公开(公告)号：WO2004112109A1

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/EP2004/005957

申请日：2004-06-02

Applicant: LEDENTSOV, Nikolai Nikolaevich ,  SHCHUKIN, Vitaly Alexandrovich

Inventor： LEDENTSOV, Nikolai Nikolaevich ,  SHCHUKIN, Vitaly Alexandrovich

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/3245 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  Y10S438/902 ,  Y10S438/962

Abstract: A method for fabrication of defect-free epitaxial layers on top of a surface of a first defect-containing solid state material includes the steps of selective deposition of a second material, having a high temperature stability, on defect-free regions of the first solid state material, followed by subsequent evaporation of the regions in the vicinity of the defects, and subsequent overgrowth by a third material forming a defect-free layer.

Abstract translation: 在第一缺陷固态材料的表面顶部制造无缺陷外延层的方法包括以下步骤：将具有高温度稳定性的第二材料选择性沉积到第一固体的无缺陷区域上 然后在缺陷附近随后蒸发区域，随后由形成无缺陷层的第三材料过度生长。

公开(公告)号：WO0223641A9

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：PCT/US0128689

申请日：2001-09-14

Applicant: UNIV CALIFORNIA

Inventor： KIM JIM KWANG ,  HUNTINGTON ANDREW SUMIKA

IPC: H01L31/0304 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01S5/183 ,  H01S5/22 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L31/03046 ,  H01L33/10 ,  H01L33/30 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/2215 ,  H01S5/3201 ,  Y02E10/544

Abstract: The present invention creates oxide and air apertures in material systems, such as InP, that do not usually accommodate epitaxial incorporation of highly oxidizing materials, such as AIAs, of sufficient thickness to adequately provide optical as well as current aperturing. A composite structure of relatively slowly oxidizing layer or layers (e.g. AllnAs on InP) with a faster-oxidizing layer or layers (e.g. AIAs on InP) can be used to produce oxide and air apertures of various shapes and sizes, and to also increase the oxidation rate.

Abstract translation: 本发明在材料系统（例如InP）中产生氧化物和空气孔，其通常不适合外延掺入足够厚度的高度氧化材料（例如AlAs）以充分提供光学以及电流开启。 可以使用具有较快氧化层或层的相对缓慢氧化的层或层（例如，InP上的AllnAs）的复合结构（例如，InP上的AlAs）以产生各种形状和尺寸的氧化物和空气孔，并且还增加 氧化率。

公开(公告)号：WO02043204A2

公开(公告)日：2002-05-30

申请号：PCT/DE2001/004350

申请日：2001-11-20

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/40 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/4087

Abstract: The invention relates to an assembly of stacked semiconductor laser diodes, arranged on a substrate (1). A first laser diode (12) is positioned on the substrate (1) and a second laser diode (13) is positioned on top of the first laser diode (12). A contact layer (6) is located between the first laser diode (12) and the second laser diode (13). The contact layer (6) comprises a first conductive layer (18) of a first conductivity type, a second conductive layer (20) of a second conductivity type and an intermediate layer (19), which is located between the first and the second conductive layers (18, 20).

Abstract translation: 本发明涉及一种层叠的半导体二极管激光器，其被配置在基板（1）上的布置。 第一二极管激光器（12）的衬底（1）和第二二极管激光器（13）上布置在所述第一二极管（12）。 第一二极管（12）和第二二极管（13）之间设置的接触层（6）。 接触层（6）包括设置在第一和第二导电层之间的第一导电类型和第二导电类型的第二导电层（20）和中间层（19）的第一导电层（18）（18，20） ，

公开(公告)号：WO1998022996A2

公开(公告)日：1998-05-28

申请号：PCT/US1997019493

申请日：1997-10-28

Applicant: PICOLIGHT INCORPORATED

Inventor： PICOLIGHT INCORPORATED ,  JEWELL, Jack, L.

IPC: H01S00/00

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202

Abstract: An improved semiconductor structure is provided. The semiconductor structure comprises a first layer, the first layer having a restricted growth surface having a region with a transverse dimension D, the first layer having a first lattice constant L1; a first, last and at least one intermediate transition layers, the transition layers forming a transition region, the transition region disposed above the first layer, the transition region having a vertical tickness T, and where at least one of the transition layers has lattice constants between L1 and a second lattice constant L2 where the first transition layer has a lattice constant closer to the L1 than L2 and the last transition layer has a lattice constant closer to the L2 than L1; and a second layer disposed on the transition region, the second layer having the second lattice constant L2; wherein: the transition region has an average fractional change in lattice constant characterized by kappa where kappa = (D/T) {(L2 - L1)/L1}, where 0 /=2 mu m.

Abstract translation: 提供了一种改进的半导体结构。 半导体结构包括第一层，第一层具有受限制的生长表面，其具有横向尺寸D的区域，第一层具有第一晶格常数L1; 第一，最后和至少一个中间过渡层，所述过渡层形成过渡区域，所述过渡区域设置在所述第一层上方，所述过渡区域具有垂直刻度T，并且其中所述过渡层中的至少一个具有晶格常数 在L1和第二晶格常数L2之间，其中第一过渡层具有比L2更靠近L1的晶格常数，并且最后的过渡层具有比L1更靠近L2的晶格常数; 以及设置在所述过渡区域上的第二层，所述第二层具有所述第二晶格常数L2; 其中：所述过渡区域具有以kappa为特征的晶格常数的平均分数变化，其中kappa =（D / T）{（L2-L1）/ L1}，其中0≤I≤I≤10，其中D> 2亩

公开(公告)号：WO1997033351A1

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：PCT/JP1997000643

申请日：1997-03-03

Applicant: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  ADACHI, Hideto ,  KIDOGUCHI, Isao ,  KUMABUCHI, Yasuhito

Inventor： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

IPC: H01S03/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3218 ,  H01S5/34326

Abstract: A semiconductor laser is provided at least with an active layer and a saturable absorption layer and the amount of compressive strain of the absorption layer is set about 0.3 % or more larger than that of the active layer. Alternatively, the semiconductor laser is provided at least with the active layer, saturable absorption layer, and a light guide layer arranged near the absorption layer and the amount of compressive strain of the absorption layer is about 0.3 % or larger than that of the active layer.

Abstract translation: 至少提供有源层和可饱和吸收层的半导体激光器，并且吸收层的压缩应变量被设定为比有源层大约0.3％或更大。 或者，半导体激光器至少设置有活性层，可饱和吸收层和布置在吸收层附近的导光层，并且吸收层的压缩应变量比活性层的约0.3％或更大 。

公开(公告)号：WO1993023882A1

公开(公告)日：1993-11-25

申请号：PCT/US1993003553

申请日：1993-04-14

Applicant: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY

Inventor： CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  MCCALDIN, James, O. ,  MCGILL, Thomas, C. ,  PHILLIPS, Mark, C.

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/0029 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/322 ,  H01S5/327

Abstract: TYPE-II semiconductor heterojunction light emitting devices formed on a substrate (10) are described wherein a graded injection layer (18) is used to accelerate electrons over the electron barrier formed by the junction. Further, wide band gap semiconductor LEDs and lasers are proposed formed of II-VI materials which emit light in the blue and green wavelengths. Particularly, a system composed of n-CdSe:A1/MgxCd1-xSe/MgyZn1-yTe/p-ZnTe are described where the value of y determines the wavelength of the emitted light in the green or blue region and x varies across the graded injection layer for raising the energy levels of excited electrons.

Abstract translation: 描述形成在衬底（10）上的类型II半导体异质结发光器件，其中使用渐变注入层（18）来加速由结形成的电子势垒上的电子。 此外，提出了由发射蓝色和绿色波长的光的II-VI材料形成的宽带隙半导体LED和激光器。 特别地，描述了由n-CdSe：A1 / MgxCd1-xSe / MgyZn1-yTe / p-ZnTe组成的系统，其中y的值确定绿色或蓝色区域中发射的光的波长，并且x在渐变注入 提高激发电子能级的层。

公开(公告)号：WO2018013717A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：PCT/US2017/041761

申请日：2017-07-12

Applicant: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. ,  SDPHOTONICS, LLC ,  DEPPE, Dennis, G.

Inventor： DEPPE, Dennis, G.

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18308 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18322 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2054 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/323 ,  H01S2301/166

Abstract: A semiconductor vertical light source includes an upper mirror and a lower mirror. An active region is between the upper and lower mirror. The light source includes an inner mode confinement region and outer current blocking region. The outer current blocking region includes a common epitaxial layer that includes an epitaxially regrown interface which is between the active region and upper mirror, and a conducting channel including acceptors is in the inner mode confinement region. The current blocking region includes a first impurity doped region with donors between the epitaxially regrown interface and active region, and a second impurity doped region with acceptors is between the first doped region and lower mirror. The outer current blocking region provides a PNPN current blocking region that includes the upper mirror or a p-type layer, first doped region, second doped region, and lower mirror or an n-type layer.

Abstract translation: 半导体垂直光源包括上部反射镜和下部反射镜。 有源区位于上下镜之间。 光源包括内模式限制区域和外部电流阻挡区域。 外部电流阻挡区域包括共同的外延层，该共同的外延层包括位于有源区和上部反射镜之间的外延再生长的界面，并且包含受体的导电沟道处于内部模式限制区中。 电流阻挡区包括在外延再生长界面和有源区之间具有施主的第一杂质掺杂区，并且具有受主的第二杂质掺杂区位于第一掺杂区和下镜之间。 外部电流阻挡区域提供PNPN电流阻挡区域，其包括上部反射镜或p型层，第一掺杂区域，第二掺杂区域和下部反射镜或n型层。

公开(公告)号：WO2017081010A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：PCT/EP2016/076986

申请日：2016-11-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BACHMANN, Alexander ,  LAUER, Christian ,  FURITSCH, Michael

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/2036 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/18

Abstract: Eine Halbleiterlaserdiode weist eine Schichtenfolge auf, die eine Mehrzahl in einer Wachstumsrichtung übereinander angeordneter Schichten umfasst. Die Halbleiterlaserdiode weist eine Spiegelfacette und eine Auskoppelfacette auf, zwischen denen ein sich in eine longitudinale Richtung erstreckender Resonator gebildet ist. Die Schichtenfolge umfasst eine aktive Schicht, in der ein aktiver Bereich ausgebildet ist. Die Schichtenfolge umfasst eine in Wachstumsrichtung oberhalb der aktiven Schicht angeordnete verspannte Schicht.

Abstract translation: 半导体激光二极管具有包括沿彼此的生长方向布置的多个层的层序列。 半导体激光二极管具有镜面和耦合输出面，耦合输出面之间形成沿纵向延伸的谐振器。 层序列包括其中形成有源区的有源层。 层序列包括在有源层上方沿生长方向排列的应变层。

公开(公告)号：WO2016164765A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/US2016/026707

申请日：2016-04-08

Applicant: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM

Inventor： RYOU, Jae-Hyun ,  SHERVIN, Shahab ,  KIM, Seung Hwan

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01S5/3201 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/84 ,  H01L33/02 ,  H01L33/486 ,  H01S5/32391 ,  H01S5/3406

Abstract: Externally-strained devices such as LED and FET structures as discussed herein may have strain applied before or during their being coupled to a housing or packaging substrate. The packaging substrate may also be strained prior to receiving the structure. The strain on the devices enables modulation of light intensity, color, and electrical currents in some embodiments, and in alternate embodiments, enables a fixed strain to be induced and maintained in the structures.

Abstract translation: 如本文所讨论的诸如LED和FET结构的外部应变器件可以在其耦合到壳体或封装衬底之前或期间施加应变。 在接收结构之前，包装衬底也可能变形。 在一些实施例中，器件上的应变使得能够调制光强度，颜色和电流，并且在替代实施例中，能够在结构中引起并维持固定的应变。

公开(公告)号：WO2015001692A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/JP2014/001815

申请日：2014-03-28

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 能崎　信一郎 ,  大野　啓 ,  川口　真生

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 　本開示の半導体発光素子は、基板と、基板の上に形成された、窒化物半導体よりなるｎ型クラッド層と、ｎ型クラッド層の上に形成された、窒化物半導体よりなる活性層と、活性層の上に形成された、窒化物半導体よりなるｐ型クラッド層とを有する。ｎ型クラッド層は、少なくとも組成の異なる第１のｎ型窒化物半導体層と第２のｎ型窒化物半導体層が交互に積層された多層膜からなり、かつｎ型クラッド層の平均の格子定数がＧａＮの格子定数よりも大きい。

Abstract translation: 该半导体发光元件设置有基板，形成在基板上并由氮化物半导体构成的n型包覆层，形成在n型包层上并由氮化物半导体构成的有源层，p 型覆层形成在有源层上并由氮化物半导体构成。 n型包覆层包括通过交替层叠具有至少不同组成的第一n型氮化物半导体层和第二n型氮化物半导体层而形成的多层膜，并且n型覆层的平均晶格常数 大于GaN的晶格常数。