公开(公告)号：KR1019950021061A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026316

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이수민 ,  염병렬 ,  조덕호 ,  한태현 ,  이성현 ,  권오준

IPC: H01L21/331

Abstract: 본 발명은 실리사이드를 이용한 쌍극자 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 실리콘 쌍극자 트랜지스터 제작시 기생성분인 베이스 전극저항을 줄이기 위하여 본 발명에서 컬렉터인 규소기판(1) 위에 절연막(2)을 형성하고, 그 위에 베이스 단결정박막(3)을 형성하는 공정(a)과, 이 위에 실리사이드 박막(4)을 도포하고, 감광막(5)을 도포하여 에미터-베이스 영역을 형성하는 공정(b)과, 노출된 상기 실리사이드 박막(4)을 습식식각하고 상기 감광막(5)을 제거하는 공정(c,d)과, 상기 실리사이드 박막(4)위에 절연막(6)을 도포하고, 감광막(5)을 이용하여 에미터-베이스를 정의한 후, 절연막(6)을 식각하고 상기 실리사이드 박막(4)을 습식식각하여 베이스 전극을 형성하는 공정(e)을 제공함으로써 제조공정수를 줄여 제조단가를 감소시키며, 응용범위가 넓 은 초고속 소자를 제작할 수가 있다.

公开(公告)号：KR100081808B1

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：KR1019910021084

申请日：1991-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 구진근 ,  한태현 ,  김귀동 ,  구용서 ,  강상원

IPC: H01L21/328

公开(公告)号：KR1019940009362B1

公开(公告)日：1994-10-07

申请号：KR1019910021082

申请日：1991-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김귀동 ,  구진근 ,  한태현 ,  구용서

IPC: H01L29/732

Abstract: The PSA (polysilicon self aligned) bipolar device for increasing the integration ratio and the switching speed includes a collector electrode (20) having a trench structure (20) and isolated by an oxide layer (10) self-aligning a base (52) and the collector electrodes as well as removing the contact capacitance of the collector. An emitter electrode (50) and the base electrodes are formed by the same polycrystal silicon and isolated by an oxide layer (55).

Abstract translation: 用于增加积分比和切换速度的PSA（多晶硅自对准）双极器件包括具有沟槽结构（20）并由氧化层（10）隔离的集电极（20），所述氧化物层（10）将基底（52）和 集电极，以及去除集电极的接触电容。 发射电极（50）和基极由相同的多晶硅形成，并由氧化物层（55）隔离。

公开(公告)号：KR1019930008901B1

公开(公告)日：1993-09-16

申请号：KR1019910012523

申请日：1991-07-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한태현 ,  김귀동 ,  구용서 ,  구진근 ,  김영민

IPC: H01L29/735

Abstract: The method for manufacturing the high speed bipolar device comprises steps: (a) isolating the device by using the trench to reduce the junction capacitance between the collector and substrate; (b) forming the active region of the device and the emitter polycrystal silicon; (c) forming the non-active base region; (d) removing the base polycrystal silicon formed on the emitter polycrystal silicon by using the dual photoresist; (e) oxidizing the exposed base polycrystal silicon; and (f) forming the electrode.

Abstract translation: 制造高速双极型器件的方法包括以下步骤：（a）通过使用沟槽来隔离器件以减小集电极与衬底之间的结电容; （b）形成器件的有源区和发射极多晶硅; （c）形成非活性碱性区域; （d）通过使用双光致抗蚀剂除去在发射极多晶硅上形成的基底多晶硅; （e）氧化暴露的碱性多晶硅; 和（f）形成电极。