公开(公告)号：JPWO2005086533A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：JP2006510623

申请日：2005-02-07

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 徹 山岡 ,  徹 山岡 ,  小倉　洋 ,  洋 小倉 ,  三由　裕一 ,  裕一 三由

IPC: H04R19/01 ,  B81C1/00 ,  H04R19/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/016 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00944 ,  B81C2201/112 ,  H04R19/005

Abstract: エレクトレットコンデンサーは、上部電極となる導電膜118を有する固定膜110と、下部電極104及びエレクトレット膜となるシリコン酸化膜105を有する振動膜112と、固定膜110と振動膜112との間に設けられ且つエアギャップ109を有するシリコン酸化膜108とを備えている。固定膜110及び振動膜112のそれぞれにおけるエアギャップ109に露出している部分はシリコン窒化膜106及び114から構成されている。

公开(公告)号：JP5916872B2

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：JP2014537102

申请日：2012-10-05

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： ジャン・ボス ,  デイヴィッド・ヒールド ,  イェン・フア・リン ,  ユン−ウェイ・ライ ,  ジュイ−チ・リャオ ,  ヨク−ホウ・タン ,  ナゲスワラ・ラオ・タデパッリ ,  ヤン・デュ ,  ジアンウェイ・リウ ,  リチャード・ピエトゥリ

IPC: G02B26/02 ,  B81C99/00 ,  H01L23/24 ,  B81B3/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B3/0005 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/112

公开(公告)号：JP5748792B2

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：JP2013039942

申请日：2013-02-28

Applicant: ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア

Inventor： クイスマ、ヘイッキ ,  ラフデンペーラ、ユハ ,  ムティカイネン、リスト

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0013 ,  B81C1/0096 ,  G01P15/08 ,  G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/112

公开(公告)号：JP2013152230A

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：JP2013039942

申请日：2013-02-28

Applicant: Murata Electronics Oy ,  ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア

Inventor： KUISMA HEIKKI ,  LAHDENPERA JUHA ,  MUTIKAINEN RISTO

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0013 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/112 ,  G01P15/08 ,  G01P15/0802

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitance type accelerator sensor structure having endurance to wearing caused by an overload, improved and being more durable.SOLUTION: The capacitance type acceleration sensor including an electrode pair constituted of a movable electrode 4 and a fixed electrode 5 and an isolator layer structure 6 of a double layer composite structure having a diamond-shaped DLC coating layer as a top layer and an oxide as a base layer on the fixed electrode 5.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种由过载引起的磨损耐久性的电容式加速器传感器结构，提高并且更耐用。解决方案：电容式加速度传感器包括由可动电极4和固定电极5构成的电极对 以及在固定电极5上具有金刚石DLC涂层作为顶层和氧化物作为基底层的双层复合结构的隔离层结构6。

公开(公告)号：JP2010507494A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：JP2009533766

申请日：2007-09-10

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： クローンミュラー ジルヴィア ,  フクス ティノ ,  レルマー フランツ

IPC: B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/031

Abstract: 基板と機能エレメントとを有するマイクロメカニカル素子を提案する。 本発明では機能エレメントは、表面付着力を低減するために少なくとも局所的に付着防止層が設けられた機能表面を有し、該付着防止層は、８００℃を超える温度に対して安定的である。

公开(公告)号：JP4260339B2

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：JP2000127153

申请日：2000-04-27

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 邦宏 中村 ,  靖雄 山口 ,  輝也 深浦

IPC: H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/0092 ,  B81C2201/112 ,  G01P15/0802

公开(公告)号：JP4137158B2

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：JP2006510623

申请日：2005-02-07

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 裕一 三由 ,  洋 小倉 ,  徹 山岡

IPC: H04R19/01 ,  B81C1/00 ,  H04R19/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/016 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00944 ,  B81C2201/112 ,  H04R19/005

公开(公告)号：JP2004084073A

公开(公告)日：2004-03-18

申请号：JP2003298568

申请日：2003-08-22

Applicant: Eastman Kodak Co ,  イーストマン コダック カンパニー

Inventor： YANG ZHIHAO

IPC: B81B7/02 ,  B05D7/24 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C09D4/00 ,  C23C14/06

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B05D1/60 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00 ,  C09D4/00 ,  C08G77/24 ,  C08G77/04

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method to coat a surface of an MEMS device with a silane coupling agent for reducing automatic adhesion.
SOLUTION: In this method, (a) the silane coupling agent is mixed with a low volatile matrix material in a raw film material vessel, (b) a micro-electromechanical system device is disposed in a vacuum vapor deposition chamber connected to the raw film material vessel, and (c) the vacuum vapor deposition chamber is evacuated to the predetermined pressure, and the pressure in the vacuum vapor deposition chamber is maintained for a predetermined time in order to perform chemical vapor deposition of the silane coupling agent on a surface of the micro-electromechanical system device.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP4593049B2

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：JP2001557083

申请日：2001-01-29

Applicant: アナログ デバイシーズ インコーポレイテッド

Inventor： マーティン，ジョン，アール．

IPC: H01L21/316 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3122 ,  B81B3/0005 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02263 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: This invention discloses a process for forming durable anti-stiction surfaces on micromachined structures while they are still in wafer form (i.e., before they are separated into discrete devices for assembly into packages). This process involves the vapor deposition of a material to create a low stiction surface. It also discloses chemicals which are effective in imparting an anti-stiction property to the chip. These include polyphenylsiloxanes, silanol terminated phenylsiloxanes and similar materials.

公开(公告)号：JP2008126402A

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：JP2007296008

申请日：2007-11-14

Applicant: Spatial Photonics Inc ,  スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド

Inventor： PAN SHAOHER X

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81C1/00992 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/112

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for applying an anti-stiction material to a micro device, and a micro mechanical device to which the anti-stiction material is applied.
SOLUTION: There is provided a method of applying an anti-stiction material to a micro device, including the steps of: enclosing the micro device in a chamber; vaporizing the anti-stiction material in a container, thereby forming the vaporized anti-stiction material; transferring the vaporized anti-stiction material from the container into the chamber in which the micro device is enclosed, via an inlet fluidly communicating with the chamber; and depositing the vaporized anti-stiction material on a surface of the micro device.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供将抗静电材料施加到微型装置的方法以及应用抗静电材料的微机械装置。 解决方案：提供了一种将抗静电材料施加到微型装置的方法，包括以下步骤：将微型装置封闭在腔室中; 在容器中蒸发抗静电材料，从而形成汽化的抗静电材料; 通过与腔室流体连通的入口将蒸发的抗静电材料从容器转移到微型装置被封闭的腔室中; 以及将所述蒸发的抗静电材料沉积在所述微型装置的表面上。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT