公开(公告)号：US06653239B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09682894

申请日：2001-10-30

Applicant: Kyle Lebouitz

Inventor： Kyle Lebouitz

IPC: H01L21306

CPC classification number: G01J5/40 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/023 ,  G01J5/06

Abstract: This invention relates to the construction of microfabricated devices and, in particular, to types of microfabricated devices requiring thermal isolation from the substrates upon which they are built. This invention discloses vertical thermal isolators and methods of fabricating the vertical thermal isolators. Vertical thermal isolators offer an advantage over thermal isolators of the prior art, which were substantially horizontal in nature, in that less wafer real estate is required for the use of the vertical thermal isolators, thereby allowing a greater density per unit area of the microfabricated devices.

公开(公告)号：US20020153486A1

公开(公告)日：2002-10-24

申请号：US10129338

申请日：2002-05-03

Inventor： Tohru Ishizuya ,  Junji Suzuki

IPC: G01J005/00

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  G01J5/40 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14875

Abstract: A thermal displacement element comprises a substrate, and a supported member supported on the substrate. The supported member includes first and second displacement portions, a heat separating portion exhibiting a high thermal resistance and a radiation absorbing portion receiving the radiation and converting it into heat. Each of the first and second displacement portions has at least two layers of different materials having different expansion coefficients and stacked on each other. The first displacement portion is mechanically continuous to the substrate without through the heat separating portion. The radiation absorbing portion and the second displacement portion are mechanically continuous to the substrate through the heat separating portion and the first displacement portion. The second displacement portion is thermally connected to the radiation absorbing portion. A radiation detecting device comprises a thermal displacement element and a displacement reading member fixed to the second displacement portion of the thermal displacement element and used for obtaining a predetermined change corresponding to a displacement in the second displacement portion.

Abstract translation: 热位移元件包括衬底和支撑在衬底上的支撑构件。 被支撑构件包括第一和第二位移部分，表现出高热阻的热分离部分和接收辐射并将其转换成热量的辐射吸收部分。 第一和第二位移部分中的每一个具有至少两层具有不同膨胀系数并且彼此堆叠的不同材料。 第一位移部分在不通过热分离部分的情况下机械地连接到基板。 辐射吸收部分和第二位移部分通过热分离部分和第一位移部分机械地连接到基底。 第二位移部分热连接到辐射吸收部分。 放射线检测装置包括热位移元件和固定到热位移元件的第二位移部分的位移读取构件，用于获得与第二位移部分中的位移相对应的预定变化。

公开(公告)号：US5830372A

公开(公告)日：1998-11-03

申请号：US732885

申请日：1996-10-17

Applicant: Christofer Hierold

Inventor： Christofer Hierold

IPC: H01L27/04 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01F1/684 ,  G01F1/688 ,  G01K7/01 ,  G01P15/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/16 ,  H01L49/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L27/16 ,  B81B3/0081 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/0069 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/6888 ,  G01K7/015 ,  G01P15/0802 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0735

Abstract: Semiconductor component with monolithically integrated electronic circuits and monolithically integrated sensor/actuator, whereby the sensor/actuator is manufactured with methods of surface micromachining in a sensor layer (3) of polysilicon that is structured, for example, with sensor webs (6), and these sensor webs (6) are thermally insulated from a silicon substrate (1) by a cavity (4) that is produced in a sacrificial layer (2) and is closed gas-tight toward the outside with a closure layer (5).

Abstract translation: 具有单片集成电子电路和单片集成传感器/致动器的半导体部件，由此传感器/致动器由例如由传感器网（6）构成的多晶硅传感器层（3）中的表面微加工的方法制造，以及 这些传感器网（6）通过在牺牲层（2）中制造的空腔（4）与硅衬底（1）热绝缘，并且用封闭层（5）朝向外部气密地封闭。

公开(公告)号：TWI518804B

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：TW101104710

申请日：2012-02-14

Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 ,  ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.

Inventor： 吳章文 ,  WU, ZHANG WEN ,  謝哲偉 ,  XIE, ZHE WEI ,  葉武振 ,  YE, WU ZHEN ,  殷宏林 ,  YAN, HONG LIN ,  郗懷威 ,  XI, HUAI WEI

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123

公开(公告)号：TWI546054B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW104108897

申请日：2015-03-20

Applicant: 原相科技股份有限公司 ,  PIXART IMAGING INCORPORATION

Inventor： 孫志銘 ,  SUN, CHIH-MING ,  蔡明翰 ,  TSAI, MING-HAN

IPC: A61B5/04

CPC classification number: G01J5/0265 ,  B81B7/0025 ,  B81B7/0061 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0278 ,  G01J5/0025 ,  G01J5/027 ,  G01J5/04 ,  G01J5/046 ,  G01J5/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16235 ,  H04N5/2256 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP2017524126A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2017502648

申请日：2015-08-20

Applicant: シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド ,  シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド

Inventor： イロン ジン ,  イロン ジン

IPC: G01J1/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0197 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J5/024

Abstract: MEMS二層浮遊微小構造の製作方法であって、基板上に第一膜体と、基板と第一膜体を連結するアーム状梁と、を形成するステップと、第一膜体とアーム状梁上に犠牲層を形成するステップと、第一膜体上に位置する犠牲層をパターン化することにより、支持構造を形成するための凹部を形成し、該凹部の底部に第一膜体を露出させるステップと、犠牲層上に媒体層を堆積形成するステップと、媒体層をパターン化することにより、第二膜体と前記支持構造を形成し、該支持構造で第一膜体と第二膜体を連結するステップと、犠牲層を除去することによりMEMS二層浮遊微小構造を獲得するステップとを含む。

公开(公告)号：JP5723739B2

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：JP2011215901

申请日：2011-09-30

Applicant: 日立オートモティブシステムズ株式会社

Inventor： 大坂 一朗 ,  太田 和典

IPC: G01C19/5783 ,  G01P15/18 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B7/0083 ,  B81C1/00238 ,  G01C19/5783 ,  G01P15/0802 ,  G01P21/00 ,  B81B2201/0278

公开(公告)号：JPWO2011039798A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：JP2011533946

申请日：2009-09-29

Applicant: パイオニア株式会社

Inventor： 前田　孝則 ,  孝則 前田 ,  高博 河野 ,  高博 河野 ,  健二郎 藤本 ,  健二郎 藤本 ,  尾上　篤 ,  篤 尾上

IPC: H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  G01J1/02 ,  G01L5/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01J5/02 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/019 ,  G01J5/024

Abstract: メンブレンを、強度を維持しつつ薄く形成することができるMEMSセンサおよびこれを備えたセンサアレイを提供する。支持部2を介してリリースされた多角形のメンブレン3を備え、メンブレン3は、放射状に延在する複数のリブ部6aから成る補強リブ部6と、隣接する2つのリブ部6a,6a間にそれぞれ架設され、2つのリブ部6a,6aを2辺として多角形に形成された複数の分割メンブレン7と、を有しているものである。

公开(公告)号：JP4888908B2

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：JP2007269786

申请日：2007-10-17

Applicant: 株式会社神戸製鋼所

Inventor： 貴之 平野

IPC: H01L37/00 ,  G01F1/692 ,  G01J1/02 ,  G01K7/18 ,  G01N27/04 ,  H01L21/316

CPC classification number: G01F1/692 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  G01F1/6845 ,  G01J5/02 ,  G01J5/024

公开(公告)号：JP2006084469A

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：JP2005267223

申请日：2005-09-14

Applicant: Robert Bosch Gmbh ,  ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： WEBER HERIBERT

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01D21/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0315

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micromachining-type component having an inlet opening with a minimum diameter for introducing an etching medium to a silicon substrate 1.
SOLUTION: This component comprises the silicon substrate 1, a hollow chamber 8 provided in the silicon substrate 1, and a diaphragm provided on the surface of the silicon substrate 1 to close the hollow chamber 8. The diaphragm has a silicon oxide layer 5 having the opening 7' formed by mutually opposed wedge-like tips 5a and 5b of silicon oxide, and the diaphragm has at least one closing layer 9 for closing the opening 7'.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种微加工型部件，其具有用于将蚀刻介质引入硅基板1的具有最小直径的入口开口。解决方案：该部件包括硅基板1，中空室 设置在硅衬底1中的隔膜8以及设置在硅衬底1的表面以封闭中空室8的隔膜。隔膜具有氧化硅层5，其具有由相互相对的楔形尖端5a形成的开口7' 5b，并且隔膜具有用于封闭开口7'的至少一个封闭层9。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI