公开(公告)号：JP2008527753A

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：JP2007551734

申请日：2006-01-17

Applicant: ポイント 35 マイクロストラクチャーズ リミテッド

Inventor： オハラ、アンソニー ,  プリングル、グレイム ,  リーヴィ、マイケル

IPC: H01L21/3065 ,  B81C99/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B81C1/00476 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138

Abstract: エッチング・チャンバ３内に配置された微細構造物２（及び特にＭＥＭＳ）の製作に使用するエッチング・モニタ装置と関連する方法を説明する。 装置１と関連方法は、微細構造物２が配置されたチャンバ３の温度を開始温度に設定し、かつチャンバ内のエッチング・ガスの部分圧力を一定値に維持することにより作業する。 結果として、チャンバ３内での微細構造物２の表面温度は、主としてエッチング速度によって決定される。 したがって、エッチング中に表面温度の変化をモニタする温度計８を使用することによって、エッチング工程をモニタするための直接診断が可能になる。

公开(公告)号：TW201712745A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW105116878

申请日：2016-05-30

Applicant: 尼瓦克斯 法爾公司 ,  NIVAROX-FAR S. A.

Inventor： 甘德曼 艾力克斯 ,  GANDELHMAN, ALEX

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: G04D99/00 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  C23F1/00

Abstract: 本發明係關於具有至少一個倒角的矽系組件，該組件由合併至少一個斜側壁蝕刻步驟和直立側壁的“Bosch”蝕刻之方法形成，藉此能達到美觀改良及改良對矽系晶圓進行微機械處理而形成之組件的機械強度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于具有至少一个倒角的硅系组件，该组件由合并至少一个斜侧壁蚀刻步骤和直立侧壁的“Bosch”蚀刻之方法形成，借此能达到美观改良及改良对硅系晶圆进行微机械处理而形成之组件的机械强度。

公开(公告)号：TW201716315A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105116877

申请日：2016-05-30

Applicant: 尼瓦克斯 法爾公司 ,  NIVAROX-FAR S. A.

Inventor： 甘德曼 艾力克斯 ,  GANDELHMAN, ALEX ,  平 安卓 ,  PIN, ANDRE

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198 ,  G04B13/02 ,  G04B13/026 ,  G04B13/027 ,  G04D99/00

Abstract: 本發明係關於一種以矽為主之具有至少一縮減的接觸表面的構件，它是用一種結合至少一斜的側壁蝕刻步驟和垂直側壁的“Bosch”蝕刻的方法來形成，它尤其改善了用微機械加工一以矽為主的晶圓所形成的構件的摩潤性(tribology)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种以硅为主之具有至少一缩减的接触表面的构件，它是用一种结合至少一斜的侧壁蚀刻步骤和垂直侧壁的“Bosch”蚀刻的方法来形成，它尤其改善了用微机械加工一以硅为主的晶圆所形成的构件的摩润性(tribology)。

公开(公告)号：TW200909340A

公开(公告)日：2009-03-01

申请号：TW097123233

申请日：2008-06-20

Applicant: 高通微機電系統科技公司 QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 馬加利歐 拉法南 RAFANAN, MARJORIO

IPC: B81C ,  H01L

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C1/00801 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138

Abstract: 本發明之實施例係關於用於製造微機電系統之方法及系統,其包含供應蝕刻劑以蝕刻該系統之一或多個犧牲結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之实施例系关于用于制造微机电系统之方法及系统,其包含供应蚀刻剂以蚀刻该系统之一或多个牺牲结构。

公开(公告)号：TW200644739A

公开(公告)日：2006-12-16

申请号：TW095108927

申请日：2006-03-16

Applicant: 尖端科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.

Inventor： 陳英欣 CHEN, ING SHIN ,  傑佛里 紐納 NEUNER, JEFFREY W. ,  小佛蘭克 迪梅歐 DIMEO JR., FRANK ,  陳世輝 CHEN, PHILIP S. H. ,  詹姆士 威爾奇 WELCH, JAMES ,  傑佛里 羅德 ROEDER, JEFFREY F.

IPC: H05H ,  G01N ,  H01L

CPC classification number: B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138 ,  C23C16/4405 ,  G01N27/16 ,  H01J37/32935

Abstract: 一種氣體感測器或氣體感測方法，例如屬於可用於下游感測元件的型別，用來於利用含鹵素電漿及／或含氧電漿之半導體蝕刻設備中，測定電漿狀況(例如電漿蝕刻終點)之下游感測器元件。此種感測器元件可於高能氣體物種，例如由電漿所產生之氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物及其基團的存在下呈現溫度變化；以及相應地產生指示此種溫度變化之輸出信號，用以測定於蝕刻電漿處理設備中之電漿狀況。

Abstract in simplified Chinese: 一种气体传感器或气体传感方法，例如属于可用于下游传感组件的类型，用来于利用含卤素等离子及／或含氧等离子之半导体蚀刻设备中，测定等离子状况(例如等离子蚀刻终点)之下游传感器组件。此种传感器组件可于高能气体物种，例如由等离子所产生之氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物及其基团的存在下呈现温度变化；以及相应地产生指示此种温度变化之输出信号，用以测定于蚀刻等离子处理设备中之等离子状况。

公开(公告)号：TW387120B

公开(公告)日：2000-04-11

申请号：TW087107180

申请日：1998-05-08

Applicant: 應用材料股份有限公司

Inventor： 詹姆士P.克魯斯

IPC: H01L

CPC classification number: B24B37/013 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  H01J37/32963 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係提供使用多個製程參數監測在一半導體晶圓處理系統內之製程的方法與裝置。特別地，此裝置分析多個製程參數，並統計地使這些參數交互關連，以偵測製程特性的變化，以致於能正確地偵測一蝕刻製程的終點，以及監測在室內的其他特性。該多個參數可包括光學放射率、環境參數(如在反應室內的壓力和溫度)、RF功率參數(如反射功率或調諧電壓)、結構和控制電壓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供使用多个制程参数监测在一半导体晶圆处理系统内之制程的方法与设备。特别地，此设备分析多个制程参数，并统计地使这些参数交互关连，以侦测制程特性的变化，以致于能正确地侦测一蚀刻制程的终点，以及监测在室内的其他特性。该多个参数可包括光学放射率、环境参数(如在反应室内的压力和温度)、RF功率参数(如反射功率或调谐电压)、结构和控制电压。