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    CAPTEUR D'IMAGES COULEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    111.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGES COULEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION 未知

    公开(公告)号：FR3032557A1

    公开(公告)日：2016-08-12

    申请号：FR1551035

    申请日：2015-02-10

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： CROCHERIE AXEL ,  ODDOU JEAN-PIERRE ,  ALLEGRET-MARET STEPHANE ,  LEININGER HUGUES

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'images couleur comprenant un réseau de pixels (7A, 7B) formés dans une couche semiconductrice (1) dont une face arrière est destinée à recevoir un éclairement ; des murs conducteurs isolés (27) pénétrant dans la couche semiconductrice à partir de sa face arrière et séparant les pixels les uns des autres ; et en regard de chaque pixel, un filtre couleur (39A, 39B) pénétrant dans 5 à 30 % de l'épaisseur de la couche semiconductrice à partir de sa face arrière et occupant au moins 90 % de la surface délimitée par les murs, une couche électriquement conductrice (23, 25) s'étendant de la paroi latérale du filtre jusqu'aux murs.

    CAPTEUR D'IMAGE ECLAIRE ET CONNECTE PAR SA FACE ARRIERE
    113.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE ECLAIRE ET CONNECTE PAR SA FACE ARRIERE 未知

    公开(公告)号：FR3030113A1

    公开(公告)日：2016-06-17

    申请号：FR1462456

    申请日：2014-12-15

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： AHMED NAYERA ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant une couche semi conductrice (1) ; un empilement (3) de couches isolantes (51, 53, 55) reposant sur la face arrière (F1) de la couche semiconductrice ; une portion de couche conductrice (59) s'étendant sur une partie de la hauteur de l'empilement (3) et affleurant au niveau de la surface exposée de l'empilement ; des doigts conducteurs isolés latéralement (57) s'étendant à travers la couche semiconductrice (1) à partir de sa face avant (F2) et pénétrant dans ladite portion de couche (59) ; des murs conducteurs isolés latéralement (25) séparant des zones de pixel, ces murs s'étendant à travers la couche semiconductrice (1) à partir de sa face avant (F2) et étant moins hauts que les doigts (57) ; et une structure d'interconnexion (5) reposant sur la face avant (F2) de la couche semiconductrice (1) et comportant des vias (13) en contact avec les doigts (57).

    DISPOSITIF D'IMAGERIE INTEGRE A ILLUMINATION FACE ARRIERE AVEC ROUTAGE D'INTERCONNEXION SIMPLIFIE
    116.
    发明专利
    DISPOSITIF D'IMAGERIE INTEGRE A ILLUMINATION FACE ARRIERE AVEC ROUTAGE D'INTERCONNEXION SIMPLIFIE 未知

    公开(公告)号：FR3026891A1

    公开(公告)日：2016-04-08

    申请号：FR1459541

    申请日：2014-10-06

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： GUYADER FRANCOIS ,  ODDOU JEAN-PIERRE ,  ALLEGRET-MARET STEPHANE ,  GROS-JEAN MICKAEL

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Dispositif d'imagerie intégré à illumination face arrière, comprenant un substrat semiconducteur et une zone (2) de pixels utiles (PX) délimités par des tranchées d'isolation profondes capacitives (3) ménagées dans le substrat. Le dispositif comprend une zone périphérique (4) située à l'extérieur de ladite zone (2) de pixels utiles, des plots de contacts (6), et une couche électriquement conductrice continue (5) configurée pour au moins former dans ladite zone de pixels utiles, une électrode dans chaque tranchée d'isolation profonde capacitive, et dans ladite zone périphérique, une couche de redistribution (51) électriquement couplée d'une part à toutes les électrodes et d'autre part à au moins un plot de contact (60) destiné à recevoir une tension de polarisation de toutes lesdites électrodes, ladite électrode étant située dans la tranchée capacitive correspondante entre un diélectrique de tranchée et au moins un matériau de remplissage de ladite tranchée électriquement isolant.

    DISPOSITIF INTEGRE PHOTONIQUE A COMPACITE AMELIOREE
    117.
    发明专利
    DISPOSITIF INTEGRE PHOTONIQUE A COMPACITE AMELIOREE 未知

    公开(公告)号：FR3054894A1

    公开(公告)日：2018-02-09

    申请号：FR1657524

    申请日：2016-08-03

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  LEMAITRE PATRICK ,  BOROT BERTRAND

    IPC: G02B6/43 ,  B82Y10/00 ,  G02B6/24 ,  G02F1/065

    Abstract: Un module de couplage (1) comporte des coupleurs optiques (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9) couplés chacun à un guide d'ondes (41, 51, 52, 91, 81, 92), un dispositif d'entrée-sortie comportant une fibre optique multi-cœurs dont chaque cœur (10) est couplé à un coupleur optique, chaque guide d'ondes (41, 51, 52, 91, 81, 92) comportant une partie externe (410, 510, 520, 810, 910, 920) s'étendant depuis le module et une partie interne (411, 511, 521, 811, 911, 921) s'étendant dans le module et raccordant ladite partie externe au coupleur associé, la partie externe de l'un au moins des guides d'ondes s'étendant selon la direction préférentielle (D1) et la partie externe d'au moins un autre guide d'ondes s'étendant selon une direction (D2) opposée à ladite direction préférentielle (D1), sa partie interne possédant une portion courbée (512, 522, 912, 922) configurée pour réaliser un virage du type demi-tour.

    PROCEDE DE CARACTERISATION DE DISPOSITIFS PHOTONIQUES, ET DISPOSITIF ASSOCIE.
    118.
    发明专利
    PROCEDE DE CARACTERISATION DE DISPOSITIFS PHOTONIQUES, ET DISPOSITIF ASSOCIE. 未知

    公开(公告)号：FR3054663A1

    公开(公告)日：2018-02-02

    申请号：FR1657277

    申请日：2016-07-28

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： LEMAITRE PATRICK ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

    IPC: G01N21/84 ,  H01L31/02

    Abstract: Le procédé comprend une réception d'un signal optique d'entrée (2), une séparation d'un signal intermédiaire issu du signal d'entrée en au moins un premier sous-signal (21) et un deuxième sous-signal (22) selon un coefficient de séparation (K) ayant une valeur réelle connue, une délivrance dudit au moins un premier sous-signal (21) à au moins un premier circuit photonique (C1) contenant ledit au moins un dispositif photonique à caractériser (4), et une première partie photonique (50), une délivrance du deuxième sous-signal (22) à un deuxième circuit photonique (C2) contenant une deuxième partie photonique ayant la même fonction de transfert que la première partie photonique, et dépourvu dudit au moins un dispositif photonique (4), une conversion des signaux de sortie des circuits en signaux électriques, une détermination des pertes dudit au moins un dispositif photonique à partir desdits signaux électriques et de la valeur réelle connue du coefficient de séparation (K).

    CAPTEUR D'IMAGE DE TYPE A OBTURATION GLOBALE
    119.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE DE TYPE A OBTURATION GLOBALE 未知

    公开(公告)号：FR3052296A1

    公开(公告)日：2017-12-08

    申请号：FR1655152

    申请日：2016-06-06

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/148

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant une pluralité de pixels comprenant chacun une zone photosensible (11), une première zone mémoire (31), une deuxième zone mémoire (131), et une première électrode isolée (16) adaptée à contrôler un transfert de charges de la zone photosensible (11) vers la première zone mémoire (31) ; et des moyens de traitement adaptés, pour chaque pixel, à fournir un signal de sortie caractéristique de la différence entre les charges stockées dans la première zone mémoire (31) et la deuxième zone mémoire (131) après le transfert de charges vers la première zone mémoire (31).

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