公开(公告)号：CN120072596A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510543819.0

申请日：2025-04-28

Applicant: 深圳大学

Inventor： 李波 ,  何文龙

IPC: H01J1/46 ,  H01J3/08 ,  H01J3/02

Abstract: 本发明公开了一种电极组件、电子枪及电子枪设备，涉及微波毫米波技术领域，电子枪包括用于接入第一加速电压信号的阳极，电极组件设于阳极内，电极组件包括阴极、第一控制电极和第二控制电极；阴极具有用于发射电子束的发射面；阴极设于第一控制电极内；第二控制电极设于第一控制电极内，第二控制电极的第二边缘朝向第一控制电极的第一边缘设置并与第一边缘之间形成供电子束穿设的电子穿透缝隙，电子穿透缝隙朝向发射面并与阳极连通；第一控制电极和第二控制电极用于接入小于第一加速电压信号的第二加速电压信号；本发明可以解决电子枪在高频率、高功率及短脉冲操作中需要复杂昂贵的高功率脉冲调制电路以及高压快速开关噪声影响的问题。

公开(公告)号：CN120048705A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510201741.4

申请日：2025-02-24

Applicant: 广州赛隆增材制造有限责任公司

Inventor： 汪强兵 ,  汤慧萍 ,  林惠娴 ,  张莹 ,  李鹏展

IPC: H01J3/02 ,  H01J3/06 ,  H01J3/08 ,  H01J3/12 ,  B33Y10/00 ,  B22F12/41 ,  B22F12/45 ,  B22F10/28 ,  B33Y30/00 ,  B22F12/13

Abstract: 本发明属于增材制造技术领域，公开了一种多电子枪、多电子发射装置及增材制造装备。此多电子枪包括依次呈同轴对中自上而下间隔布设的阴极组件和阳极组件，阴极组件包括第一阴极和围绕第一阴极设置的若干第二阴极，第一阴极能够发射第一电子，若干第二阴极能够发射若干第二电子；阳极组件包括阳极板、多栅极结构和出口，阳极板用于吸引第一电子和若干第二电子，多栅极结构包括第一栅极和第二栅极，第一栅极用于调控第一电子形成第一电子束，第二栅极用于调控若干第二电子以形成若干第二电子束，第一电子束和若干第二电子束从出口射出以形成总电子束。第一电子束和若干第二电子束能量可调制，使得熔池的温度更加稳定。

公开(公告)号：CN119811957A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510015857.9

申请日：2025-01-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 曾明 ,  刘辉 ,  靳旭红 ,  于达仁

IPC: H01J3/08 ,  H01J1/13

Abstract: 一种基于微波增强调控的热发射阴极，属于空间电推进领域及电真空器件领域，本发明为解决常规热发射阴极电子发射电流调控能力差、对等离子体环境干扰大的问题。本发明包括热电子发射单元、微波馈入接头和谐振腔室，热电子发射单元同轴设置于谐振腔室中；微波馈入接头从侧面垂直腔体插入谐振腔室中并与热电子发射单元的波导导通连接；热电子发射单元用于在直流电场下发射热电子；微波馈入接头用于将微波馈入谐振腔室内，微波在谐振腔室的开路端和短路端反复反射，在电子发射单元的波导表面形成驻波，并在电子发射单元的发射体上形成强驻波电场，进而实现增大电子发射电流的调控。

公开(公告)号：CN119542091A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411520259.9

申请日：2024-10-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  王旸

IPC: H01J3/02 ,  H01J9/00 ,  H01J9/18 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种场发射器件及其制备方法，属于真空微纳电子器件领域。本发明制备的场发射器件包括栅‑阳极一体结构和阴极结构；栅‑阳极一体结构包括位于高导电阳极背面的金属电极，位于高导电阳极正面的阳极‑栅极绝缘层，位于阳极‑栅极绝缘层上的图形化栅极层，位于栅极层上的栅极‑阴极绝缘层，以及位于栅极‑阴极绝缘层上的栅极金属引线电极；其中栅极金属引线电极临近栅极工作区域，连接于栅极层；阴极结构包括衬底，位于衬底正面的阴极，以及位于阴极背面的金属电极；阴极结构的阴极一侧固定在栅‑阳极一体结构的栅极工作区域的栅极‑阴极绝缘层上。本发明能够增强器件的性能优化与调控能力，降低制备成本和难度。

公开(公告)号：CN112992628B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202011394426.1

申请日：2020-12-02

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： 菲利普·马科廷 ,  大卫·海耶斯 ,  拉塞尔·斯图茨 ,  帕特丽夏·李 ,  约翰·盖布勒 ,  克里斯托弗·兰格

IPC: H01J3/38 ,  G06N10/40

Abstract: 本发明题为用于离子阱的装置、系统和方法。本发明提供了一个离子阱装置。该离子阱装置包括形成有基本上平行的纵向轴线和有基本上共面的上表面的两个或更多个射频(RF)导轨；以及捕获和/或传输(TT)电极的两个或更多个序列，其中每个序列形成为基本上平行于该RF导轨的该基本上平行的纵向轴线延伸。该两个或更多个RF导轨和TT电极的该两个或更多个序列限定离子阱。TT电极的该两个或更多个序列被布置成多个区。每个区包括该TT电极的宽匹配组和该TT电极的至少一个窄匹配组。宽TT电极在基本上平行于该RF导轨的该基本上平行的纵向轴线的方向上比窄TT电极更长和/或更宽。

公开(公告)号：CN117850169B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202311608393.X

申请日：2023-11-28

Applicant: 上海集成电路材料研究院有限公司

Inventor： 刘强 ,  王诗男

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01J3/00

Abstract: 本发明提供一种电子束发射电路以及电子束直写装置，包括：M个电子束源发射模块以及电子束源控制模块；M为大于等于1的整数；电子束源控制模块用于产生N种选通信号，N为大于等于2的整数；各电子束源发射模块分别连接电子束源控制电路；其中，各电子束源发射模块中任一电子束源发射模块在同时接收到N种选通信号时导通，进而发射对应的电子束。本发明能解决现有的电子直写技术存在的电子束流强度低、图形精度不足、直写效率不够以及不易控制等问题。

公开(公告)号：CN119170466A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411300952.5

申请日：2024-09-18

Applicant: 中山大学

Inventor： 张宇 ,  姜俊 ,  邓少芝 ,  许宁生

IPC: H01J3/02 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明提出一种双层场发射冷阴极电子源及其制造方法，涉及纳米电子技术领域，所述双层场发射冷阴极电子源包括从下至上依次连接的第一阴极、绝缘层、第二阴极和栅极；所述第一阴极包括导电衬底和第一层场发射体，第一层场发射体设置于导电衬底的上表面；所述第二阴极包括导电网格和第二层场发射体，第二层场发射体设置于导电网格的上表面，通过提高冷阴极发射体的有效发射面积，提升了场发射电流和电流密度；其制造方法简单、通用性高、可重复性高，有利于场发射电子源的电流提升，为推进大电流电子源在真空微电子器件应用提供了可行方案。

公开(公告)号：CN118610053A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410815605.X

申请日：2024-06-24

Applicant: 温州大学

Inventor： 张建 ,  王浩天

IPC: H01J3/02 ,  H01J3/14

Abstract: 本发明公开了一种面向太赫兹微波放大器的冷阴极电子枪及其使用方法，包括枪壳、阳极、冷阴极和栅极，枪壳包括由下向上依次连接的阴极支撑、低压瓷环、栅极支撑、高压瓷环以及管芯封接环，冷阴极设置在阴极支撑上，栅极设置在栅极支撑上，栅极上开设有与冷阴极对应的贯通的栅极孔，冷阴极与所述栅极正对且不接触；本发明依据冷阴极发射原理与电子束流聚焦光学的设计，使得电子枪阴极能够发射较强的发射电流，同时在聚焦结构电场分布下实现对电子注较好的高倍压缩，其具有瞬时启动、低功耗、易集成的特点，同时，该电子枪具有极细、强流的电子注输出能力，仿真计算结果表明其输出的束流直径最小约为40μm，同时具有较大的电流输出能力，输出电流达到2mA以上。

公开(公告)号：CN118571726A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410648001.0

申请日：2024-05-23

Applicant: 北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)

Inventor： 陈丽芳 ,  李冬凤 ,  冯海平 ,  孙福江

IPC: H01J1/92 ,  H01J3/02 ,  H01J9/18 ,  B21D37/10 ,  B21D3/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种连接件、电子枪、整形模具及电子枪装配方法，包括第一连接部，以及位于所述第一连接部的一端端部的多个连接片；所述多个连接片沿所述第一连接部的圆周轮廓均匀布置，所述多个连接片之间相互分离；所述连接片包括与所述第一连接部连接的过渡部，以及位于所述过渡部远离所述第一连接部的一端的第二连接部，所述第二连接部沿所述第一连接部的轴向方向延伸设置；多个所述连接片的第二连接部分隔设置且呈环状分布，所述过渡部由所述第一连接部向第二连接部倾斜设置；所述第一连接部呈圆环形，所述第一连接部的直径不等于所述第二连接部所处环形的直径。结合连接件的结构和电子枪的装配方法，解决了电子枪成品率低的问题。

公开(公告)号：CN118414683A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280083655.2

申请日：2022-10-13

Applicant: ICT半导体集成电路测试有限公司

Inventor： P·阿达麦茨

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/07 ,  H01J37/073 ,  H01J3/02

Abstract: 描述了一种电子显微镜(100)。电子显微镜包括用于产生电子束的电子源(110)、用于准直电子源下游的电子束的聚光透镜(130)和用于将电子束聚焦到样本(16)上的物镜(140)。电子源包括：冷场发射器，具有发射尖端(112)；提取电极(114)，用于从冷场发射器提取电子束(105)以沿光轴线(A)传播，提取电极具有被配置为第一射束限制孔的第一开口(115)、用于通过加热发射尖端(112)来清洁发射尖端的第一清洁布置(121)、以及用于通过加热提取电极(114)来清洁提取电极的第二清洁布置(122)。进一步描述了操作这种电子显微镜的方法。