公开(公告)号：CN101165874A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710181170.4

申请日：2007-10-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨海宁 ,  李伟健

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5329 ,  B81C1/00095 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供使用能够通过利用预先制造的硬掩模图案来安置在特定位置的自组装嵌段共聚物，形成用于下一代半导体技术的包括纳米级如亚光刻的线和通孔的互联结构的方法。本发明的方法提供线自对准于孔的互联结构。

公开(公告)号：CN106459326B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201480074156.2

申请日：2014-12-08

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金廷根 ,  李济权 ,  朴鲁振 ,  尹圣琇

IPC: C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/14 ,  C08F212/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F216/12 ,  C08L55/00 ,  C08J5/00 ,  C08J7/04

CPC classification number: C08F293/005 ,  B81C1/00428 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C07C35/48 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C217/84 ,  C07C2601/16 ,  C07D209/48 ,  C07F7/1804 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F2438/03 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J7/14 ,  C08J2353/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162

Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明可提供具有优异的自组装特性和相分离特性且必要时任选地向其提供多种所需功能的嵌段共聚物。

公开(公告)号：CN104380194B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201380031543.3

申请日：2013-04-15

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： 王玉宝 ,  M·A·霍基 ,  D·J·古尔瑞罗 ,  V·克里西那莫西 ,  R·C·考克斯

IPC: G03F1/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/26 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24802

Abstract: 提供了用于导向自组装图案化技术的组合物，其在工艺中无需独立的减反射涂层和刷中性层。还提供导向自组装的方法，其中可将自组装材料，例如导向自组装嵌段共聚物,直接施涂到硅硬掩模中性层，然后自组装以形成所需的图案。本文还批露了导向自组装图案化的结构。

公开(公告)号：CN105873969B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201480071865.5

申请日：2014-12-08

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李美宿 ,  金廷根 ,  李济权 ,  朴鲁振 ,  具世真 ,  崔银英 ,  尹圣琇

IPC: C08F297/00 ,  C08F230/00 ,  C08F212/14 ,  C08F212/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08L55/00 ,  C08J5/00 ,  C08J7/04 ,  C08F299/00

CPC classification number: C08F293/005 ,  B81C1/00428 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C07C35/48 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C217/84 ,  C07C2601/16 ,  C07D209/48 ,  C07F7/1804 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F2438/03 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J7/14 ,  C08J2353/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162

Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性，并且可具有必要时任选地向其提供的多种功能，例如，蚀刻选择性等。

公开(公告)号：CN108025910A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680048837.0

申请日：2016-07-21

Applicant: DNP123公司

Inventor： 阿伦·T·桑托斯 ,  德雷克·M·莱昂斯

IPC: B82B1/00 ,  B82Y5/00 ,  B82Y40/00 ,  C12P19/34 ,  C25B9/16

CPC classification number: B81B7/0003 ,  A61K9/14 ,  B22F1/0044 ,  B22F1/0062 ,  B22F9/24 ,  B22F2301/255 ,  B81C1/00007 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y5/00 ,  B82Y40/00 ,  C07H21/04 ,  C25B9/16 ,  H01L27/11807 ,  H01L2027/11853

Abstract: 本发明一般地涉及纳米制造，并且在一些实施方案中涉及合成选择性结合具补丁纳米颗粒的方法和可由其制成的装置。在一些实施方案中，本发明涉及由具补丁纳米立方体组装任意形状结构的方法以及后续的装置和用途。例如，可如下对纳米立方体构建块打补丁：用选择性结合化学物质(例如，DNA、抗体‑抗原对，等)冲压其表面，或者使用自组装来使可对不相混性预编程的多种选择性结合补丁物质附接于纳米立方体。然后，可通过决定哪些面将在某一目标结构中彼此接合并将在这些面上具有选择性结合补丁的纳米立方体组合来设计和组装任意形状的结构。本发明的另一些方面还涉及制备这样的纳米立方体或其他纳米颗粒的方法、形成这样的纳米立方体的方法。

公开(公告)号：CN107148397A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201580061035.9

申请日：2015-11-10

Applicant: 查尔斯斯塔克布料实验室公司

Inventor： D·J·卡特

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C09J7/00 ,  B81C1/00206 ,  B81C2201/0149

Abstract: 微米级物体的组装方法包括在基体的表面上形成第一功能部分的图案，使所述基体的表面与第一液体悬浮液接触，所述第一液体悬浮液包括用与所述第一功能部分互补的第二功能部分在第一微米级原料元件的第一部分官能化所述第一微米级原料元件，并用第三功能部分在所述第一微米级原料元件的第二部分进行官能化，对准所述第一微米级原料元件的第一部分和所述基体的表面，以及使所述第二功能部分与所述第一功能部分结合从而在所述基体的表面上形成所述第一微米级原料元件的第一微结构图案。

公开(公告)号：CN105051863B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201480015196.X

申请日：2014-02-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·伍伊斯特尔 ,  E·皮特斯

IPC: H01L21/027 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76802

Abstract: 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。

公开(公告)号：CN107077066A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059713.8

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 具世真 ,  李美宿 ,  柳亨周 ,  金廷根 ,  尹圣琇 ,  朴鲁振 ,  李济权 ,  崔银英

IPC: G03F7/00 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C217/84 ,  C07D209/48 ,  C07F7/18 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08J5/18 ,  C08L53/00 ,  C08L55/00

CPC classification number: C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  C08F214/182 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C217/84 ,  C07D209/48 ,  C07F7/1804 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08L55/00

Abstract: 提供了制造图案化基底的方法。该方法可以应用于装置如电子器件或集成电路的制造过程，或者应用于另一些用途例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头或有机发光二极管；并且该方法可用于在用来制造离散磁道介质如集成电路、位元图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的表面上构造图案。

公开(公告)号：CN107075053A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059758.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李济权 ,  朴鲁振 ,  金廷根 ,  具世真 ,  李美宿 ,  崔银英 ,  尹圣琇 ,  柳亨周

IPC: C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08L53/00 ,  C08J5/18 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/165 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  C08F214/182 ,  C08F261/06

Abstract: 本申请提供了嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物表现出优异的自组装特性或相分离特性，可具备多种所需功能而无限制，并且特别是可确保蚀刻选择性，使得所述嵌段共聚物可有效地适用于如图案形成这样的用途。

公开(公告)号：CN106601597A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610880063.X

申请日：2016-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛宗翰 ,  罗冠昕 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31138

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法，其包括形成图案化特征于基板之上、涂布(apply)包括第一聚合物及第二聚合物的定向材料于上述基板之上。上述第一聚合物具有第一活化能而第二聚合物具有第二活化能。上述方法亦包括于第一温度烘烤上述基板以形成包括第一聚合物的第一定向层、于第二温度烘烤上述基板以形成包括第二聚合物的第二定向层、以及于第一及第二定向层上进行定向自组装(directed self‑assembly，DSA)工艺。