대역폭의 곱을 100GHZ 이상으로 증가시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100150020B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019940019497
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/24
Abstract: 각종 광소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유를 정렬 및 고정시키는 장치에 관한 본 발명은 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판에 형성된 소정 폭의 광섬유 정렬용 V-홈과, 광소자의 도파로 중심축과 공간적으로 정렬되도록 상기 광섬유 정렬용 V-홈에 설치되고 일측에 절단면을 갖는 광섬유와, 상기 광섬유를 개재하여 상기 실리콘 기판의 주요 표면을 덮도록 실리콘 기판과 플립-칩 본딩되는 실리콘 뚜껑을 구비하며, 상기 실리콘 기판의 광섬유 정렬용 V-홈과 대향되도록 실리콘 뚜껑에 형성된 광섬유 지지용 V-홈; 에폭시의 광섬유 절단면 방향으로의 번짐을 방지하기 위하여, 상기 광섬유 정렬용 V-홈과 수직 방향으로 광섬유 절단면 방향의 실리콘 기판에 형성된 에폭시 번짐 방지용 V-홈; 및 상기 에폭시에 의한 광섬유 고정 효과를 극대화하기 위하여, 상기 광섬유 정렬용 V-홈과 수직 방향으로 광섬유 절단면 반대 방향의 실리콘 기판에 형성된 에폭시 결합력 강화용 V-홈으로 구성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100164087B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950050518
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/12
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판상의 V-홈을 이용한 수동정렬 방법으로 광소자와 광섬유간에 광결합을 이루고자 기판을 제작할 때, V-홈 형성이후의 제반 공정에서 V-홈의 존재로 인해 야기되는 포토레지스트도포의 난이성을 해소하기 위한 드라이필림을 이용한 광결합장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 수동정렬용 기판 제작시 V-홈 형성 이후의 사진전사공정에서 스핀코팅방법으로 포토레지스트를 도포함에 앞서서 기판위에 드라이필림을 1차 라미네이트(laminate)하여 V-홈에 의한 기판표면의 굴곡을 줄임으로써 포토레지스트의 균일한 도포를 가능하게하는 것을 특징으로 하여 수행된다.-
公开(公告)号：KR1019980047765A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066279
申请日：1996-12-16
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing : 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장 선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5~1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5~1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05~0.2㎛로 적층되고 10~20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1~1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2~3㎛로 적층되고 1~5㎛의 폭과 3~10mm의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1~3㎛로 적층된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05~0.3㎛로 적층된 p형 InGaAs 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1~10㎛ 더 넓은 창폭을 갖 도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 이산화규소(SiO
2 )와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다.-
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公开(公告)号：KR1019980037021A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960055703
申请日：1996-11-20
IPC: G02B6/35
Abstract: 본 발명은 광신호를 임의의 횟수만큼 반복하여 지연할 수 있는 광신호 버퍼 구조에 관한 것으로서, 종래 광신호 지연 버퍼가 갖고 있는 구조적인 복잡성 혹은 광신호 지연횟수의 증가에 따른 신호대 잡음 특성 감소현상을 해결하기 위하여 반도체 광증폭기로 구성된 마하젠더(Mach-Zehnder) 간섭계 및 1:2 광스위치를 이용하여 구조가 간단하면서도 광신호 지연회수의 임의 반복이 가능하며, 광신호 지연횟수의 증가에 대해서도 신호대 잡음 특성 감소가 적은 광신호 지연버퍼 구조를 제공하여 상기 마하젠더 간섭계가 갖는 특징을 이용하여 1:2광스위치와, 광증폭기 및 광섬유 지연선을 마하젠더 간섭계와 함께 이용하는 것을 특징으로 하며, 광섬유 지연선을 통하여 지연된 광신호를 마하젠더 간섭계의 입력신호로 궤환함으로써 광증폭기에 의하여 신호대 � �음 특성이 저하 되더라도 마하젠더 간섭계에서 다시 신호대 잡음 특성을 개선하여 주므로 신호대 잡음 특성의 저하가 없거나 무시할 수 있게 되어 N번의 반복 시간 지연을 하더라도 원래의 광신호에 비히여 신호대 잡음 특성 저하가 적은 장점을 지니고 있다.
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公开(公告)号：KR1019980035957A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960054415
申请日：1996-11-15
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 광소자와 광섬유 사이의 광결합 효율울 증대시킬 수 있는 광결합 장치와 그의 제조방법 및 광소자와 광섬유의 광결합방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광결합장치는, 실리콘 기판(11) 상의 일측에 V-홈(12)이 형성되고, 상기한 V-홈(12)에는 상기한 V-홈(12)보다 폭이 좁고 상기한 V-홈(12)보다 폭이 좁고 상기한 V-홈(12)으로부터 소정간격 상향으로 위치하며 광섬유(16)의 정렬시 광섬유(16)가 상하좌우로 움직일 수 있는 중심축으로서의 기능을 수행하는 V-홈(19)이 형성된 피벗 지지부(18)가 돌출 설치되고, 상기한 실리콘 기판(11) 상의 타측에는 상기한 실리콘 기판(11)의 V-홈(12)에 설치된 광섬유(16)의 코어(17)와 일치하도록 사전에 정해진 소정 위치의 플립칩 본딩패드(15) 상에 반도체 레이저(13)가 플립칩 본딩되고, 상기한 광섬유(16)는 능동 정렬방식에 의해 정렬된 후 상기한 실리콘 기판(11)의 V-홈(12)에 고정된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 실리콘 기판 위에 형성된 V-홈과 광소자 플립칩 본딩을 이용한 수동 정렬방식의 광결합장치에 있어서 가장 큰 단점인, 정렬오차에 따른 광결합 효율의 감소문제를 피벗 지지부을 구비한 새로운 구조의 V-홈 실리콘 기판과 V-홈 내에서의 능동 정렬방식을 사용하여 해결함으로써, 최적의 광결합 효율을 얻을 수 있는 효과가 있다.
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