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公开(公告)号：KR100963258B1
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020080026478
申请日：2008-03-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전계 방출 장치에 관한 것으로, 아노드 기판과 캐소드 기판 사이에 금속 게이트 기판을 삽입하여 그 금속 게이트 기판이 전자 방출을 유도하는 게이트 전극의 역할을 하도록 함으로써, 간단한 구조 및 제작 공정에 의해 전계 방출 장치를 구현할 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 서로 전기적으로 분리된 다수 개의 캐소드 전극 상에 유입되는 전류의 양을 조절함으로써 부분적인 휘도의 조절이 가능한 전계 방출 장치를 구현할 수 있는 것을 특징으로 한다.
전계 방출, 로컬 디밍, 금속 게이트 기판-
公开(公告)号：KR1020100062485A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121137
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/30 , H01J1/304 , H01J2201/30 , H01J2201/304
Abstract: PURPOSE: A field emission device with a cathode electrode structure is provided to carry out a stable operation by preventing the occurrence of arc and the emission of an abnormal electric field which result from the accumulation of charges in an insulator between electrodes. CONSTITUTION: A cathode substrate of an insulator faces an anode substrate. A plurality of cathode electrodes(210) is separated from each other on the cathode substrate. An emitter(220) is formed on the cathode electrode. The distance of separation between a plurality of cathode electrodes is equal to or less than a first threshold.
Abstract translation: 目的：提供具有阴极电极结构的场致发射器件，以通过防止电弧的发生和电极之间的绝缘体中的电荷累积产生的异常电场的发生来进行稳定的操作。 构成：绝缘体的阴极基板面向阳极基板。 多个阴极电极（210）在阴极基板上彼此分离。 在阴极上形成发射极（220）。 多个阴极之间的间隔距离等于或小于第一阈值。
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公开(公告)号：KR1020090065264A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132745
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05K13/00
CPC classification number: H05K13/021 , H01L21/6835 , H05K1/0393 , H05K2203/1536
Abstract: A flexible substrate separating device is provided to separate a flexible substrate using a thin thread. A flexible substrate separating device comprises a horizontal unit, a supporting substrate contacting unit, a pulley and its fixture, a solvent applying unit and a wheel. The horizontal unit(203) is connected to the one end of a handle(201) and a supporting substrate in a parallel. The supporting substrate contacting unit(205) is branched into two portions at the other end of the horizontal unit. The distance of the branched portions is farther than the horizontal length of the flexible substrate adhering to the top of the supporting substrate. The end parts of the branched portions are connected to each other by a thin thread. The pulley(211) and its fixture(209) are formed on a bobbin(207), the horizontal unit and supporting substrate contacting unit in order to induce the thin thread drawn from the bobbin to the end part of the supporting substrate contacting unit.
Abstract translation: 提供柔性基板分离装置以使用细线分离柔性基板。 柔性基板分离装置包括水平单元，支撑基板接触单元，滑轮及其固定装置，溶剂施加单元和轮。 水平单元（203）并联连接到手柄（201）的一端和支撑基板。 支撑基板接触单元（205）在水平单元的另一端分支成两部分。 分支部分的距离比粘附在支撑基板顶部的柔性基板的水平长度更远。 分支部分的端部通过细线彼此连接。 滑轮211及其固定装置209形成在水平单元和支撑基板接触单元的线轴（207）上，以便将从线轴引出的细线引导到支撑基板接触单元的端部。
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公开(公告)号：KR1020090026017A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020080026478
申请日：2008-03-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453
Abstract: A field emission device is provided to induce the electron emission of metal gate substrate by inserting the metal gate substrate between the anode substrate and the cathode substrate. A cathode substrate(210) is arranged to be faced with the anode substrate(220). An anode electrode(222) and a fluorescent layer(224) are formed on the anode substrate. A cathode electrode(212) is formed on the cathode substrate. A plurality of electric field emitters(214) are formed on the cathode electrode with an interval. A metal gate substrate(232) is positioned between the anode substrate and the cathode substrate. A plurality of openings(234) are formed in the metal gate substrate. The first spacer(242) is formed between the cathode substrate and the metal gate substrate.
Abstract translation: 提供场致发射器件以通过将金属栅极衬底插入在阳极衬底和阴极衬底之间来诱导金属栅极衬底的电子发射。 阳极基板（210）被布置成面对阳极基板（220）。 在阳极基板上形成阳极电极（222）和荧光层（224）。 在阴极基板上形成阴极电极212。 多个电场发射器（214）以间隔形成在阴极电极上。 金属栅极基板（232）位于阳极基板和阴极基板之间。 在金属栅极基板中形成多个开口（234）。 第一间隔物（242）形成在阴极基板和金属栅极基板之间。
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公开(公告)号：KR100885188B1
公开(公告)日：2009-02-23
申请号：KR1020070053758
申请日：2007-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고전압 펄스를 인가하는 펄스 구동 고전압 전원부 없이 고전압 펄스 구동을 가능하게 하는 전계 방출 장치에 관한 것으로, 본 전계 방출 장치는 전계 에미터를 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극과 서로 평행하게 배치되어 상기 전계 에미터에서 방출된 전자를 가속시키는 제2 전극; 상기 제2 전극에 연결되어 상기 전계 에미터의 전계 방출에 필요한 DC 전압을 상기 제2 전극에 인가하는 고전압 전원부; 및 상기 제1 전극에 연결되어 상기 제2 전극에 DC 전압이 인가된 상태에서 상기 제1 전극에 흐르는 전계 방출 전류를 제어하는 전류 제어부를 포함한다. 이에 따라, DC 전압을 인가하는 고전압 전원부와 전계 방출 전류를 제어하는 전류 제어부를 포함함으로써, 제1 전극으로 인가하는 전류를 제어하여 고전압 펄스 구동을 가능하게 할 수 있다.
전계 방출, 발광, 고전압, 구동, DC 전원, 반도체 스위칭 회로, 펄스 발생기-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100865384B1
公开(公告)日：2008-10-24
申请号：KR1020070018871
申请日：2007-02-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전계 발광 장치에 관한 것으로, 본 전계 발광 장치는 표면에 형성된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극 상에 형성된 형광체를 구비하는 애노드 기판; 상기 애노드 기판과 소정 간격을 두고 대향 배치되며, 상기 애노드 기판을 향해 형성되는 적어도 하나의 캐소드 전극과 상기 각 캐소드 전극 상에 형성되는 전계 에미터를 포함하는 캐소드 기판; 및 일면이 상기 캐소드 기판과 접촉하며, 상기 각 전계 에미터를 둘러싸며 상기 각 전계 에미터를 노출시키기 위해 형성된 복수의 개구를 구비한 게이트 절연체와, 상기 게이트 절연체 상의 상기 각 개구 주위에 상호 전기적으로 절연되도록 형성된 복수의 게이트 전극을 포함하는 게이트 기판을 포함한다. 이에 따라, 복수개의 게이트 전극의 전압 차에 의해 전계 에미터에서 방출된 전자빔 궤적이 시간에 따라 빠르게 변화할 때 잔상 효과에 의해 전자빔 주사 영역을 확장할 수 있으며, 전자빔 산란 효과 및 선 방향 빔 퍼짐 효과로 인해 전자빔 균일도가 높아져 형광체의 발광 균일도를 높일 수 있다.
전계 방출, 백라이트 유닛, 게이트 전극, 캐소드, 애노드, 궤적, 전자빔-
107.发明授权
公开(公告)号：KR100817746B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020060123955
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/42384 , H01L27/1214
Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor of multi-layered structure and an active matrix display device including the same are provided to lessen a leakage current of a TFT device by forming a gate metal layer with an etched corner area. A buffer insulating layer(120) is formed on a plastic substrate(110). A silicon layer is formed on the buffer insulating layer, and then the silicon layer is patterned to form an active layer(130). A gate insulating layer is formed on the active layer, and then plural gate metal layers(150) are deposited on the gate insulating layer. The plural gate metal layers are patterned, and then a corner area of the lowermost gate metal layer formed on the gate insulating is etched.
Abstract translation: 提供一种制造多层结构的薄膜晶体管的方法和包括该薄膜晶体管的有源矩阵显示装置，以通过形成具有蚀刻拐角区域的栅极金属层来减小TFT器件的漏电流。 缓冲绝缘层（120）形成在塑料基板（110）上。 在缓冲绝缘层上形成硅层，然后将硅层图案化以形成有源层（130）。 在有源层上形成栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上沉积多个栅极金属层（150）。 对多个栅极金属层进行图案化，然后蚀刻形成在栅极绝缘体上的最下面的栅极金属层的拐角区域。
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公开(公告)号：KR100591242B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040031508
申请日：2004-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J29/06 , H01J31/127
Abstract: 본 발명은 기판 상부에 행열 어드레싱을 가능하게 하는 띠형의 행열 신호선들과, 상기 행 신호선과 열 신호선에 의해 정의되는 각 픽셀을 구비하되, 상기 각 픽셀은 전계 에미터와 적어도 상기 행열 신호선과 연결된 2개의 단자와 상기 전계 에미터와 연결된 1개의 단자를 가지고 상기 전계 에미터를 제어하는 제어 소자를 구비하는 캐소드부와, 애노드 전극과 상기 애노드 전극과 접속된 형광체를 구비하는 아노드부와, 다수의 관통공을 갖는 금속 메쉬와 상기 금속메쉬의 적어도 일영역에 형성된 유전체막을 구비하는 게이트부를 포함하되, 상기 게이트부는 캐소드부와 아노드부 사이에 배치되어 상기 유전체막이 형성된 면이 캐소드부와 대향되고, 상기 전계 에미터에서 방출된 전자는 상기 관통공을 통해서 상기 형광체에 충돌하는 전계 방출 디스플레이를 제공한다.
전계 방출 디스플레이, 전계 에미터, 금속 메쉬, 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100582544B1
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020030091895
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 전계 방출 소자는, 하부전극과 측방향으로 일정 간극 이격된 하부전극연결선, 하부전극 상에 탄소나노튜브 및 도전성 접착물의 혼합물로 구성되되 도전성 접착물에 의해 하부전극 상에 부착되는 탄소나노튜브로서의 전계방출팁, 및 탄소나노튜브 및 상기 도전성 접착물의 혼합물로 구성되되 하부전극과 하부전극연결선 사이의 간극을 메우는 혼합물 부분으로서의 저항부를 포함하여 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100523840B1
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：KR1020030059401
申请日：2003-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J3/022
Abstract: 본 발명은 전자를 방출하는 전계 에미터를 구비하는 캐소드부, 전자 방출을 유도하는 전계 방출 유도-게이트부 및 상기 방출된 전자를 받는 아노드부를 포함하여 구성된 전계 방출 소자에 있어서, 캐소드부와 전계 방출 유도-게이트부 사이에 게재되어 전자의 방출을 억제하는 기능을 수행하는 전계 방출 억제 게이트부를 더 포함하는 전계 방출 소자를 제공한다.
이를 통해서, 종래 기술에 따른 전계 방출 소자의 문제점인 게이트 누설전류, 아노드 전압에 의한 전자방출, 전자빔 퍼짐 등을 크게 개선할 수 있는 효과가 있다.
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