Abstract:
본 발명은 셀렉트 게이트 전극의 선폭을 일정하게 할 수 있는 스플릿 게이트 플래쉬 메모리 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 반도체 기판 상부에, 플로팅 게이트 전극을 포함하는 한 쌍의 스페이서를 형성한다. 다음, 상기 스페이서 사이의 반도체 기판에 소오스 영역을 형성하고, 상기 스페이서 사이의 공간에 소오스 영역과 콘택되도록 소오스 라인을 형성한다. 그후, 상기 스페이서 및 소오스 라인을 포함하는 반도체 기판 상부에 게이트 산화막을 형성하고, 상기 게이트 산화막 상부에 셀렉트 게이트용 도전층을 형성한다. 상기 셀렉트 게이트용 도전층 상부에 반사 방지막을 형성하고, 상기 셀렉트 게이트용 도전층 상부에 실리콘 질화막을 증착한다. 그후, 상기 소오스 라인의 표면이 노출되도록 실리콘 질화막, 반사 방지막 및 셀렉트 게이트용 도전층을 화학적 기계적 연마하고, 상기 셀렉트 게이트용 도전층 양 측벽에 있는 반사 방지막을 선택적으로 제거한다. 이어서, 상기 반도체 기판 결과물을 열산화하여, 상기 셀렉트 게이트용 도전층의 측벽과 상부 표면 및 소오스 라인 표면에 산화막 패턴을 형성하고, 상기 산화막 패턴을 마스크로 하여, 상기 셀렉트 게이트용 도전층을 식각하여, 셀렉트 게이트 전극을 형성한다. 스플릿 게이트, 셀렉트 게이트, 반사 방지막
Abstract:
본 발명은 디지털멀티미디어방송 수신 장치에서 채널 전환을 위한 재생 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 채널 전환시 발생하는 지연을 줄이기 위한 것이다. 본 발명에 따른 디지털멀티미디어방송 수신 장치에서 채널 전환을 위한 재생 장치는 디지털멀티미디어 방송 서비스를 제공하는 디지털멀티미디어 방송 시스템에서 방송 데이터 재생 장치에 있어서, 송신단으로부터 수신된 신호를 역다중화하여 비디오 데이터를 출력하는 역다중화부와, 상기 비디오 데이터의 재생 시간을 표시하는 타임 스탬프를 코덱 지연없이 바로 재생 버퍼에서 출력될 수 있도록 변경하고, 변경된 타임 스탬프를 상기 비디오 데이터에 포함시켜 출력하는 타임 스탬프 적응부와, 상기 타임 스탬프 적응부로부터 출력된 비디오 데이터를 상기 변경된 타임 스탬프에 따라 버퍼링하여 출력하는 재생 버퍼와, 상기 변경된 타임 스탬프에 따라 상기 재생 버퍼로부터 출력된 비디오 데이터를 디코딩하여 출력하는 비디오 디코더와, 상기 디코딩된 비디오 데이터를 재생하는 표시부를 포함함을 특징으로 한다. 타임스탬프, 프레임, 채널
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인쇄포트 설정 방법 및 그를 적용한 사용자 단말장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인쇄포트 설정 방법은 복수의 화상형성장치들 중 사용하고자 하는 화상형성장치의 네트워크 정보 및 장치정보를 포함하는 검색신호를 단일전송방식으로 전송하는 단계, 및 검색신호에 대한 응답신호가 수신되면 네트워크 정보에 의해 화상형성장치의 인쇄포트를 설정하는 단계를 포함한다. 이에 의해, 화상형성장치의 네트워크 관련 정보의 변경에 손쉽게 대처할 수 있다. 화상형성장치, 사용자 단말장치, SLP, 인쇄포트, 자동 설정
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본 발명은 이동 통신 단말기에서의 발광 장치에 있어서, 상기 이동 통신 단말기의 움직임을 감지하여 감지 신호를 출력하는 움직임 센서부와, 하나 이상의 컬러를 발광하는 발광 수단과, 상기 센서부로부터의 감지 신호를 입력받아 상기 이동 통신 단말기의 움직임에 종속적인 컬러를 발광하도록 상기 발광 수단을 제어하는 제어부를 포함한다. 자이로센서, 움직임
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본 발명은 애드혹 모드에서의 IP주소 설정장치 및 방법과 이를 이용한 애드혹 모드 인쇄장치 및 방법에 관한 것으로서, 그 장치는 무선 스테이션으로부터 애드혹 모드 통신을 위한 설정정보를 받고, 무선 스테이션과 동일한 서브넷에 속하는지 판단하는 서브넷 판단부; 및 동일한 서브넷에 속하면 현재 자신의 IP주소를 그대로 생성하고, 동일한 서브넷에 속하지 않으면 무선스테이션이 속하는 서브넷과 동일한 서브넷 주소를 가진 IP주소를 새로이 생성하는 애드혹 IP주소 생성부를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 무선 애드혹 통신을 할 수밖에 없는 상황에서, 주변 무선 스테이션들 중 가장 링크 퀄리티(Link Quality)가 좋은 무선 스테이션을 선택하여 통신할 수 있으며, 사용자가 상대 무선 스테이션의 SSID(Service Set IDentifier), IP주소와 서브넷 마스크(Subnet mask) 등을 직접 알아내어 수작업으로 설정할 필요없이 자동으로 설정되는 편리함이 있다.
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본 발명은 휴대방송 시스템에서 선호 채널 관리 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 이동 단말 사용자가 직접 선택한 선호 채널을 저장하고, 선호 채널 전환시 채널 전환에 따른 지연 시간을 줄이도록 한 휴대방송 시스템에서 선호 채널 관리 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 휴대방송 시스템에서 선호 채널 관리 방법은 휴대방송 시스템에서 선호 채널 관리 방법에 있어서, 소정 통신망을 통해 서비스 제공자로부터 데이터 스트림을 전달하는 다중화된 다수의 논리 채널을 수신하여 물리적인 스트림으로 역다중화하는 과정과, 상기 다중화된 다수의 채널 중 선호 채널을 선택하여 저장된 정보를 활용하여 각 디코딩 버퍼에 할당하는 과정과, 상기 선택된 선호 채널에 따라 디코딩하고, 디코딩된 채널별 요소 스트림을 메모리에 저장하는 과정과, 디코딩된 스트림을 상기 이동 단말의 화면에 디스플레이하는 과정을 포함함을 특징으로 한다. 디코딩 버퍼, 디코더, 선호 채널, 메모리, LASeR,
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본 발명은 블루투스 모듈을 장착한 단말기에 있어서, 설문 조사 모드시 사용자로부터 설문할 내용을 입력받고 설문 메시지를 생성하여 다른 이동통신단말기들로 전송하고 다른 이동통신단말기들로부터 설문 응답 메시지를 수신하면 설문 응답을 통계 처리하여 설문 결과를 출력하는 제어부와, 상기 제어부의 제어 하에 상기 설문 메시지 및 설문 결과를 표시하는 표시부를 구비한다. 블루투스, 설문 조사
Abstract:
A projection type image display device is provided to dispose an optical engine by utilizing a space on the outskirt of a ray irradiated to a screen. A projection type image display device includes a cabinet, a screen(200), a projection optical system(110), a light path changing section(150), and a reflection section(160). The projection optical system passes a lower end portion of an available surface of the reflection section and is disposed in a space surrounded by a vertical surface perpendicular to the screen, the front surface of the cabinet, and a lower ray surface including an available lower ray irradiated to the screen.
Abstract:
A phase change memory device and its manufacturing method are provided to improve the degree of integration by self-aligning cell diodes and phase changeable material patterns with each other using cell diode holes of a predetermined interlayer dielectric. A first interlayer dielectric(14) is formed on a semiconductor substrate(10). A plurality of cell diode holes(14h) are formed through the first interlayer dielectric. First and second semiconductor patterns(16n,16p) are sequentially formed within each cell diode hole. A cell diode electrode(18) is formed on the second semiconductor pattern. A confined phase changeable material pattern(24a) for filling the cell diode hole is formed on the cell diode electrode. An upper electrode(26a) is formed on the confined phase changeable material pattern.