公开(公告)号：TW201822276A

公开(公告)日：2018-06-16

申请号：TW107106634

申请日：2014-12-18

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 梅特羅雷傑H. ,  MATERO,RAIJA H.

IPC: H01L21/3205

Abstract: 在一些態樣中，提供使用循環沈積製程形成鍺薄膜之方法。在一些實施例中，所述鍺薄膜在反應室中形成於基板上，且所述製程包含使所述基板交替且連續地與氣相鍺前驅物及氮反應物接觸之一個或多於一個沈積循環。在一些實施例中，重複所述製程直至已形成具有所要厚度之鍺薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 在一些态样中，提供使用循环沉积制程形成锗薄膜之方法。在一些实施例中，所述锗薄膜在反应室中形成于基板上，且所述制程包含使所述基板交替且连续地与气相锗前驱物及氮反应物接触之一个或多于一个沉积循环。在一些实施例中，重复所述制程直至已形成具有所要厚度之锗薄膜。

公开(公告)号：TWD189313S

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW106302780

申请日：2017-05-24

Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Designer： 鄭相振 ,  JEONG, SANG JIN ,  韓政勳 ,  HAN, JEUNG HOON ,  崔永錫 ,  CHOI, YOUNG SEOK ,  朴柱赫 ,  PARK, JU HYUK

公开(公告)号：TW201809333A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106114561

申请日：2017-05-03

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 凡 艾琳娜 ,  FARM, ELINA ,  末盛 秀美 ,  SUEMORI, HIDEMI ,  梅特洛 雷傑 ,  MATERO, RAIJA ,  尼森卡恩 安堤 ,  NISKANEN, ANTTI ,  賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P.

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/32

Abstract: 本發明提供其中將材料相對於第二有機表面選擇性地沈積於基板的第一表面上的氣相沈積製程。在某些實施例中，使包括第一表面（例如金屬、半金屬、或者氧化金屬或氧化半金屬）的基板與第一氣相疏水性反應物及第二氣相反應物接觸，以使得所述材料相對於第二有機表面選擇性地沈積於第一表面上。第二有機表面可包含例如自組裝單層、定向自組裝層或聚合物（例如聚醯亞胺、聚醯胺、聚脲、或聚苯乙烯）。進行沈積的材料可為例如金屬材料或金屬性材料。在某些實施例中，所述材料為金屬氧化物（例如ZrO2或HfO2）。在某些實施例中，氣相沈積製程為循環化學氣相沈積（CVD）製程或原子層沈積（ALD）製程。在某些實施例中，所述材料以大於約50%、大於約60%、大於約70%、大於約80%、大於約90%、或大於約95%的選擇性相對於第二表面沈積於第一表面上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供其中将材料相对于第二有机表面选择性地沉积于基板的第一表面上的气相沉积制程。在某些实施例中，使包括第一表面（例如金属、半金属、或者氧化金属或氧化半金属）的基板与第一气相疏水性反应物及第二气相反应物接触，以使得所述材料相对于第二有机表面选择性地沉积于第一表面上。第二有机表面可包含例如自组装单层、定向自组装层或聚合物（例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚脲、或聚苯乙烯）。进行沉积的材料可为例如金属材料或金属性材料。在某些实施例中，所述材料为金属氧化物（例如ZrO2或HfO2）。在某些实施例中，气相沉积制程为循环化学气相沉积（CVD）制程或原子层沉积（ALD）制程。在某些实施例中，所述材料以大于约50%、大于约60%、大于约70%、大于约80%、大于约90%、或大于约95%的选择性相对于第二表面沉积于第一表面上。

公开(公告)号：TW201807239A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106112725

申请日：2017-04-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V. ,  愛美科公司 ,  IMEC VZW

Inventor： 梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  內本 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  葛漢德 羅爾 ,  GRONHEID, ROEL ,  辛區 艾爾君 ,  SINGH, ARJUN

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C23C8/02 ,  C23C8/06 ,  C23C8/80 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0338 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32

Abstract: 揭露一種使用退火步驟及沈積步驟來形成膜的方法。所述方法包括用於在聚合物內誘發自組裝或對齊的退火步驟。所述方法亦包括選擇性沈積步驟以在聚合物上達成選擇性沈積。

Abstract in simplified Chinese: 揭露一种使用退火步骤及沉积步骤来形成膜的方法。所述方法包括用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述方法亦包括选择性沉积步骤以在聚合物上达成选择性沉积。

公开(公告)号：TW201802874A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106112840

申请日：2017-04-18

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V. ,  愛美科公司 ,  IMEC VZW

Inventor： 內本 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  斯托克霍夫 馬丁 ,  STOKHOF, MAARTEN ,  葛漢德 羅爾 ,  GRONHEID, ROEL ,  斯里拉曼 哈利 琶森吉 ,  SRIRAMAN, HARI PATHANGI

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0271 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/768

Abstract: 一種藉由以下步驟於基底上形成定向自組裝（DSA）層之方法：提供基底；在所述基底上施加包含自組裝材料的層；以及藉由在所述基底周圍提供受控的溫度及受控的氣體環境而將所述層的所述自組裝材料退火以形成定向自組裝層。所述受控的氣體環境以介於10帕至2000帕之間的分壓包含含有氧元素的分子。

Abstract in simplified Chinese: 一种借由以下步骤于基底上形成定向自组装（DSA）层之方法：提供基底；在所述基底上施加包含自组装材料的层；以及借由在所述基底周围提供受控的温度及受控的气体环境而将所述层的所述自组装材料退火以形成定向自组装层。所述受控的气体环境以介于10帕至2000帕之间的分压包含含有氧元素的分子。

公开(公告)号：TW201801135A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106107502

申请日：2017-03-08

Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 姜東錫 ,  KANG, DONG SEOK ,  張僥徹 ,  JANG, YO CHUL

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/54 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 本發明提供一種電漿穩定方法以及使用所述電漿穩定方法的沉積方法。所述電漿穩定方法包含：（a）供應源氣體；（b）供應沖洗氣體；（c）供應反應性氣體；以及（d）供應電漿，其中在步驟（a）到步驟（d）期間將所述沖洗氣體和所述反應性氣體連續地供應到反應器中，且在所述反應器中不存在基底的狀態中執行所述電漿穩定方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种等离子稳定方法以及使用所述等离子稳定方法的沉积方法。所述等离子稳定方法包含：（a）供应源气体；（b）供应冲洗气体；（c）供应反应性气体；以及（d）供应等离子，其中在步骤（a）到步骤（d）期间将所述冲洗气体和所述反应性气体连续地供应到反应器中，且在所述反应器中不存在基底的状态中运行所述等离子稳定方法。

公开(公告)号：TW201726965A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105136356

申请日：2016-11-09

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 鈴木 俊哉 ,  SUZUKI, TOSHIYA ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J.

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111

Abstract: 本發明提供用於在反應空間中在基板上沈積氮碳氧化矽（SiOCN）薄膜的方法。所述方法可包括至少一個電漿增強型原子層沈積（PEALD）循環，所述電漿增強型原子層沈積（PEALD）循環包括使基板交替地且依序地接觸矽前驅物及不包含氧的第二反應物。在某些實施例中所述方法使得能夠沈積具有改善的酸系耐濕蝕刻性的氮碳氧化矽膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于在反应空间中在基板上沉积氮碳氧化硅（SiOCN）薄膜的方法。所述方法可包括至少一个等离子增强型原子层沉积（PEALD）循环，所述等离子增强型原子层沉积（PEALD）循环包括使基板交替地且依序地接触硅前驱物及不包含氧的第二反应物。在某些实施例中所述方法使得能够沉积具有改善的酸系耐湿蚀刻性的氮碳氧化硅膜。

公开(公告)号：TW201725276A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW106113179

申请日：2014-03-11

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 陳傑利 ,  CHEN,JERRY ,  馬高特森弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN,VLADIMIR ,  米利根布倫南 ,  MILLIGAN,BRENNAN ,  梅茲詹姆 威廉 ,  MAES,JAN WILLEM ,  賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  布倫堡湯姆 E. ,  BLOMBERG,TOM E. ,  李東 ,  LI,DONG

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

Abstract: 一種在基板上處理氮化物薄膜的方法，以形成包括矽或硼的頂蓋層。所述在基板上處理氮化物薄膜的方法包括使所述氮化物薄膜暴露於矽烷化合物或硼烷化合物，以形成包括矽或硼的所述頂蓋層，其中所述頂蓋層至少部分避免所述氮化物薄膜在後續製程中進一步氧化或避免後續沈積在經處理的膜上的膜的進一步氧化。

Abstract in simplified Chinese: 一种在基板上处理氮化物薄膜的方法，以形成包括硅或硼的顶盖层。所述在基板上处理氮化物薄膜的方法包括使所述氮化物薄膜暴露于硅烷化合物或硼烷化合物，以形成包括硅或硼的所述顶盖层，其中所述顶盖层至少部分避免所述氮化物薄膜在后续制程中进一步氧化或避免后续沉积在经处理的膜上的膜的进一步氧化。

公开(公告)号：TW201714218A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105122166

申请日：2016-07-14

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 伍德魯夫 雅各 赫夫曼 ,  WOODRUFF, JACOB HUFFMAN

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/32053 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明提供一種形成金屬矽化物之方法，所述方法可包括在基板之經暴露矽區上沈積界面層，其中所述界面層包括矽化物形成金屬及非矽化物形成元素。所述方法可包括在所述界面層上沈積金屬氧化物層，其中所述金屬氧化物層包括第二矽化物形成金屬。隨後可加熱所述基板以使用來自所述經暴露矽區之矽、所述界面層之所述第一矽化物形成金屬及所述金屬氧化物層之所述第二矽化物形成金屬在所述界面層之下形成所述金屬矽化物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种形成金属硅化物之方法，所述方法可包括在基板之经暴露硅区上沉积界面层，其中所述界面层包括硅化物形成金属及非硅化物形成元素。所述方法可包括在所述界面层上沉积金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包括第二硅化物形成金属。随后可加热所述基板以使用来自所述经暴露硅区之硅、所述界面层之所述第一硅化物形成金属及所述金属氧化物层之所述第二硅化物形成金属在所述界面层之下形成所述金属硅化物。

公开(公告)号：TW201712140A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW105124388

申请日：2016-08-02

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P. ,  梅特羅 雷傑 H. ,  MATERO, RAIJA H. ,  凡 艾琳娜 ,  FARM, ELINA ,  布倫堡 湯姆 E. ,  BLOMBERG, TOM E.

IPC: C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/04 ,  C23C16/405

Abstract: 提供在基板的第一金屬或金屬性表面上相對於基板的第二介電質表面選擇性地沈積材料、或在基板的第一金屬氧化物表面上相對於第二矽氧化物表面選擇性地沈積金屬氧化物的方法。被選擇性地沈積的材料可為例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬矽化物、金屬碳化物及/或介電質材料。在一些實施例中，包括第一金屬或金屬性表面及第二介電質表面的基板交替地且依序地與第一氣相金屬鹵化物反應物及第二反應物接觸。在一些實施例中，包括第一金屬氧化物表面及第二矽氧化物表面的基板交替地且依序地與第一氣相金屬氟化物或氯化物反應物及水接觸。

Abstract in simplified Chinese: 提供在基板的第一金属或金属性表面上相对于基板的第二介电质表面选择性地沉积材料、或在基板的第一金属氧化物表面上相对于第二硅氧化物表面选择性地沉积金属氧化物的方法。被选择性地沉积的材料可为例如金属、金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、金属碳化物及/或介电质材料。在一些实施例中，包括第一金属或金属性表面及第二介电质表面的基板交替地且依序地与第一气相金属卤化物反应物及第二反应物接触。在一些实施例中，包括第一金属氧化物表面及第二硅氧化物表面的基板交替地且依序地与第一气相金属氟化物或氯化物反应物及水接触。