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公开(公告)号：CN101452797A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
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公开(公告)号：CN105355521A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510853484.9
申请日：2015-11-28
Applicant: 青岛科技大学
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J19/24 , H01J2201/30484
Abstract: 本发明公开了一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法，该方法是将SiC纳米线置于管式炉中，抽真空至100Pa后，通入纯度为99.8％的氨气至炉内气压约为103kPa；以10℃/min的升温速率将炉温升至700～900℃，保温160～220min；关闭通气阀门，关闭电源，随炉冷却至室温得到提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线。该方法具有掺氮温度及能耗低，设备要求低，操作简便等优点，以制得的N掺杂SiC纳米线为场发射阴极材料具有比未掺杂的SiC纳米线更低的开启电场(0.8～1.05V/μm)和阈值电场(4～4.7V/μm)，在场发射冷阴极的制造方面，体现出较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN101515524A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910004963.8
申请日：2009-02-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469 , H01J2201/30484 , H01J2329/0439 , H01J2329/0455 , H01J2329/0465
Abstract: 本发明提供一种用于制备电子发射器的水基复合物及使用其制备的发射器。一种用于形成电子发射器的水基复合物，其包括含碳化合物、硅酸盐化合物和水。一种电子发射器包括含碳化合物和硅酸盐化合物，并且使用水基复合物来制备。一种电子发射器件包括该电子发射器。用于形成电子发射器的水基复合物适于形成特别的图案，且采用水基复合物制备的电子发射器具有非常小的残余碳量。
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公开(公告)号：CN102884605B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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公开(公告)号：CN102884605A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101452797B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
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7.发明授权Thermal-field type electron source composed of transition metal carbide material with artificial facet 有权由过渡金属碳化物材料与人造面组成的热场型电子源公开(公告)号：US09240301B1
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：US13851732
申请日：2013-03-27
Applicant: Applied Physics Technologies, Inc.
Inventor： William A. Mackie , Gerald G. Magera
CPC classification number: H01J1/148 , H01J1/14 , H01J1/146 , H01J19/10 , H01J37/06 , H01J2201/196 , H01J2201/2889 , H01J2201/30484 , H01J2201/317 , H01J2237/06316
Abstract: An electron source is made from mixed-metal carbide materials of high refractory nature. Producing field-enhanced thermionic emission, i.e., thermal-field or extended Schottky emission, from these materials entails the use of a certain low work function crystallographic direction, such as, for example, (100), (210), and (310). These materials do not naturally facet because of their refractory nature. The disclosed electron source made from transition metal carbide material is especially useful when installed in a scanning electron microscope (SEM) performing advanced imaging applications that require a high brightness, high beam current source.
Abstract translation: 电子源由具有高耐火性质的混合金属碳化物材料制成。 从这些材料产生场强增强的热离子发射，即热场或延伸的肖特基发射需要使用某种低功函数的晶体学方向，例如（100），（210）和（310） 。 这些材料由于其耐火性质而不自然而然。 所披露的由过渡金属碳化物材料制成的电子源在安装在需要高亮度，远光束电流源的先进成像应用的扫描电子显微镜（SEM）中是特别有用的。
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公开(公告)号：US20150061487A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：US14518253
申请日：2014-10-20
Inventor： Fred Sharifi , MYUNG-GYU KANG , HENRI LEZEC
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , C25F3/02 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/3048 , H01J2201/30484 , Y10S977/814 , Y10S977/888 , Y10S977/939
Abstract: A cold cathode field emission electron source capable of emission at levels comparable to thermal sources is described. Emission in excess of 6 A/cm2 at 7.5 V/μm is demonstrated in a macroscopic emitter array. The emitter is comprised of a monolithic and rigid porous semiconductor nanostructure with uniformly distributed emission sites, and is fabricated through a room temperature process which allows for control of emission properties. These electron sources can be used in a wide range of applications, including microwave electronics and x-ray imaging for medicine and security.
Abstract translation: 描述了能够以与热源相当的水平发射的冷阴极场致发射电子源。 在宏观发射极阵列中证明了在7.5V /μm下超过6A / cm 2的发射。 发射极由具有均匀分布的发射部位的单片和刚性多孔半导体纳米结构组成，并通过允许控制发射特性的室温工艺制造。 这些电子源可用于广泛的应用，包括微波电子学和医学和安全性的x射线成像。
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公开(公告)号：EP2375435B1
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：EP10159139.4
申请日：2010-04-06
Applicant: LightLab Sweden AB
Inventor： Hu, Qiu-Hong
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
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公开(公告)号：EP2375435A1
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：EP10159139.4
申请日：2010-04-06
Applicant: LightLab Sweden AB
Inventor： Hu, Qiu-Hong
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: The present invention relates to a field emission cathode, comprising an at least partly electrically conductive base structure, and a plurality of electrically conductive micrometer sized sections spatially distributed at the base structure, wherein at least a portion of the plurality of micrometer sized sections each are provided with a plurality of electrically conductive nanostructures.
Advantages of the invention include lower power consumption as well as an increase in light output of e.g. a field emission lighting arrangement comprising the field emission cathode.Abstract translation: 本发明涉及一种场致发射阴极，包括至少部分导电的基底结构，以及空间上分布在基底结构处的多个导电千分尺尺寸的部分，其中多个微米尺寸部分的至少一部分各自为 具有多个导电纳米结构。 本发明的优点包括较低的功耗以及例如光输出的增加。 包括场致发射阴极的场发射照明装置。
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