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公开(公告)号：CN101511722A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033563.9
申请日：2007-07-23
Applicant: IDC公司
Inventor： 马尼什·科塔里 , 杰弗里·B·桑普塞尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00579 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132
Abstract: 本文提供用于在MEMS装置的制造期间防止表面关联电荷的形成和累积以及与其相关联的有害效应的方法。在一些实施例中，本文提供的方法包含在存在离子化气体的情况下蚀刻牺牲材料，其中所述离子化气体中和在所述蚀刻过程期间产生的带电物质，且允许将带电物质与其它蚀刻副产物一起移除。还揭示通过本发明的方法形成的微机电装置和并入有此类装置的视觉显示装置。
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公开(公告)号：CN100474519C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN02826975.6
申请日：2002-11-08
Inventor： 肖恩·J·坎宁安 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
IPC: H01L21/302 , H01L21/4763 , H01P1/10 , H01H57/00 , H02B1/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。
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公开(公告)号：CN100440420C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200380107421.4
申请日：2003-10-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 比什努·戈戈伊
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/0109 , B81C2201/0177
Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。根据该方法，其上布置有牺牲层(103)并在牺牲层(103)上布置有薄的单晶半导体层(105)的半导体衬底(101)被提供。然后贯穿半导体层(105)并进入牺牲层(103)的开口(107)被形成。然后半导体层(105)外延生长至合适的器件厚度，从而获得器件层。半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口(107)上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。
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公开(公告)号：CN101310341A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042350.8
申请日：2006-11-22
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B3/001 , B81B2203/0118 , B81C2201/0109 , G11C23/00
Abstract: 一种制造非易失性存储器位单元的方法包括以下步骤：在衬底上沉积第一导电材料层，以及图案化和蚀刻所述第一导电材料层以形成三个非线性设置的电极。所述方法还包括以下步骤：在所述电极和所述衬底上沉积第一牺牲材料层，以及在所述第一牺牲材料层上提供细长悬臂结构，以使得所述悬臂结构与每一电极的至少一部分彼此重叠。所述方法还包含以下步骤：在所述悬臂结构和所述第一牺牲材料层上沉积第二牺牲材料层，以及在所述第二牺牲材料层上提供盖层，并在所述盖层中提供孔，以暴露所述第二牺牲材料层的至少一部分。最后，所述方法提供以下步骤：通过所述盖层中提供的所述孔去除所述第一和第二牺牲材料层，进而界定其中悬置有所述悬臂结构的腔。
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公开(公告)号：CN1798696A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015545.4
申请日：2004-04-26
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , H01H59/0009
Abstract: 制造微机械元件的方法，其中该方法包括下述步骤：提供基础材料层；施加至少一层可蚀刻材料的至少部分牺牲层；图案化至少部分牺牲层，以确定该元件的至少一部分形状；施加至少一层机械材料的结构层；图案化该结构层，以形成该元件的至少一部分；和至少部分除去图案化的至少部分牺牲层，以释放部分脱离的元件。该机械材料选自导电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1669177A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03817237.2
申请日：2003-06-27
Applicant: 微制造公司
CPC classification number: H01P11/005 , B81B2201/0292 , B81C1/00126 , B81C2201/0109 , C23C18/1605 , C23C18/1651 , C25D1/003 , H01P1/202 , H01P3/06 , H01P5/183 , H01P11/00
Abstract: 提供射频和微波辐射导引或控制元件，其可为单片集成的、可由多项电沉积操作和/或由多个沉积层材料形成、可包括开关、电感器、天线、传输线、滤波器、混合耦合器、天线阵列和/或其它有源或无源元件。元件可包括可用来分离牺牲材料与结构材料的非辐射进入和非辐射离开通路。较佳的形成工艺使用电化学制造技术(例如包括选择性沉积、体块沉积、蚀刻操作及平坦化操作)以及后沉积工艺(例如选择性蚀刻操作和/或回填操作)。
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公开(公告)号：CN1613128A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826914.4
申请日：2002-11-08
Inventor： 肖恩·J·坎宁安 , 达纳·R·德吕斯 , 苏巴哈姆·塞特 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
IPC: H01H57/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。
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公开(公告)号：CN1427749A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01808233.5
申请日：2001-04-17
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
IPC: B05D5/12
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C99/008 , B81C2201/0109 , B81C2201/0115 , B81C2203/0127 , C23C16/24 , C23C16/511
Abstract: 本发明使用大表面积体积比材料层用于分离、释放层和牺牲层材料应用。本发明概述了材料概念、应用设计、以及制造方法。使用柱形/孔隙网络材料作为大表面积体积比材料层的一个例子介绍了本发明。在介绍的多个具体应用，优选在母基片的叠层上形成结构，然后使用本发明分离方案的分离层材料法将该叠层与母基片分离。本发明具有极好的释放层应用。在多个应用中，本发明的方法可以用于独特地形成腔体、沟槽、空气隙、以及各种基片上或内的相关结构。此外，可以并且优选将叠层分离方案与形成腔体的方案结合。
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公开(公告)号：CZ9701487A3
公开(公告)日：1997-12-17
申请号：CZ148797
申请日：1995-10-17
Applicant: DAEWOO ELECTRONICS CO LTD
Inventor： MIN YONG-KI
IPC: G02B5/09 , B81B3/00 , G02B5/10 , G02B7/18 , G02B26/08 , G09F9/37 , H04N5/74 , H04N9/30 , H04N9/31
CPC classification number: B81C1/00214 , B81B2201/032 , B81B2201/042 , B81C1/00174 , B81C2201/0109 , G02B26/0858 , H04N9/30
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公开(公告)号：KR101800914B1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：KR1020127033926
申请日：2011-06-08
Applicant: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Inventor： 던바,조지,에이. , 허,중-샹 , 몰링,제프리,씨. , 머피,윌리암,제이. , 스탬퍼,앤서니,케이.
IPC: H01L29/84
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 적어도하나의미세전자기계시스템 (MEMS)를형성하는방법은기판상에하부배선층을형성하는단계를포함한다. 상기방법은상기하부배선층으로부터복수의분리된와이어들 (14)를형성하는단계를더 포함한다. 상기방법은상기복수의분리된와이어들위에전극빔 (38)을형성하는단계를더 포함한다. 상기전극빔과상기복수의분리된와이어들을형성하는단계중 적어도하나는후속실리콘증착 (50)에서힐록(hillock)들과트리플포인트(triple point)들을최소화하는레이아웃으로형성된다.
Abstract translation: 形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括在衬底上形成下布线层。 该方法还包括从下互连层形成多个分立导线（14）。 该方法进一步包括在多个分立线上形成电极梁（38）。 形成电极梁和多个分立导线的步骤中的至少一个步骤形成为使随后的硅沉积（50）中的小丘和三重点最小化的布局。
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