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公开(公告)号：KR1020140141807A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130062274
申请日：2013-05-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/073 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: CdTe 박막계 태양 전지는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 그래핀 박막, 상기 그래핀 박막 상에 형성된 카드뮴텔룰라이드(CdTe) 박막 및 상기 카드뮴텔룰라이드 박막 상에 형성된 윈도우 박막을 포함한다. 따라서, 상기 CdTe 박막이 형성될 경우 별도의 시드층 없이 상기 CdTe 박막이 상기 그래핀 박막 상에 직접 형성될 수 있다.
Abstract translation: CdTe薄膜太阳能电池包括透明基板，形成在透明基板上的石墨烯薄膜，形成在石墨烯薄膜上的CdTe薄膜和形成在CdTe薄膜上的窗口薄膜。 因此，当形成CdTe薄膜时，CdTe薄膜直接形成在石墨烯薄膜上而没有附加种子层。
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公开(公告)号：KR101127999B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100091041
申请日：2010-09-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A silicon heterojunction solar cell manufacturing method using an ion shower method is provided to minimize plasma damage by forming an emitter and a rear electric field using an ion shower doping device. CONSTITUTION: A crystalline silicon substrate is prepared(S310). An amorphous buffer layer is formed on the front of the crystalline silicon substrate(S320). An emitter is formed on the front of the crystalline silicon substrate by using an ion shower method(S330). A rear electric field is formed on the rear of the crystalline silicon substrate by using the ion shower method(S340). The crystalline silicon substrate with the emitter and the rear electric field is thermally processed(S350).
Abstract translation: 目的：提供使用离子喷淋法的硅异质结太阳能电池制造方法，以通过使用离子喷淋掺杂装置形成发射体和后部电场来最小化等离子体损伤。 构成：制备晶体硅衬底（S310）。 在晶体硅衬底的前面形成非晶缓冲层（S320）。 通过使用离子淋浴法在晶体硅衬底的前面形成发射体（S330）。 通过使用离子淋洗法在晶体硅衬底的后部形成后方电场（S340）。 具有发射极和后电场的晶体硅衬底被热处理（S350）。
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公开(公告)号：KR101113503B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020090104608
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 유도전류 장치를 이용한 실리콘 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 제1 타입 결정질 실리콘 기판 상부에 에미터가 되는 제2 타입 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 제2 타입 실리콘층 상부에 패시베이션막 또는 반사방지막을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션막 또는 반사방지막 상부에 전면 금속전극을 형성하고, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하부에 후면 금속전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 유도전류 장치를 이용하여 상기 전면 금속전극에 선택적으로 열처리(Firing)하는 단계 및 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하부에 후면금속전극 접촉 및 후면전계를 형성하는 단계를 제공하는 발명에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020120015038A
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：KR1020100077246
申请日：2010-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/022425 , C23F13/20 , H01L31/0201 , H01L31/0512 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A photovoltaic module having corrosion resistance is provided to minimize the reduction of a current and a voltage by preventing serial resistance from increasing at a spot where a ribbon and a cell are connected. CONSTITUTION: An interconnector ribbon(4) connects cells in a solar cell(3). An anode for a protection method is attached on the interconnector ribbon. The interconnector ribbon is made of a copper electrode which is coated with a SN-PB(Stannum-Plumbum) alloy. The anode for the protection method is a sacrificial anode. The sacrificial anode is a metal having bigger ionization tendency than the interconnector ribbon.
Abstract translation: 目的：提供具有耐腐蚀性的光伏模块，以通过防止串联电阻在带状和电池连接的位置增加而最小化电流和电压的降低。 构成：连接器带（4）连接太阳能电池（3）中的电池。 用于保护方法的阳极安装在互连器带上。 连接器带由涂覆有SN-PB（锡 - 铅）合金的铜电极制成。 用于保护方法的阳极是牺牲阳极。 牺牲阳极是比互连器带具有更大电离倾向的金属。
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公开(公告)号：KR101065769B1
公开(公告)日：2011-09-19
申请号：KR1020090046606
申请日：2009-05-27
Applicant: (주)미래컴퍼니 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 제조에 이용되는 레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 태양전지 제조 시 후면 패시베이션층에 공극을 형성하기 위한 레이저 식각장치에 있어서, 상기 후면 패시베이션층이 형성된 태양전지의 실리콘 기판을 거치하는 스테이지부와, 실리콘 기판의 특성에 따라 조정된 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진부와, 공극의 크기와 모양에 따라 레이저 빔의 스폿의 크기와 모양을 변형하는 빔 형성부와, 하나 이상의 공극이 배열된 공극 패턴에 따라 레이저 빔이 공극의 위치에 조사되도록 스캔하는 스캔부와, 스캔부에 의해 스캔된 레이저 빔을 집광하여 조사하는 투영부를 포함하는 레이저 식각장치에 의하면, 고효율의 박형화된 태양전지를 제조하는 과정에서 사진 식각 기술 대신에 레이저 식각 기술을 이용하여 보다 단순화된 공정을 통해서 후면 패시베이션층에 공극 패턴을 형성� � 수 있다.
태양전지, 레이저, 식각, 패시베이션-
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公开(公告)号：KR1020110047827A
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020090104606
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L31/072
Abstract: PURPOSE: A silicon hetero junction solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve an electric property by forming a diffusion preventing layer between an amorphous silicon layer and a transparent conductive oxide layer. CONSTITUTION: A second type amorphous silicon film(530a) is formed on the front of a first type crystal silicon substrate. The second type amorphous silicon film includes a second type semiconductor material which forms a P-N junction structure with a first type semiconductor material. A first diffusion preventing layer is formed by rapid thermal anneal at 200 to 300 degrees centigrade after a TiO2 is spread on the second type amorphous silicon film. A first transparent conductive oxide layer(550a) is formed on the front of the first diffusion preventing layer. A front electrode(560a) is electrically connected to the second type amorphous silicon film. A rear electrode is electrically connected to the first type crystal silicon substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种硅异质结太阳能电池及其制造方法，以通过在非晶硅层和透明导电氧化物层之间形成扩散防止层来改善电性能。 构成：第一类型的非晶硅膜（530a）形成在第一种晶体硅衬底的前面。 第二种非晶硅膜包括与第一类型的半导体材料形成P-N结结构的第二类型的半导体材料。 在第二类非晶硅膜上涂布TiO 2后，在200〜300℃下进行快速热退火，形成第一扩散防止层。 第一透明导电氧化物层（550a）形成在第一扩散防止层的前面。 前电极（560a）与第二型非晶硅膜电连接。 后电极与第一型晶体硅衬底电连接。
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117.发明授权태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이에 의하여 텍스쳐링된 태양전지용 실리콘 웨이퍼 및 이를 포함하는 태양전지 有权用于太阳能电池的硅晶片的纹理方法，由相同的太阳能电池组成的硅晶片和包括硅晶片的太阳能电池
公开(公告)号：KR101029331B1
公开(公告)日：2011-04-15
申请号：KR1020080094734
申请日：2008-09-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 및 이에 의하여 텍스쳐링된 태양전지용 실리콘 웨이퍼가 제공된다.
본 발명에 따른 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법은 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 화학적 식각 공정에 있어서, 식각 용액에 가해지는 압력을 상압 미만의 저압으로 조절하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 저압에서의 텍스쳐링 공정을 통해 효과적으로 수소 기체의 차단 효과를 제거함으로써 실리콘 웨이퍼 표면에 보다 규칙적이고 작은 피라미드를 형성한다. 종래 기술에 비하여 피라미드의 사이즈는 약 2∼3마이크로미터 감소하였고 RMS 조도도 약 200nm 감소하여 개선된 표면상태를 얻었으며 반사도 또한 전 파장범위에서 약 2∼3% 감소한다.-
公开(公告)号：KR100995654B1
公开(公告)日：2010-11-19
申请号：KR1020080074262
申请日：2008-07-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 (a) 제 1형 불순물을 포함하며 상호 이격된 복수의 금속전극을 제 2형 불순물을 포함하는 기판 상에 형성하는 단계; (b) 상기 복수의 금속전극 사이의 기판 상에 제 1형 불순물을 포함하는 페이스트를 적층하는 단계; (c) 상기 금속전극 및 페이스트를 가열하여 제 1형 불순물을 함유하는 에미터층을 상기 기판에 형성하는 동시에 상기 금속전극을 소결시키는 단계; 및 (d) 상기 기판 및 금속전극상에 반사방지막을 적층하는 단계를 포함하며, 하나의 가열 공정을 통하여 기판의 에미터층 형성 및 전면 전극의 소결 공정을 동시에 진행할 수 있으므로, 매우 경제적이고, 전면 전극 내에 포함된 불순물을 이용하여 전면전극 하부의 에미터층을 형성하므로, 종래 기술과 같이 공정 조건에 따라 전면전극이 기 형성된 에미터층에 접촉하지 않거나, 베이스층에 접촉함으로써 발생하는 션트 등의 문제를 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100993846B1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：KR1020080074771
申请日：2008-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 제 1 전극용 금속 전사지 상에 실리콘 기판을 적층하는 단계; 상기 실리콘 기판상에 제 2 전극용 금속 전사지를 적층하는 단계; 제 1 및 제 2 전극용 금속 전사지를 소성함으로써, 제 1 및 제 2 전극용 금속 전사지를 상기 기판상에 접착시키는 단계를 포함하며, 박막형의 실리콘 기판에 대한 물리적 손상을 최소화시킬 수 있고, 또한 배치 타입의 태양전지의 제조가 가능하므로, 공정의 경제성 또한 향상된다.-
公开(公告)号：KR1020100013197A
公开(公告)日：2010-02-09
申请号：KR1020080074773
申请日：2008-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for preparing back point contact solar cell using ink-jet printing and a back point contact solar cell using the same are provided to minimize the physical damage to ultra-thin silicon substrate by using a non-contact way ink jet printing. CONSTITUTION: A silicon oxidation layer(14) has an opening(42) for a P region(43) and an N region. A metallic ink composition is printed on the P region and the N region through an ink jet printing. A first metal electrode(50) and a second metal electrode(52) are formed by sintering the metallic ink composition. Three group element is the boron and five group element is phosphorus. A recessive electrode is formed by printing metallic ink composition around a recess.
Abstract translation: 目的：提供使用喷墨印刷制备背点接触太阳能电池的方法和使用其的背点接触太阳能电池，以通过使用非接触式喷墨印刷来最小化对超薄硅基板的物理损伤。 构成：硅氧化层（14）具有用于P区（43）和N区的开口（42）。 金属油墨组合物通过喷墨印刷印刷在P区域和N区域上。 通过烧结金属油墨组合物形成第一金属电极（50）和第二金属电极（52）。 三组元素是硼，五组元素是磷。 隐形电极通过在金属油墨组合物周围印刷而形成。
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