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公开(公告)号：CN102933628A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027039.7
申请日：2011-04-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: C08F293/00 , G03F7/00 , B81C1/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00
CPC classification number: C08F293/00 , B05D5/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08F297/04 , G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/165 , G03F7/26
Abstract: 公开了一种可自组装的聚合物，所述可自组装的聚合物具有第一和第二分子构型，其中对于可自组装的聚合物，第一分子构型与第二分子构型相比具有更高的Flory Huggins参数，并且通过施加刺激因素，所述可自组装的聚合物可从第一分子构型形成为第二分子构型，可从第二分子构型形成为第一分子构型，或者，可从第一分子构型形成为第二分子构型且可从第二分子构型形成为第一分子构型。该聚合物用于通过将处于其第二分子构型的聚合物有序化和退火并当它处于第一分子构型时固定该聚合物，从而在基板上提供聚合物的有序、周期性地图案化的层的方法。第二分子构型提供更好的有序化动力学并且允许缺陷在其有序/无序转变温度附近的退火，同时具有更高的有序/无序转变温度的第一分子构型为固定形成的图案提供低线边缘/宽度粗糙度。
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公开(公告)号：CN105051863B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201480015196.X
申请日：2014-02-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/027 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31058 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/76802
Abstract: 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103889888B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280048599.5
申请日：2012-10-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·恩古岩 , J·范德尔斯 , W·卡特拉尔斯 , S·伍伊斯特尔 , E·范德海伊登 , H·梅森 , R·科莱 , E·皮特斯 , C·范黑斯克 , A·布里扎尔特 , H·布特斯 , T·朱兹海妮娜 , J·德鲁伊特尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C30B1/12 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , Y10T117/10
Abstract: 本发明公开一种图形外延模板，用以对准自组装嵌段聚合物，所述嵌段聚合物适于自组装为具有平行于第一轴线延伸、沿正交的第二轴线相互间隔开并且通过连续第二区域或域分开的不连续第一区域或域的平行行的二维阵列。所述图形外延模板具有基本上平行的第一和第二侧壁，所述第一和第二侧壁平行于第一轴线延伸并且限定第一轴线并且沿第二轴线相互间隔开以提供间隔区，该间隔区适于保持处于衬底上侧壁之间并且平行于侧壁的至少一行不连续第一区域或域，并且通过连续第二区域或域与其分开。所述间隔区具有图形外延成核特征，所述图形外延成核特征被布置用于将至少一个不连续第一区域或域定位在间隔区内的特定位置处。本发明还公开用于形成图形外延模板的方法及其用于器件光刻的应用。
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公开(公告)号：CN103889888A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280048599.5
申请日：2012-10-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·恩古岩 , J·范德尔斯 , W·卡特拉尔斯 , S·伍伊斯特尔 , E·范德海伊登 , H·梅森 , R·科莱 , E·皮特斯 , C·范黑斯克 , A·布里扎尔特 , H·布特斯 , T·朱兹海妮娜 , J·德鲁伊特尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C30B1/12 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , Y10T117/10
Abstract: 本发明公开一种图形外延模板，用以对准自组装嵌段聚合物，所述嵌段聚合物适于自组装为具有平行于第一轴线延伸、沿正交的第二轴线相互间隔开并且通过连续第二区域或域分开的不连续第一区域或域的平行行的二维阵列。所述图形外延模板具有基本上平行的第一和第二侧壁，所述第一和第二侧壁平行于第一轴线延伸并且限定第一轴线并且沿第二轴线相互间隔开以提供间隔区，该间隔区适于保持处于衬底上侧壁之间并且平行于侧壁的至少一行不连续第一区域或域，并且通过连续第二区域或域与其分开。所述间隔区具有图形外延成核特征，所述图形外延成核特征被布置用于将至少一个不连续第一区域或域定位在间隔区内的特定位置处。本发明还公开用于形成图形外延模板的方法及其用于器件光刻的应用。
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公开(公告)号：CN104053628B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201280066892.4
申请日：2012-12-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: B05D3/107 , B05D1/28 , B05D1/60 , B05D3/007 , B82Y40/00 , C08L53/00 , G03F7/0002
Abstract: 公开了一种形成可自组嵌段共聚物层的方法，其被定向为形成交替晶域的有序阵列。该方法涉及在衬底上提供可自组嵌段共聚物的层，并且在引发该层的自组以形成晶域的有序阵列之前，将第一表面活性剂沉积在所述层的外表面上。第一表面活性剂具有疏水性尾和亲水性头基团，并且用来减少在嵌段共聚物层的外表面的界面能，以便促进嵌段共聚物聚合物组装为具有交替晶域的有序排列的形成。
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公开(公告)号：CN104053628A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280066892.4
申请日：2012-12-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: B05D3/107 , B05D1/28 , B05D1/60 , B05D3/007 , B82Y40/00 , C08L53/00 , G03F7/0002
Abstract: 公开了一种形成可自组嵌段共聚物层的方法，其被定向为形成交替晶域的有序阵列。该方法涉及在衬底上提供可自组嵌段共聚物的层，并且在引发该层的自组以形成晶域的有序阵列之前，将第一表面活性剂沉积在所述层的外表面上。第一表面活性剂具有疏水性尾和亲水性头基团，并且用来减少在嵌段共聚物层的外表面的界面能，以便促进嵌段共聚物聚合物组装为具有交替晶域的有序排列的形成。
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公开(公告)号：CN105051863A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480015196.X
申请日：2014-02-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/027 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31058 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/76802
Abstract: 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。
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