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公开(公告)号：CN108594599B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810445598.3
申请日：2012-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 一种抗蚀剂材料、光刻图案化方法以及氧化物的用途，所述抗蚀剂材料包括氧化物，所述氧化物包括选自由下列元素构成的组中的至少一种元素：Ta、Re、Os、Ir、Ni、Cu和Zn，其中，所述抗蚀剂材料对于具有小于11nm的波长的EUV光具有敏感性。
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公开(公告)号：CN102216851A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145244.6
申请日：2009-10-06
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种压印光刻方法包括使用衬底或压印模具中的空隙空间。一旦可压印介质已经就位，在压印模具和衬底上的可压印的、可流动的介质之间捕获的气窝可能导致不规则。通常在可压印介质就位之前，通过气体流入或扩散到空隙空间，空隙空间允许气窝消散。作为压印模具的一部分(例如形成或邻近模具的图案化表面的层)的固体多孔介质层可以提供空隙空间。多孔层的空隙空间用作空隙空间，捕获的气体可以流入或扩散到空隙空间。将要图案化的衬底可以包括用于相同用途的多孔层。合适的固体多孔介质包括纳米多孔二氧化硅。
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公开(公告)号：CN103597404A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027886.8
申请日：2012-03-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70191 , G02F1/1303 , G02F1/29 , G03F7/704
Abstract: 在一个实施例中，公开一种光刻设备，包括：调制器，配置成将衬底的曝光区域以根据期望的图案调制的多个束曝光；和投影系统，配置成将经过调制的束投影到衬底上。调制器包括偏转器，用以相对于曝光区域使所述多个束移位。
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公开(公告)号：CN102216851B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980145244.6
申请日：2009-10-06
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种压印光刻方法包括使用衬底或压印模具中的空隙空间。一旦可压印介质已经就位，在压印模具和衬底上的可压印的、可流动的介质之间捕获的气窝可能导致不规则。通常在可压印介质就位之前，通过气体流入或扩散到空隙空间，空隙空间允许气窝消散。作为压印模具的一部分(例如形成或邻近模具的图案化表面的层)的固体多孔介质层可以提供空隙空间。多孔层的空隙空间用作空隙空间，捕获的气体可以流入或扩散到空隙空间。将要图案化的衬底可以包括用于相同用途的多孔层。合适的固体多孔介质包括纳米多孔二氧化硅。
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公开(公告)号：CN102933628A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027039.7
申请日：2011-04-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: C08F293/00 , G03F7/00 , B81C1/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00
CPC classification number: C08F293/00 , B05D5/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08F297/04 , G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/165 , G03F7/26
Abstract: 公开了一种可自组装的聚合物，所述可自组装的聚合物具有第一和第二分子构型，其中对于可自组装的聚合物，第一分子构型与第二分子构型相比具有更高的Flory Huggins参数，并且通过施加刺激因素，所述可自组装的聚合物可从第一分子构型形成为第二分子构型，可从第二分子构型形成为第一分子构型，或者，可从第一分子构型形成为第二分子构型且可从第二分子构型形成为第一分子构型。该聚合物用于通过将处于其第二分子构型的聚合物有序化和退火并当它处于第一分子构型时固定该聚合物，从而在基板上提供聚合物的有序、周期性地图案化的层的方法。第二分子构型提供更好的有序化动力学并且允许缺陷在其有序/无序转变温度附近的退火，同时具有更高的有序/无序转变温度的第一分子构型为固定形成的图案提供低线边缘/宽度粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108594599A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810445598.3
申请日：2012-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 一种抗蚀剂材料、光刻图案化方法以及氧化物的用途，所述抗蚀剂材料包括氧化物，所述氧化物包括选自由下列元素构成的组中的至少一种元素：Ta、Re、Os、Ir、Ni、Cu和Zn，其中，所述抗蚀剂材料对于具有小于11nm的波长的EUV光具有敏感性。
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公开(公告)号：CN103649830B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201280033742.3
申请日：2012-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/0388 , C08F30/08 , G03F7/0043 , G03F7/0758 , G03F7/2002
Abstract: 一种光刻过程包括在用于EUV光刻过程的抗蚀剂材料中使用含硅聚合物和/或包括选自由下列元素构成的组中的至少一个元素的化合物：Ta、W、Re、Os、Ir、Ni、Cu和Zn。在该过程中使用的EUV光波长小于11nm，例如6.5‑6.9nm。本发明还涉及新的含硅聚合物。
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公开(公告)号：CN105051863A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480015196.X
申请日：2014-02-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/027 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31058 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/76802
Abstract: 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。
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公开(公告)号：CN104995715A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008683.3
申请日：2014-01-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L29/66
CPC classification number: H01L21/3086 , B82Y10/00 , G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L29/0673 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785
Abstract: 一种形成多个规律地间隔的光刻特征的方法，所述方法包括：在衬底上的多个沟道中提供能够自组装的嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有第一嵌段和第二嵌段，每个沟道包括相对的侧壁和基部，所述侧壁具有侧壁间的宽度，其中第一沟道具有大于第二沟道的宽度；使能够自组装的嵌段共聚物在每个沟道中自组装成有序层，所述层具有与第二嵌段的第二域交替的第一嵌段的第一域，其中所述第一沟道和第二沟道具有相同数量的每种相应的域；以及选择性地移除第一域，以沿着每个沟道形成具有第二区域的规律地间隔的成行的光刻特征，其中，在第一沟道中的特征的节距大于在第二沟道中特征的节距。
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公开(公告)号：CN103649830A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033742.3
申请日：2012-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/0388 , C08F30/08 , G03F7/0043 , G03F7/0758 , G03F7/2002
Abstract: 一种光刻过程包括在用于EUV光刻过程的抗蚀剂材料中使用含硅聚合物和/或包括选自由下列元素构成的组中的至少一个元素的化合物：Ta、W、Re、Os、Ir、Ni、Cu和Zn。在该过程中使用的EUV光波长小于11nm，例如6.5-6.9nm。本发明还涉及新的含硅聚合物。
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