-
公开(公告)号：KR1020060019852A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040068526
申请日：2004-08-30
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , G09G3/22 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명의 목적은 화면 좌우측에서의 휘도 균일성을 확보함과 동시에 전자들의 집속성을 높여 화면의 색재현성을 극대화할 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 제 1 기판; 제 1 기판 위에 형성되는 하부 캐소드 전극; 하부 캐소드 전극을 덮으면서 제 1 기판 위에 형성되는 절연층; 절연층 위로 제 1 기판 상에 설정되는 화소 영역마다 서로 이격되어 위치하고, 하부 캐소드 전극과 동일 전압을 인가받는 제 1 및 제 2 상부 캐소드 전극; 제 1 및 제 2 상부 캐소드 전극 사이에서 서로 평행하게 형성되는 제 1 및 제 2 전극으로 이루어진 게이트 전극; 게이트 전극과 마주보는 제 1 및 제 2 상부 캐소드 전극의 일측 가장자리에 각각 형성되는 전자 방출부; 및 게이트 전극의 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하고 하부 캐소드 전극과 동일 전압을 인가받는 푸싱 전극을 포함하는 전자 방출 소자에 의해 달성될 수 있다.
전자 방출 소자, 푸싱 전극, 데이터 신호, 주사 신호, 캐소드 전극-
公开(公告)号：KR1020060011669A
公开(公告)日：2006-02-03
申请号：KR1020040060607
申请日：2004-07-30
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 정광석
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 전자 방출부와 형광층을 같은 기판 상에 마련하여 전자빔 퍼짐을 최소화하고, 화면의 색재현율을 높인 전자 방출 소자에 관한 것으로서,
본 발명의 전자 방출 소자는, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과; 그 일부가 제1 기판 상에서 노출된 상태로 제1 기판 위에 형성되는 게이트 전극들과; 절연층을 사이에 두고 게이트 전극들과 분리되어 위치하는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극과 전기 접촉을 이루며 형성되는 전자 방출원들과; 게이트 전극들의 노출된 부위에 제공되는 형광층과; 제2 기판에 형성되는 반사 전극을 포함한다.
전자방출소자, 캐소드전극, 게이트전극, 반사전극, 형광층, 대향전극, 전자방출원, 절연층-
公开(公告)号：KR1020060001622A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040050765
申请日：2004-06-30
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/30 , H01J3/021 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 캐소드 전극과 게이트 전극 사이에서 발생하는 누설 전류를 극소화시킬 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 전자 방출 소자는 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과; 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 위에 형성되는 게이트 전극들과; 게이트 전극들과 절연층에 각각 제공되어 캐소드 전극의 일부 표면을 노출시키는 개구부들과; 개구부들 내로 캐소드 전극들 위에 형성되는 전자 방출부들과; 절연층의 개구부 측벽에 형성되는 에스오지(SOG)막을 포함한다.
절연층, 게이트 홀, 절연막, 누설전류, 캐소드 전극, 게이트 전극-
公开(公告)号：KR1020060001621A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040050764
申请日：2004-06-30
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 김유종
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 전자 방출 유닛의 구조를 개선한 전자 방출 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전자 방출 소자는, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판에 형성되는 캐소드 전극들; 상기 캐소드 전극들과 전기 접촉을 이루면서 형성되는 전자 방출부; 및 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 및 전자 방출부 위에 형성되며, 전자 방출부의 일부가 상기 제1 기판상에서 노출되도록 하는 개구부를 갖는 게이트 전극들을 포함한다.
전자 방출 소자, 전자 방출부, 개구부, 집속 전극, 절연층-
公开(公告)号：KR1020060001620A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040050763
申请日：2004-06-30
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 김유종
CPC classification number: H01J1/30 , H01J3/021 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 전자 방출 유닛의 구조를 개선한 전자 방출 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전자 방출 소자는, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판에 형성되는 캐소드 전극들; 상기 캐소드 전극들과 전기 접촉을 이루면서 형성되는 전자 방출부; 및 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 및 전자 방출부 위에 형성되며, 전자 방출부의 일부가 제1 기판 상에서 노출되도록 하는 개구부를 갖는 게이트 전극들을 포함하고, 상기 개구부는 중심이 전자 방출부의 중심에 대해 편심되어 위치하여 상기 전자 방출부의 일측 가장자리가 노출되도록 한다.
전자 방출 소자, 전자 방출부, 개구부, 집속 전극-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060001506A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040050639
申请日：2004-06-30
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 유승준
CPC classification number: H01J1/30 , H01J3/021 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 그리드전극을 구비하는 전자방출소자에 관한 것으로, 기판, 기판 상에 소정 형상으로 형성되는 제1 전극, 제1 전극 상부에 형성되며 적어도 제1 전극의 일부를 노출시키는 비아홀을 구비하는 절연층, 절연층 상부에 형성되는 제2 전극, 제2 전극과 접촉하는 전자방출부, 비아홀을 통해서 제1 전극과 전기적으로 연결되며 전자방출부와 임의의 간격을 두고 대향 배치된 제3 전극, 및 전자방출부로부터 방출된 전자를 집속하는 제4 전극을 포함하며, 제4 전극은 전자방출부를 가리는 구조를 가진 전자방출소자를 제공한다.
전자방출소자, 캐소드전극, 전자방출부, 그리드전극, 애노드전극-
公开(公告)号：KR1020050087241A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：KR1020040012953
申请日：2004-02-26
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 전자 방출원과 대향 전극간 거리를 최적화한 전자 방출 표시장치에 관한 것으로서, 제1 기판 위에 형성되는 게이트 전극들과; 게이트 전극들과 절연층을 사이에 두고 위치하는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극의 적어도 일부와 접촉하며 형성되는 전자 방출원과; 게이트 전극과 전기적으로 연결되며 캐소드 전극과 동일 평면 상에서 캐소드 전극과 마주보도록 형성되는 대향 전극을 포함하며, 전자 방출원과 대향 전극간 거리를 D라 하고, 절연층의 두께를 t라 할 때, 다음의 조건을 만족하는 전자 방출 표시장치를 제공한다.
0.001 ≤ D(㎛) ≤ 28.1553 + 1.7060×t(㎛)-
公开(公告)号：KR1020040073746A
公开(公告)日：2004-08-21
申请号：KR1020030009438
申请日：2003-02-14
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J31/123 , H01J2201/30453 , H01J2203/0236
Abstract: PURPOSE: A field emission display is provided to prevent the short circuit error between a cathode electrode and a gate electrode by arranging correctly an emitter on the cathode electrode. CONSTITUTION: A field emission display comprises a first substrate(4) and a second substrate(2) spaced apart from each other; base electrodes(6) formed on the first substrate with a predetermined strip pattern; an insulating layer(8) formed on the first substrate, which covers the base electrodes; gate electrodes(10) formed on the insulating layer with a strip pattern crossing to the base electrodes; cathode electrodes(12) spaced apart from the gate electrodes between the gate electrodes, which is electrically connected to the base electrodes through a via hole unit formed on the insulating layer; emitters(14); an anode electrode(16) formed on the second substrate; and R, G, and B phosphor layers(18) formed on the anode electrode with a predetermined pattern.
Abstract translation: 目的：提供场致发射显示器，以通过正确地布置阴极上的发射体来防止阴极电极和栅电极之间的短路错误。 构成：场发射显示器包括彼此间隔开的第一衬底（4）和第二衬底（2）; 在第一基板上形成有预定带状图案的基底电极（6） 形成在所述第一基板上的覆盖所述基极的绝缘层; 形成在绝缘层上的栅电极（10）具有与基极相交的带状图案; 与栅电极之间的栅电极间隔开的阴极电极，其通过形成在绝缘层上的通孔单元电连接到基极; 发射器（14）; 形成在所述第二基板上的阳极电极; 以及以预定图案形成在阳极电极上的R，G和B荧光体层（18）。
-
公开(公告)号：KR1020020058114A
公开(公告)日：2002-07-12
申请号：KR1020000084943
申请日：2000-12-29
Applicant: 실리콘 디스플레이 (주)
CPC classification number: C01B32/15 , H01J1/304 , H01J2201/30453
Abstract: PURPOSE: A carbon nano tip structure and a forming method thereof are provided to improve the generation density by using a plasma chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: Nickel is evaporated on a silicon wafer. Nickel silicide is formed by heating the nickel. A tip is self-formed as exposing plasma including a carbon atom on the silicide surface. The evaporated nickel has a thickness of 5-200 nanometer. An ammonia plasma is exposed on the nickel. The exposed time of the ammonia plasma is less than thirty minutes. Acetylene(C2H2) or methane(CH4) gas is used to form a carbon plasma. An inductively coupled plasma is used to form the carbon plasma. The density of the carbon plasma is more than 1011cm¬3. The silicon wafer is doped as n-type or p-type. A silicon nickel alloy, a carbon graphite, and a carbon nano tip are sequentially layered on the silicon wafer.
Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米尖端结构及其形成方法，以通过使用等离子体化学气相沉积方法来提高发电密度。 构成：镍在硅晶片上蒸发。 通过加热镍形成硅化镍。 尖端是自形成的，因为在硅化物表面上露出包含碳原子的等离子体。 蒸发的镍的厚度为5-200纳米。 氨等离子体暴露在镍上。 氨等离子体的暴露时间少于30分钟。 使用乙炔（C 2 H 2）或甲烷（CH 4）气体来形成碳等离子体。 使用电感耦合等离子体形成碳等离子体。 碳等离子体的密度大于1011cm -3。 硅晶片被掺杂为n型或p型。 在硅晶片上依次层叠硅镍合金，碳石墨和碳纳米尖端。
-
公开(公告)号：KR1020100002598A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062548
申请日：2008-06-30
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30415 , H01J2201/30453 , H01J2203/0228 , H01J2329/0418 , H01J2329/0444 , H01J2329/4626
Abstract: PURPOSE: A field emission array having carbon microstructure and method of manufacturing the same are provided to obtain high aspect ratio. CONSTITUTION: The photomask having the pattern groove in the surface of the transparent substrate(10) is attached. The negative photoresist is attached to the surface of photomask. In the opposite side of the part attaching to the photomask of the transparent substrate, the light is researched. A part of the negative photoresist hardens to the light researched through the pattern groove as the negative photoresist. The part which is not exposed to the negative photoresist is removed. The microstructure is heated and is carbonized. The cathode(33) for the voltage support is attached to the surface of the transparent substrate.
Abstract translation: 目的：提供具有碳微观结构的场致发射阵列及其制造方法以获得高纵横比。 构成：在透明基板（10）的表面具有图形槽的光掩模被安装。 负光致抗蚀剂附着在光掩模的表面。 在与透明基板的光掩模相连的部分的相对侧，研究光。 负光致抗蚀剂的一部分硬化到通过图案凹槽研究的光作为负光致抗蚀剂。 去除不暴露于负性光致抗蚀剂的部分。 微观结构被加热并被碳化。 用于电压支撑件的阴极（33）附接到透明基板的表面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
248
records
(took 0.029 seconds)
