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    FORMATION OF NANOPOROUS MATERIALS
    102.
    发明申请
    FORMATION OF NANOPOROUS MATERIALS 审中-公开
    形成纳米材料

    公开(公告)号：WO2010065989A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：PCT/AU2009/001588

    申请日：2009-12-08

    Applicant: UNIVERSITY OF SOUTH AUSTRALIA ,  LOSIC, Dusan

    Inventor： LOSIC, Dusan

    IPC: C25C3/00 ,  C25C5/00 ,  C25D1/16 ,  C25B9/06 ,  C25C7/00 ,  H01M4/04 ,  C25C3/06 ,  C25D1/00 ,  C25C3/20 ,  C25D1/08

    CPC classification number: C25D1/08 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  C25D1/00 ,  C25D1/006 ,  C25D11/02 ,  C25D11/045

    Abstract: A process for forming a porous metal oxide or metalloid oxide material, the process including: - providing an anodic substrate including a metal or metalloid substrate;- providing a cathodic substrate; - contacting the anodic substrate and the cathodic substrate with an acid electrolyte to form an electrochemical cell; - applying an electrical signal to the electrochemical cell;- forming shaped pores in the metal or metalloid substrate by: (c) time varying the applied voltage of the electrical signal to provide a voltage cycle having a minimum voltage period during which a minimum voltage is applied, a maximum voltage period during which a maximum voltage is applied, and a transition period between the minimum voltage period and the maximum voltage period, wherein the voltage is progressively increased from the minimum voltage to the maximum voltage during the transition period, or (d) time varying the current of the electrical signal to provide a current cycle having a minimum current period during which a minimum current is applied, a maximum current period during which a maximum current is applied, and a transition period between the minimum current period and the maximum current period, wherein the voltage is progressively increased from the minimum current to the maximum current during the transition period.

    Abstract translation: 一种形成多孔金属氧化物或准金属氧化物材料的方法，该方法包括：提供包括金属或准金属基质的阳极底物; - 提供阴极底物; - 使阳极底物和阴极底物与酸性电解质接触以形成电化学电池; - 将电信号施加到所述电化学电池; - 通过以下步骤在所述金属或准金属基体中形成成形孔：（c）时变电压信号的施加电压，以提供具有最小电压周期的电压周期， 施加最大电压的最大电压周期，以及最小电压周期和最大电压周期之间的过渡期间，其中，电压在过渡期间从最小电压逐渐增加到最大电压，或（ d）时间变化电信号的电流，以提供具有施加最小电流的最小电流周期的电流周期，施加最大电流的最大电流周期，以及最小电流周期与 最大电流周期，其中电压在反向期间从最小电流逐渐增加到最大电流 历史时期

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT FESTSTEHENDEM GEGENELEMENT
    103.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT FESTSTEHENDEM GEGENELEMENT 审中-公开
    方法用于生产具有硬立靠在元微机械膜结构

    公开(公告)号：WO2009127455A2

    公开(公告)日：2009-10-22

    申请号：PCT/EP2009/051774

    申请日：2009-02-16

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  FISCHER, Martin ,  REINMUTH, Jochen ,  KNESE, Kathrin ,  ARMBRUSTER, Simon

    Inventor： FISCHER, Martin ,  REINMUTH, Jochen ,  KNESE, Kathrin ,  ARMBRUSTER, Simon

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

    Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Membranstruktur (11) mit feststehendem Gegenelement (12) vorgeschlagen, das von einem p-dotierten Si- Substrat (1) ausgeht. Dieses Verfahren umfasst die folgenden Prozessschritte - n-Dotierung mindestens eines zusammenhängenden gitterförmigen Bereichs (2) der Substratoberfläche; (Fig. Ia) porös Ätzen eines Substratbereichs (3) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2); (Fig. lb-c) Oxidation des porösen Siliziums; (Fig. Id) - Erzeugen mindestens einer Opferschicht (5) über der n-dotierten Gitterstruktur (2); (Fig. Ie) Abscheidung und Strukturierung mindestens einer dicken Epitaxieschicht (7); (Fig. lf-g) Entfernen der Opferschicht (5) zwischen der dicken Epitaxieschicht (7) und der n-dotierten Gitterstruktur (2) und Erzeugen einer Kaverne (10) im Si-Substrat (1) unterhalb der n- dotierten Gitterstruktur (2) durch Entfernen des oxidierten porösen Siliziums (oxPorSi); (Fig. Ih) so dass die freigelegte n-dotierte Gitterstruktur (2) eine Membranstruktur (11) bildet und in der strukturierten dicken Epitaxieschicht (7) mindestens ein feststehendes Gegenelement (12) ausgebildet ist.

    Abstract translation: 与本发明的用于制造微机械膜结构（11）具有固定的计数器元件（12）的方法，提出了从p掺杂的Si衬底开始（1）。 该方法包括以下工艺步骤 - n掺杂至少一个有凝聚力的网格区域（2）在基板表面的; （图1a）是多孔的蚀刻n型掺杂的晶格结构（2）下方的衬底部分（3）; （图1b-C）多孔硅的氧化; （图1d） - 通过n型掺杂的晶格结构生成至少一个牺牲层（5）（2）; （图1E）的沉积和至少一个厚的外延层的图案（7）; （图LF-g）除去厚的外延层（7）和所述n型掺杂的晶格结构之间的牺牲层（5）（2）和在所述Si基板（1）下方的n型掺杂的光栅结构产生的腔体（10）（ 2）通过除去已氧化的多孔硅（oxPorSi）; 是（11）（小时图），使得露出的n型晶格结构（2）的膜的结构和在结构化厚的外延层（7）的至少一个固定的反元件（12）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT
    105.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
    方法用于制造部件和传感器元件

    公开(公告)号：WO2008089862A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：PCT/EP2007/062952

    申请日：2007-11-28

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph

    Inventor： KRAMER, Torsten ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph

    IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

    CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0115 ,  G01L19/0038

    Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10) vorgeschlagen, mit mindestens einer in der Bauteiloberfläche ausgebildeten Membran (11), die eine Kaverne (12) überspannt, und mit mindestens einer von der Bauteilrückseite ausgehenden Zugangsöffnung (14) zu der Kaverne (12), wobei zumindest eine erste Membranschicht (2) und die Kaverne (12) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem monolithischen Halbleitersubstrat (1) erzeugt werden und wobei die Zugangsöffnung (14) von der Substratrückseite ausgehend in einem zeitlich begrenzten Ätzprozess erzeugt wird. Dazu wird die Zugangsöffnung (14) erfindungsgemäß in einem Bereich angeordnet, in dem das Substratmaterial an die erste Membranschicht (2) heranreicht. Außerdem umfasst der Ätzprozess zum Erzeugen der Zugangsöffnung (14) mindestens einen anisotropen Ätzschritt und mindestens einen isotropen Ätzschritt, wobei in dem anisotropen Ätzschritt ein von der Substratrückseite ausgehender Ätzkanal (15) erzeugt wird, der unterhalb der ersten Membranschicht (2) in der Umgebung der Kaverne (12) endet, und wobei zumindest der Endbereich (16) dieses Ätzkanals (15) in dem isotropen Ätzschritt aufgeweitet wird, bis der Ätzkanal (15) an die Kaverne angeschlossen ist.

    Abstract translation: 利用本发明，用于制造部件的方法（10）设有与形成在部件表面的膜的至少一个开口（11）跨越的空腔（12），和传出与该组件后部进出开口（14）中的至少一个的 腔体（12），其中至少一个第一隔膜层（2）和从所述部件表面的腔体（12），在单片半导体衬底开始（1）的生产，并且其中所述进入开口（14）由在基板背面侧从有限的刻蚀工艺中产生的 ， 为了这个目的，所述进入开口（14）是根据设置在区域中的第一薄膜层的衬底材料（2）的变焦范围本发明。 另外，用于形成所述进入开口（14）的蚀刻工艺包括至少一个各向异性的蚀刻步骤和至少一个各向同性蚀刻步骤中，在位于第一隔膜层（2）下方的附近的基板背面侧出射的蚀刻通道（15）的各向异性蚀刻步骤而产生 腔（12）结束，并且其中至少该蚀刻通道的端部（16）（15）被加宽各向同性蚀刻直到蚀刻通道（15）连接到所述洞穴。

    CMOS INTEGRATED PROCESS FOR FABRICATING MONOCRYSTALLINE SILICON
    106.
    发明申请
    CMOS INTEGRATED PROCESS FOR FABRICATING MONOCRYSTALLINE SILICON 审中-公开
    用于制备单晶硅的CMOS集成工艺

    公开(公告)号：WO2007144677A2

    公开(公告)日：2007-12-21

    申请号：PCT/HU2007000053

    申请日：2007-06-13

    Applicant: MTA MUESZAKI FIZ ES ANYAGTUDOM ,  ADAM ANTALNE ,  BARSONY ISTVAN ,  DUECSOE CSABA ,  EROES MAGDOLNA ,  MOHACSY TIBOR ,  PAYER KAROLYNE ,  VAZSONYI EVA

    Inventor： ADAM ANTALNE ,  BARSONY ISTVAN ,  DUECSOE CSABA ,  EROES MAGDOLNA ,  MOHACSY TIBOR ,  PAYER KAROLYNE ,  VAZSONYI EVA

    IPC: B81C1/00 ,  G06F3/041

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  G01L5/228 ,  G06F3/0414 ,  Y10T29/42

    Abstract: The invention relates to a process for fabricating a monocrystalline Si-micromechanical element integrated with a CMOS circuit element within the CMOS technology, wherein a domain of second conducting property is formed within a substrate of first conducting property, here the second conducting property is reverse with respect to the first conducting property, then simultaneously with or immediately after this a domain of monocrystalline Si is formed within the substrate for fabricating a micromechanical element. After this, a CMOS circuit element is fabricated within the substrate through the known steps of CMOS technology and then the circuit element, as well as a portion of said domain for fabricating the micromechanical element that will carry the micromechanical element after its fabrication are covered with a protecting layer. Then by starting a front-side isotropic porous Si-etching from the exposed surface of said domain for fabricating the micromechanical element and by continuing the etching until said portion that will carry the micromechanical element after its fabrication becomes at least in its full extent underetched, a porous Si sacrificial layer is created which at least partially encloses said portion that will carry the micromechanical element after its fabrication. As a next step, the exposed surface of said porous Si sacrificial layer is passivated by applying a metallic thin film thereon and metallic contact pieces of the circuit element through the known steps of CMOS technology are formed. Finally, the metallic thin film that covers the exposed surface of the porous Si sacrificial layer is removed and the micromechanical element is formed by chemically dissolving said porous Si sacrificial layer.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在CMOS技术中制造与CMOS电路元件集成的单晶Si-微机械元件的方法，其中在第一导电性质的衬底内形成第二导电性质的畴，这里第二导电性能与 相对于第一导电性质，然后在该单晶硅的一个或多个之后，形成用于制造微机械元件的基板内。 之后，通过CMOS技术的已知步骤，在衬底内制造CMOS电路元件，然后电路元件以及用于制造将在其制造之后承载微机电元件的微机械元件的一部分用于覆盖微机电元件 保护层。 然后通过从用于制造微机电元件的所述畴的暴露表面开始前侧各向同性多孔Si蚀刻，并且通过继续蚀刻直到在其制造之后将携带微机电元件的部分至少在其全部程度上不被蚀刻， 产生多孔Si牺牲层，其至少部分地包围将在其制造之后承载微机械元件的所述部分。 作为下一步骤，通过在其上施加金属薄膜来钝化所述多孔Si牺牲层的暴露表面，并通过CMOS技术的已知步骤形成电路元件的金属接触片。 最后，去除覆盖多孔Si牺牲层的暴露表面的金属薄膜，并通过化学溶解所述多孔Si牺牲层形成微机械元件。

    VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON HOHLRÄUMEN MIT EINER OPTISCH TRANSPARENTEN WANDUNG
    109.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON HOHLRÄUMEN MIT EINER OPTISCH TRANSPARENTEN WANDUNG 审中-公开
    用光透明壁制造腔体的方法

    公开(公告)号：WO2003031318A2

    公开(公告)日：2003-04-17

    申请号：PCT/DE2002/003261

    申请日：2002-09-04

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

    Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/014

    Abstract: Es wird ein Verfahren vorgeschlagen, mit dem sich unter Einsatz von Standard-verfahren der Mikrosystemtechnik einfach und kostengünstig Hohlräurne (7) mit einer optisch transparenten Wandung in einem Bauelement (10) erzeugen lassen. Dazu wird zunächst ein Siliziumbereich erzeugt, der allseitig von einer optisch transparenten Mantelschicht umgeben ist. Dann wird mindestens eine Öffnung (6) in der Mantelschicht erzeugt. Über these Öffnung (6) wird das von der Mantelschicht umgebene Silizium herausgelöst, so dass ein Hohlraum (7) innerhalb der Mantelschicht entsteht. Dabei wirkt die Mantelschicht als Ätzstoppschicht.

    Abstract translation:

    另外，提出在简单地使用的微系统技术和成本导航使用标准方法的方法，可以制造瓮（7）在一个部件（10）的光学透明的壁;廉价瑞士Hohlr＆AUML。 为此，最初产生硅区域，其在所有侧面上被光学透明覆层包围。 然后在覆层中产生至少一个开口（6）。 通过该开口（6），被包层包围的硅被溶出，从而在包层内形成空腔（7）。 包层作为蚀刻停止层。

    MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT
    110.
    发明申请
    MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    微机械部件

    公开(公告)号：WO2003012420A1

    公开(公告)日：2003-02-13

    申请号：PCT/DE2002/002480

    申请日：2002-07-06

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  BAUER, Michael ,  ARTMANN, Hans ,  PANNEK, Thorsten ,  SCHAEFER, Frank ,  KRUMMEL, Christian

    Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  BAUER, Michael ,  ARTMANN, Hans ,  PANNEK, Thorsten ,  SCHAEFER, Frank ,  KRUMMEL, Christian

    IPC: G01N27/18

    CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0115 ,  G01N27/227

    Abstract: Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat (10) und einer auf dem Substrat (10) aufgebrachten Deckschicht (40), wobei unterhalb der Deckschicht (40) ein die Deckschicht (40) mechanisch unterstützender und thermisch isolierender Bereich (30; 30') aus porösem Material vorgesehen ist. Auf der Deckschicht (40) ist eine Heizeinrichtung (70) zum Heizen der Deckschicht (40) oberhalb des Bereichs (30; 30') vorgesehen, und oberhalb des Bereichs (30; 30') ist eine Erfassungseinrichtung (200, 200') zum Erfassen einer elektrischen Eigenschaft eines oberhalb des Bereichs (30; 30') auf der Deckschicht (40) vorgesehenen geheizten Mediums (150) vorgesehen.

    Abstract translation: 本发明提供了一种具有衬底（10）和一个在基板上的微机械部件（10）涂覆的覆盖层（40），其中所述覆盖层（40）下面具有覆盖层（40）机械地支撑和热绝缘区域（30; 30' ）由多孔材料制成。 上的顶层（40）是该区域以上加热所述外层（40）的加热装置（70）（30; 30“）被提供，并且该区域的上方（30; 30”），为检测装置（200，200“） 检测的区域上方的电特性（30; 30“），提供了一种用于被加热介质（150）所述覆盖层（40）上被提供。

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