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公开(公告)号：KR101030016B1
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020080127269
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명의 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극과, 제1 전극 상에서 제1 전극의 일부를 노출하는 포어를 갖는 절연층과 및 포어 측면에 형성된 발열 전극을 포함한다. 제1 전극과 연결되고 포어 내에 형성되면서 발열 전극과 접촉하는 상변화층이 형성되어 있다. 상변화층과 연결된 제2 전극과, 발열 전극의 일측부와 연결된 제3 전극과, 발열 전극의 타측부와 연결된 제4 전극이 형성되어 있다.
Abstract translation: 本发明的非易失性可编程开关元件包括形成在半导体衬底上的第一电极，具有暴露第一电极上的第一电极的一部分的孔的绝缘层以及形成在孔侧上的加热电极。 形成连接到第一电极并形成在孔中并与加热电极接触的相变层。 连接到放热电极的一侧的第三电极和连接到放热电极的另一侧的第四电极。
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公开(公告)号：KR100978929B1
公开(公告)日：2010-08-30
申请号：KR1020080059573
申请日：2008-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06K9/6255 , G06F3/017 , G06F3/0488 , G06F3/04883 , G06K9/00355
Abstract: 본 발명은 기준 제스처 제스처 등록방법, 이동단말 구동방법 및 이를 수행하는 이동단말에 관한 것이다.
본 발명에서, 이동단말은 사용자가 키패드 또는 터치 스크린을 이용하여 제스처 인식 또는 사용자 제스처 등록을 요청하면, 이동단말에 부착된 카메라를 통해 입력되는 사용자의 제스처 영상을 분석하여 제스처 데이터를 추출하고, 추출된 제스처 데이터에 매핑된 어플리케이션 기능을 실행시키거나, 추출된 제스처 데이터를 제스처 식별에 기준이 되는 기준 제스처 데이터로 등록한다.
이동단말, 제스처, 영상처리, 모바일 어플리케이션, 모바일 브라우저, 카메라-
公开(公告)号：KR100968888B1
公开(公告)日：2010-07-09
申请号：KR1020080096529
申请日：2008-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 본 발명의 상변화 메모리 소자를 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 복수의 단자를 구비하는 제 1 금속 전극층, 상기 기판의 상부에서 상기 제 1 금속 전극층의 단자를 연결하는 형태로 형성되고, 자기 발열형 채널 구조로 구성되는 상변화 재료층, 상기 제 1 금속 전극층 및 상기 상변화 재료층 상부에 형성된 절연층, 상기 제 1 금속 전극층의 상부에 형성된 비아 홀, 그리고 상기 비아 홀을 매립하는 형태로 형성된 제 2 금속 전극층을 포함한다. 따라서, 별도의 발열 전극을 사용하지 않고 상변화 물질 자체의 저항에 따른 발열 현상을 이용하여 메모리 동작을 수행함으로써, 금속 전극의 열전도에 따른 열손실을 최소화하여 스위치 소자의 소비전력을 감소시킬 수 있다.
프로그래머블, 스위치, 상변화, 비휘발성 메모리, 재구성형 LSI-
公开(公告)号：KR100966584B1
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020070133420
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 차세대 통신망(NGN : Next Generation Network)의 멀티 호밍 및 이동 환경에서의 서비스 기법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 다중 계층 인터넷 주소에 의해 지원하거나 mSCTP(mobile SCTP)를 이용하여 IP 핵심망의 수송계층에서 핸드오버를 제공하는 종래 방법과는 달리, 통신 단말로부터의 서비스 요청에 따라 서비스 세션 ID를 할당하는 ID/LOC 매퍼와, 상기 ID/LOC 매퍼로부터 상기 서비스 세션 ID를 전송받아 상기 통신 단말에 할당된 IP 정보를 포함하는 서비스 세션 정보를 저장 관리하는 ID/LOC 매핑 서버와, 상기 ID/LOC 매퍼로부터 상기 서비스 세션 ID를 전송받아 이를 응용 세션과 연동시키고, 상기 통신 단말로부터 요청된 서비스를 서비스 제공 서버를 통해 상기 통신 단말로 제공하는 응용 세션 관리자를 포함하는 차세대 통신망에서의 서비스 제공 시스템을 구현 할 수 있는 것이다.
(NGN : Next Generation Network)-
公开(公告)号：KR1020100070819A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129541
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06F3/0484 , G06F1/1626 , G06F1/1643 , G06F3/041 , G06F3/04817 , G06F3/0488 , G06F3/14 , H04M1/72583
Abstract: PURPOSE: A mobile terminal for supplying an interface using a touch screen is provided to supply in order to easily implement a multi-tasking. CONSTITUTION: A mobile terminal includes an input apparatus(120) for generating screen and a touch screen(110). A new screen is generated on the touch screen by dragging the touch screen in the state where the input apparatus for generating screen is activated. The new screen generated on the touch screen includes one or more selection items. The generated screen is moved by draffing an edge portion of the generated screen in the state where the input apparatus for controlling screen is activated.
Abstract translation: 目的：提供用于提供使用触摸屏的界面的移动终端以便容易地实现多任务。 构成：移动终端包括用于生成画面的输入装置（120）和触摸屏（110）。 通过在用于生成画面的输入装置被激活的状态下拖动触摸屏，在触摸屏上生成新的画面。 在触摸屏上生成的新屏幕包括一个或多个选择项。 在用于控制画面的输入装置被激活的状态下，通过绘制所生成的画面的边缘部分来移动生成的画面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100070034A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128624
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03K19/17784 , H03K19/17728 , H03K19/17792
Abstract: PURPOSE: A programmable logic block of an FPGA using a phase-change memory device is provided to improve the performance of an operation by programming resistance of a phase change memory device individually. CONSTITUTION: An access transistor(Mu) for pull-up is connected to a power. An up phase change memory device(Ru) is connected to a transistor for pull-up. The phase change memory device(Rd) is connected to an up-phase change memory device. An output terminal is located between the up-phase change memory device and a down-phase change memory device. The access transistor(Md) for the full down is connected to the down-phase change memory device. The resistance of the up-phase change memory device and the down-phase change memory device is individually programmed.
Abstract translation: 目的：提供使用相变存储器件的FPGA的可编程逻辑块，以通过单独编程相变存储器件的电阻来提高操作的性能。 构成：用于上拉的存取晶体管（Mu）连接到电源。 上升相变存储器件（Ru）连接到用于上拉的晶体管。 相变存储器件（Rd）连接到上变相存储器件。 输出端子位于上变相存储器件和下变相存储器件之间。 用于全降温的存取晶体管（Md）连接到下变相存储器件。 单相编程上变相存储器件和下变相存储器件的电阻。
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公开(公告)号：KR1020100063613A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090026876
申请日：2009-03-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A nonvolatility programmable switch device using a phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a miniaturization of a device and a consumption power by providing 4 terminal type device structure with easily dividing a write and a reading. CONSTITUTION: A semiconductor film layer(140) is formed on a first metal electrode layer(120). An insulator film layer is formed on the semiconductor film layer. The insulator thin film layer includes a pore region(220) exposing a part of the semiconductor film layer. A reaction material layer(240) fills in the pore region of the insulator film layer. A second metal electrode layer(260) is formed on upper part of the reaction material layer. A phase change operational layer(280) is formed by a solid-state reaction with reacting the reaction material layer and the semiconductor film layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用相变存储器件的非易失性可编程开关器件及其制造方法，其通过提供容易划分写入和读取的4端子型器件结构来减小器件的小型化和消耗功率。 构成：半导体膜层（140）形成在第一金属电极层（120）上。 在半导体膜层上形成绝缘膜层。 绝缘体薄膜层包括暴露半导体膜层的一部分的孔区域（220）。 反应材料层（240）填充绝缘膜层的细孔区域。 第二金属电极层（260）形成在反应材料层的上部。 通过使反应材料层和半导体膜层反应而通过固相反应形成相变操作层（280）。
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公开(公告)号：KR1020100004201A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：KR1020080064246
申请日：2008-07-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04W4/18
Abstract: PURPOSE: A system and a method of converting contents are provided to enable a user to receive the same contents from a web system even though a user using one terminal changes a network to access a web system. CONSTITUTION: A situation change searcher(310) consecutively searches whether a terminal situation changes. A content conversion processor(330) consecutively changes contents to cope with the situation change. The content conversion processor provides the converted contents to the converted terminal. The content conversion processor offers the converted contents to the terminal through a changed network.
Abstract translation: 目的：提供转换内容的系统和方法，以使得用户能够从网络系统接收相同的内容，即使使用一个终端的用户改变网络来访问web系统。 条款：情况变更搜索者（310）连续搜索终端情况是否发生变化。 内容转换处理器（330）连续地改变内容以应对状况变化。 内容转换处理器将转换的内容提供给转换的终端。 内容转换处理器通过改变的网络向终端提供转换的内容。
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公开(公告)号：KR100925493B1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：KR1020070134137
申请日：2007-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 IP 주소에 기반한 네트워킹에서의 통신 세션 관리 기술에 관한 것으로, IP 주소를 이용하여 원격지의 두 단말간에 통신 세션을 수행하고, 통신 세션의 수행 중에 일측 단말에서의 IP 주소 변경이 요구될 때 두 단말에 IP 인터페이스를 각각 제공하는 두 서비스 노드간의 통신 세션을 위한 IP 주소를 새로운 IP 주소로 매핑시키며, 두 서비스 노드간의 통신 세션에 새로운 IP 주소를 사용하고, 각 서비스 노드와 대응하는 각 단말간의 통신 세션에 IP 주소를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다양한 접속(access) 기술들을 이용할 수 있도록 여러 인터페이스를 가진 단말들에서, 통신 중인 접속 도메인에서 다른 도메인으로 이동할 때 IP 주소까지 변경되어 발생하는 통신 세션의 끊어짐을 IP 분리박스를 통해 자연스럽게 해결할 수 있게 된다. 이와 같은 IP 분리 박스를 이용하여 단말 입장에서는 아무런 변경없이 통신 세션을 유지할 수 있다.
차세대 통신망, IP 분리박스, 다중 접속 도메인, 멀티호밍, 이동성, 식별자(Identifier), 세션 유지 관리-
公开(公告)号：KR1020090081302A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020080022402
申请日：2008-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: A phase change memory device and a manufacturing method thereof for increasing operation stability and reliability are provided to increase the phase change memory device and distribution character of the set state resistance value. A phase change memory device comprises a phase change material layer(22). The phase change material layer is comprised of the germanium-antimony-tellurium system. The composition of the antimony added to the Ge2Sb2+xTe5 comprising the phase change material layer to the excess of quantity is 0.12~0.32. As to the Ge2Sb2+xTe5 comprising the phase change material layer, the structure of the crystalline state is comprised of the hcp single phase.
Abstract translation: 提供一种用于增加操作稳定性和可靠性的相变存储器件及其制造方法，以增加相变存储器件和设定状态电阻值的分布特性。 相变存储器件包括相变材料层（22）。 相变材料层由锗 - 锑 - 碲系统组成。 添加到包含相变材料层的Ge2Sb2 + xTe5中的锑的组成超过量为0.12〜0.32。 对于包含相变材料层的Ge2Sb2 + xTe5，结晶态的结构由hcp单相组成。
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