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公开(公告)号:CN101656186A
公开(公告)日:2010-02-24
申请号:CN200910167373.7
申请日:2009-08-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/02 , H01J1/316 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J63/02 , H01J2201/316 , H01J2203/0236
Abstract: 本发明提供了一种电子发射器件以及发光装置。该电子发射器件包括:基板;多个第一布线单元,该多个第一布线单元中的每个包括沿第一方向在基板上延伸且彼此间隔开的多个第一电极;多个第二布线单元,该多个第二布线单元中的每个包括多个第二电极,每个第二电极沿与第一方向基本相反的方向延伸且插设在多个第一电极中的相邻第一电极之间;以及在第一电极的侧面处的多个第一电子发射器和在第二电极的侧面处的多个第二电子发射器,其中多个第一布线单元或者多个第二布线单元的至少之一被构造为单独驱动。
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公开(公告)号:CN100590778C
公开(公告)日:2010-02-17
申请号:CN200610067073.8
申请日:2006-03-31
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 安商爀
CPC classification number: H01J29/467 , H01J1/30 , H01J3/021 , H01J29/04 , H01J31/127
Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件,包括第一基板和面对第一基板的第二基板。第一电极和第二电极形成在第一基板上并且互相绝缘。电子发射区被电连接至第一电极或第二电极至少之一。荧光粉层形成在第二基板上。阳极形成在荧光粉层的表面上。电子发射区的区域为发射区域,并且第一电极或第二电极至少之一包括互相平行地间隔开、并且插入发射区域到其间的一对线部和横贯发射区域以互连该对线部的连接器。
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公开(公告)号:CN100555532C
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200510071649.3
申请日:2005-02-25
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 张喆铉
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 提供一种电子发射装置,其包括第一和第二基板,二者相对设置并以预定距离相互隔开。电子发射单元设置第一基板上,图像显示单元设置在第二基板上。包括多个束引导孔的聚焦电极设置在第一和第二基板之间。聚焦电极位于接近束引导孔的部分包括薄层。聚焦电极的其他部分包括厚层,该厚层的厚度大于薄层的厚度。
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公开(公告)号:CN101452797A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200710124827.3
申请日:2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源,其包括:一绝缘基底;一阴极发射电极设置于该绝缘基底上,且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上;一隔离体设置于该绝缘基底上;以及一金属栅网设置在该隔离体上,且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方;其中,该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一绝缘基底;在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极,且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上;在绝缘基底上制备一隔离体预制体,并对该隔离体预制体进行曝光;在上述隔离体预制体上制作一金属栅网;以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分,形成一隔离体与阴极电极间隔设置,从而得到一场发射电子源。
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公开(公告)号:CN1906724A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200580001426.8
申请日:2005-06-03
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J3/021 , B82Y10/00 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 提供了一种场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置。所述场致发射器件包括:阴极部分,所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体;形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分;以及,场致发射诱发栅极部分,所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和形成在所述金属网的至少一部分上的介电层,其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射,并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。根据这种结构,能够显著改善场致发射器件的传统问题,包括栅极漏电流、由阳极电压引起的电子发射和电子束发散。
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公开(公告)号:CN1870214A
公开(公告)日:2006-11-29
申请号:CN200610089831.6
申请日:2006-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 吴泰植
CPC classification number: H01J31/127 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置(FED),其具有四极透镜结构。该FED包括:后基板,阴极电极形成于其上;发射电子束的发射器,形成在该阴极电极上;栅电极,设置在该阴极电极的上表面之上,自该发射器引出电子;以及面对该后基板的上表面的前基板,其中阳极电极和荧光层形成在该前基板的下表面,其中,相应于每个发射器,四极透镜结构形成在该阴极电极和该阳极电极之间。
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公开(公告)号:CN1828812A
公开(公告)日:2006-09-06
申请号:CN200610054966.9
申请日:2006-02-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 黄成渊
CPC classification number: H01J1/66 , H01J3/021 , H01J29/24 , H01J29/481 , H01J63/04
Abstract: 一种电子发射装置,包括:其间具有预定距离的相互面对的第一和第二基板;和形成在所述第一基板上的电子发射区。第一和第二电极放置在第一基板上并相互绝缘以控制所述电子发射区的电子发射。绝缘层设置在所述第一与第二电极之间。阳极电极形成在所述第二基板上。磷光体层形成在所述阳极电极的表面上。所述绝缘层具有包括电物理性质彼此不相同的至少两层的多层结构。
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公开(公告)号:CN1828811A
公开(公告)日:2006-09-06
申请号:CN200610009599.0
申请日:2006-02-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 李昌洙
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/025 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 本发明的实施例包括具有多层聚焦电极的电子发射装置、包括所述电子发射装置的显示装置、以及制造所述电子发射装置的方法。在一实施例中,所述电子发射装置包括电子发射区域、形成在绝缘层上的聚焦电极、以及穿过所述聚焦电极和所述绝缘层的开口,所述开口对应于所述电子发射区域,其中所述聚焦电极包括多个聚焦电极层。
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公开(公告)号:CN1758412A
公开(公告)日:2006-04-12
申请号:CN200510071649.3
申请日:2005-02-25
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 张喆铉
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 提供一种电子发射装置,其包括第一和第二基板,二者相对设置并以预定距离相互隔开。电子发射单元设置第一基板上,图像显示单元设置在第二基板上。包括多个束引导孔的聚焦电极设置在第一和第二基板之间。聚焦电极位于接近束引导孔的部分包括薄层。聚焦电极的其他部分包括厚层,该厚层的厚度大于薄层的厚度。
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公开(公告)号:CN1737984A
公开(公告)日:2006-02-22
申请号:CN200510087859.1
申请日:2005-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供了一种具有优秀的电子束聚焦的场发射装置以及使用该场发射装置的场发射显示器。该场发射装置包括:基板;第一阴极电极,形成在基板上;绝缘层,形成在基板和第一阴极电极上,并具有暴露第一阴极电极部分的凹进部分;第二阴极电极,形成在绝缘层上,并电连接到第一阴极电极;电子发射器,形成在第一阴极电极由绝缘层暴露的部分上;栅极绝缘层,形成在第二阴极电极上,并具有暴露凹进部分的空腔;以及栅极电极,形成在栅极绝缘层上,并具有与空腔对齐的栅极孔。
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