公开(公告)号：KR1020060008650A

公开(公告)日：2006-01-27

申请号：KR1020040057488

申请日：2004-07-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김정욱 ,  황철성 ,  허강헌

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/012 ,  H01G4/38 ,  Y10T29/435

Abstract: 본 발명은 다층 세라믹 캐패시터에 관한 것으로서, 복수개의 홀구조가 형성된 상면 및 평탄한 하면을 갖는 기판과, 상기 기판 상면에는 순차적으로 형성된 하부전극막, 유전체막 및 상부전극막으로 이루어진 박막형 캐패시터를 포함하며, 상기 하부전극막은 상기 기판의 일측면에 연장되며, 상기 상부전극막은 상기 일측면과 대향하는 타측면에 연장된 복수개의 캐패시터층이 적층된 다층구조물과, 상기 다층구조물의 일측면에 형성되어 각각의 캐패시터층의 하부전극막과 연결된 제1 외부전극과, 상기 다층구조물의 타측면에 형성되어 각각의 캐패시터층의 상부전극막과 연결된 제2 외부전극을 포함하는 박막형 다층 세라믹 캐패시터를 제공한다.
다층 세라믹 캐패시터(Multi-Layered Ceramic Capacitor), 홀(hole), 화학기상증착법(CVD)

公开(公告)号：KR100541107B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020040021088

申请日：2004-03-29

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 허강헌 ,  박선철 ,  이상균

IPC: H01G4/10

Abstract: 적층세라믹콘덴서용 티탄산바륨계 파우더 제조방법이 제공된다.
본 발명은, 0.99≤x≤1, 0.8≤y≤1, 0.996≤M(=x/y)≤1.002를 만족하는 Ba
x Ti
y O
3 파우더를 마련하는 공정; 상기와 같이 마련된 Ba
x Ti
y O
3 파우더에, CaCO
3 또는, Ca(NO
3 )
2 , Ca(NO
2 )
2 , Ca(COOCH
3 )
2 , Ca(OH)
2 및 CaCl
2 로 이루어진 그룹중 선택된 1종을 혼합한후 건조하는 공정; 및 상기 건조된 파우더를 하소하여 입도 0.1∼0.5㎛의 변성 BaCaTiO
3 파우더를 합성한후, 미분쇄하는 공정;을 포함하는 적층세라믹콘덴서용 티탄산바륨계 파우더 제조방법에 관한 것이다.
적층세라믹콘덴서, 티탄산바륨, 변성 BaCaTiO3

公开(公告)号：KR100541093B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020030079047

申请日：2003-11-10

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이종호 ,  허강헌 ,  김정욱 ,  김상혁

IPC: B22F9/24

Abstract: 적층세라믹 콘덴서의 내부전극 재료에 사용가능한 고순도의 니켈 미분말 제조방법이 제공된다. 니켈 금속 분말은 전구체 화합물에 니켈 1몰당 히드라진을 2-20몰로 첨가하여 니켈의 히드라진 착화물을 생성하는 단계; 상기 니켈의 히드라진 착화물에 유기염기를 첨가하는 단계; 및
40-90℃로 가열하는 단계;를 포함하여 이루어지는 니켈 금속 분말 제조 방법으로 제조된다. 유기 염기는 니켈 금속분말 제조시 얻어지는 니켈 금속 분말은 구형 미립자로서 불순물로 혼입되지 않을 뿐만 아니라, 전하를 띄지 않는 것으로 유기 염기가 니켈 금속 분말에 잔류하여 MLCC제조시 내부전극에 유입된다 하더라도, 이로 인한 콘덴서의 용량 감소 등 불량을 초래하지 않는다. 더욱이, 유기 염기는 유기물로 이루어져 있음으로 MLCC제조공정도중 후공정인 가소, 소성 공정에서 완전히 분해, 제거된다.
유기염기, 니켈 금속 분말, MLCC, 고순도

公开(公告)号：KR100533640B1

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：KR1020040012512

申请日：2004-02-25

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 백종갑 ,  허강헌 ,  김준희 ,  유명한 ,  박재만

IPC: H01G4/008

Abstract: 본 발명은 내환원성을 갖는 유전체 조성물에 도전성 Ni 내부전극 페이스트를 이용한 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것으로서, 고온, 저주파수에서도 유전특성이 우수하고, 유전체층이 박층화 되더라도 고 신뢰성을 갖고, 그리고 작은 용량온도계수를 갖는 적층 세라믹 콘덴서를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 유전체와 공재를 함유하는 내부전극을 포함하는 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극용 공재에 있어서, 상기 유전체 조성과 동일하고; 그리고 그 조성이, [(Ca
x Sr
1-x )O]
m [(Ti
y Zr
1-y )O
2 ]으로 표시할 시 x, y 및 m의 값이 각각 0.55≤x≤0.70, 0.3≤y≤0.4, 0.9960≤m≤1.004의 범위을 갖는 주성분과, 부성분으로서 Mn
3 O
4 와 Al
2 O
3 및 Ba
0.53 Ca
0.19 Si
0.28 O
3 (BCG)를 포함하고, 상기 Mn
3 O
4 와 Al
2 O
3 및 BCG의 함량은 각각 상기 주성분 100몰에 대하여 Mn
3 O
4 : 0.5~1.5%, Al
2 O
3 : 0.1~0.8% 및 BCG : 2.0~3.0%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극용 공재, 이 공재를 함유하는 적층 세라믹 콘덴서용 내부전극 페이스트의 제조방법 및 적층 세라믹 콘덴서를 그 요지로 한다.

公开(公告)号：KR100519824B1

公开(公告)日：2005-10-10

申请号：KR1020040001729

申请日：2004-01-09

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조준엽 ,  허강헌 ,  김우섭

IPC: H01G4/12

Abstract: 본 발명은 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 및 이를 이용하여 적층 세라믹 콘덴서를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 유전율 65 이상의 특성을 나타내고, 온도특성이 EIA 규격의 C0G 특성을 만족하며, Pd 전극과 동시소성이 가능한 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있는 것이다.
본 발명은 주성분으로서 BaCO
3 : 13~18 mol%, Nd
2 O
3 : 13~19 mol%, 및 TiO
2 : 68~74 mol%로 이루어진 Ba-Nd-Ti계 산화물 세라믹스; 소결조제로서 BaCO
3 : 40~60 wt.%, CaCO
3 : 18~25 wt.%, 및 SiO
2 : 22~35 wt.%로 이루어진 Ba-Ca-Si 계 산화물 그라스 프릿(glass frit) 및 SiO
2 중 1종; 첨가제인 MnO
2 , CaTiO
3 , TiO
2 및 치환제인 Sm
2 O
3 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하여 조성되는 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물을 그 요지로 한다.
본 발명에 의하면, 신뢰성이 높고 온도 특성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050073357A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：KR1020040001729

申请日：2004-01-09

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조준엽 ,  허강헌 ,  김우섭

IPC: H01G4/12

Abstract: 본 발명은 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 및 이를 이용하여 적층 세라믹 콘덴서를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 유전율 65 이상의 특성을 나타내고, 온도특성이 EIA 규격의 C0G 특성을 만족하며, Pd 전극과 동시소성이 가능한 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있는 것이다.
본 발명은 주성분으로서 BaCO
3 : 13~18 mol%, Nd
2 O
3 : 13~19 mol%, 및 TiO
2 : 68~74 mol%로 이루어진 Ba-Nd-Ti계 산화물 세라믹스; 소결조제로서 BaCO
3 : 40~60 wt.%, CaCO
3 : 18~25 wt.%, 및 SiO
2 : 22~35 wt.%로 이루어진 Ba-Ca-Si 계 산화물 그라스 프릿(glass frit) 및 SiO
2 중 1종; 첨가제인 MnO
2 , CaTiO
3 , TiO
2 및 치환제인 Sm
2 O
3 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하여 조성되는 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물을 그 요지로 한다.
본 발명에 의하면, 신뢰성이 높고 온도 특성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050073172A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：KR1020040001402

申请日：2004-01-09

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박명준 ,  허강헌 ,  권영근 ,  최재열 ,  이창수

IPC: H01G4/228

Abstract: 본 발명은 칩 부품 등의 단자 전극 내부로의 도금액 침투를 검사하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 단자 전극 및 상기 단자 전극의 외부면에 도금층이 형성된 칩 부품을 마련하는 단계와, 상기 단자 전극의 단면을 노출시키는 단계와, 상기 단자 전극을 구성하는 성분을 선택적으로 에칭하여 제거하는 단계 및 상기 단자 전극을 구성하는 성분이 제거되고 남은 부분을 검사하는 단계를 포함하는 칩 부품 단자 전극의 도금액 침투 검사 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 짧은 시간 동안 저렴하면서도 정확하게 단자 전극 내의 도금액 침투 여부 및 침투 정도를 판별할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050071865A

公开(公告)日：2005-07-08

申请号：KR1020040000244

申请日：2004-01-05

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 문병두 ,  허강헌 ,  김우섭

IPC: C04B35/624

Abstract: 본 발명은 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 제조방법 및 이에 따라 제조된 향상된 분산성을 갖는 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물에 관한 것으로,
적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 제조방법에 있어서, MgOR, MnOR, BaOR 및 CaOR의 알콕사이드 화합물, 그리고 YOR, DyOR, HoOR 및 ErOR로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종의 알콕사이드 화합물(여기서, R은 -CH
3 , -CH
2 CH
3 , -CH
2 CH
2 CH
3 또는 -CH
2 CH
2 CH
2 CH
3 의 알킬기임)을 도전성 금속분말이 용해된 금속분말 졸에 pH 4.0-8.0을 유지하면서 첨가혼합한 다음 열처리하여 금속분말 졸을 겔화시켜 유전체 조성물을 제조함을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 제조방법이 제공된다. 또한 상기 방법으로 제조된 향상된 분산성을 갖는 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물이 제공된다.
본 발명의 방법은 알콕사이드 형태의 첨가제를 사용함으로써 유전체 조성물의 분산성을 향상시켜 유전특성 및 전기적 특성이 우수하고 신뢰성이 향상된 적층 세라믹 콘덴서를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050050861A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：KR1020030084509

申请日：2003-11-26

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 권영근 ,  허강헌 ,  최재열 ,  이창수 ,  박명준

IPC: H01F17/00

Abstract: 본 발명은 적층칩 부품의 단자전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 적층칩 콘덴서의 제조방법에 관한 것으로서, 우수한 생산성 및 편리성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 단자 전극표면으로의 그라스 용출을 방지할 수 있는 칩부품 단자전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된 적층칩 부품을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있는 것이다.
본 발명은 도전성 금속 파우더 : 65∼75 중량%, 그라스 프릿: 3∼15 중량%, 및 필러로서 SiO
2 : 0.7 ∼10중량%, Al
2 O
3 : 0.4 ∼10중량% 및 ZrO
2 : 0.2 ∼8.0중량%로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종이상을 함유하고, 필러가 2종 이상이면 그 합량이 0.6∼10중량%가 되도록 조성되는 기본 페이스트에, 이 기본 페이스트의 중량에 대하여 5∼20중량%의 바인더를 포함하여 이루어진 칩 부품 단자 전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 적층칩 부품의 제조 방법을 그 요지로 한다.
본 발명에 의하면, 우수한 생산성 및 편리성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 단자 전극표면으로의 그라스 용출을 방지할 수 있어 도금성, 납땜성 및 단자 전극의 치밀도를 개선시킬 수 있는 효과가 있는 것이다.

公开(公告)号：KR100444223B1

公开(公告)日：2004-08-16

申请号：KR1020010070538

申请日：2001-11-13

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김우섭 ,  허강헌 ,  김종한 ,  김준희

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  C03C8/10 ,  C03C14/004 ,  C03C2214/04 ,  C04B35/462 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: A dielectric ceramic composition of high dielectric constant and low dielectric loss, which can be co-fired with Ag electrodes, is provided for use in various parts of electric and electronic appliances. The composition is represented by the following chemical formula: a wt. % {x ZrO2-y ZnO-w Nb2O5-z TiO2}+c wt. % glass frit wherein, 5.0 mol %

Abstract translation: 提供可以与Ag电极共烧的高介电常数和低介电损耗的介电陶瓷组合物，用于电气和电子设备的各种部件。 该组合物由以下化学式表示：a wt。 ％{x ZrO2-y ZnO-w Nb2O5-z TiO2} + c wt。 ％玻璃料，其中，5.0mol％≤x≤45.0mol％; 1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％; 1.5摩尔％≤w≤19.0摩尔％; 40.0mol％≤z≤59.0mol％，条件是x + y + w + z =100,75.0≤a≤97.0和3.0≤c≤25.0。