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公开(公告)号：KR1020070061053A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060038331
申请日：2006-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0635 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/79 , H01L21/8249 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , Y10S438/947
Abstract: An embedded phase-change memory and its fabricating method are provided to realize a multifunctional SOC(System-On-Chip) by using a bipolar transistor as a cell transistor. A bipolar transistor, a phase-change memory device, and a MOS transistor are disposed adjacently from each other on a substrate(100). The bipolar transistor, the phase-change memory device, and the MOS transistor are electrically connected to each other. The bipolar transistor includes a base(130) which is formed with SiGe which is disposed on a collector(104). The thickness of the base is 50 to 200 nm. The phase change memory device includes a phase change material layer and a heating layer. An amorphous state and a crystalline state of the phase change material layer are transformed reversibly by current. The heating layer comes in contact with a lower part of the phase change material layer.
Abstract translation: 提供嵌入式相变存储器及其制造方法，通过使用双极晶体管作为单元晶体管来实现多功能SOC（片上系统）。 双极晶体管，相变存储器件和MOS晶体管彼此相邻地设置在衬底（100）上。 双极晶体管，相变存储器件和MOS晶体管彼此电连接。 双极晶体管包括由SiGe形成的基极（130），SiGe设置在集电极（104）上。 碱的厚度为50〜200nm。 相变存储器件包括相变材料层和加热层。 相变材料层的非晶状态和结晶状态通过电流可逆地变换。 加热层与相变材料层的下部接触。
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公开(公告)号：KR100639999B1
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050078388
申请日：2005-08-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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公开(公告)号：KR1020090081302A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020080022402
申请日：2008-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: A phase change memory device and a manufacturing method thereof for increasing operation stability and reliability are provided to increase the phase change memory device and distribution character of the set state resistance value. A phase change memory device comprises a phase change material layer(22). The phase change material layer is comprised of the germanium-antimony-tellurium system. The composition of the antimony added to the Ge2Sb2+xTe5 comprising the phase change material layer to the excess of quantity is 0.12~0.32. As to the Ge2Sb2+xTe5 comprising the phase change material layer, the structure of the crystalline state is comprised of the hcp single phase.
Abstract translation: 提供一种用于增加操作稳定性和可靠性的相变存储器件及其制造方法，以增加相变存储器件和设定状态电阻值的分布特性。 相变存储器件包括相变材料层（22）。 相变材料层由锗 - 锑 - 碲系统组成。 添加到包含相变材料层的Ge2Sb2 + xTe5中的锑的组成超过量为0.12〜0.32。 对于包含相变材料层的Ge2Sb2 + xTe5，结晶态的结构由hcp单相组成。
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公开(公告)号：KR100833491B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060038331
申请日：2006-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0635 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/79 , H01L21/8249 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , Y10S438/947
Abstract: 고기능 및 다기능의 SOC의 구현에 필요한 임베디드 메모리 및 그 제조방법에 대해 개시한다. 그 메모리 및 방법은 기판에 각각 인접하여 배치되고 전기적으로 연결된 바이폴라 트랜지스터, 상변화 메모리 소자 및 MOS 트랜지스터를 포함한다. 이때, 바이폴라 트랜지스터는 콜렉터 상에 배치된 SiGe으로 이루어진 베이스를 포함한다. 상변화 메모리 소자는 전류에 의하여 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변환되는 상변화 재료층 및 상변화 재료층의 하부에 콘택되며 SiGe으로 이루어진 발열층을 포함할 수 있다.
SOC, 임베디드 메모리, SiGe, 베이스, 상변화 메모리, BiCMOS-
公开(公告)号：KR100833505B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060122600
申请日：2006-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666 , H01L45/1691
Abstract: A phase change memory device which has a small contact between a phase change layer and a heating electrode, and a manufacturing method thereof are provided to decrease contact size and reset current by forming the heating electrode which has an upper end shorter than a lower end. The plural lower part electrodes(102a,102b) are formed on a semiconductor substrate(100). The plural heating electrodes(112a,112b) which have lower ends of shorter length than upper ends are formed on the lower electrodes. The plural phase change layers(114a,114b) are formed adjacent to the upper end of the heating electrode. The plural upper part electrodes(124a,124b) are formed on the phase change layers.
Abstract translation: 提供了相变层和加热电极之间具有小接触的相变存储器件及其制造方法，其通过形成上端短于下端的加热电极来减小接触尺寸和复位电流。 多个下部电极（102a，102b）形成在半导体衬底（100）上。 在下部电极上形成多个长度比上端短的端部的加热电极（112a，112b）。 多个相变层（114a，114b）与加热电极的上端相邻地形成。 在相变层上形成多个上部电极（124a，124b）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100825767B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020070043800
申请日：2007-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: A PRAM(Phase change RAM) device and a method for manufacturing the same are provided to enhance reliability by using a heat-radiating layer having an optimum heat-radiating characteristic. A PRAM device comprises a lower electrode(110) formed on a semiconductor substrate, an upper electrode(150) formed on the lower electrode, and a PRAM layer formed between the lower electrode and the upper electrode. A heat-radiating layer(120) is formed between the upper electrode or the lower electrode and the PRAM. The heat-radiating layer includes a first heat-radiating layer(121) and a second heat-radiating layer(122). The first heat-radiating layer comes in contact with the PRAM layer. The second heat-radiating layer comes in contact with the first heat-radiating layer and is positioned between the first heat-radiating layer and the upper electrode or the lower electrode.
Abstract translation: 提供PRAM（相变RAM）装置及其制造方法，以通过使用具有最佳散热特性的散热层来提高可靠性。 PRAM器件包括形成在半导体衬底上的下电极（110），形成在下电极上的上电极（150）和形成在下电极和上电极之间的PRAM层。 在上电极或下电极与PRAM之间形成散热层（120）。 散热层包括第一散热层（121）和第二散热层（122）。 第一散热层与PRAM层接触。 第二散热层与第一散热层接触并位于第一散热层与上电极或下电极之间。
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公开(公告)号：KR100753842B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020060085826
申请日：2006-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 상변화 메모리 소자를 제공한다. 본 발명은 상변화층 패턴을 포함하는 상변화 메모리부와, 상기 상변화 메모리부의 상변화층 패턴에 레이저빔을 국부적으로 집속하는 레이저빔 집속부와, 상기 레이저빔을 발생시켜 상기 레이저빔 집속부로 상기 레이저빔을 방출하는 반도체 레이저부를 포함하여 이루어진다. 이에 따라, 본 발명의 상변화 메모리 소자는 셋 및 리셋 동작시 국부적으로 인가되는 레이저빔을 이용하기 때문에, 소비 전력을 줄이면서도 단위 셀의 동작시에 발생한 열이 인접 셀에 영향을 주어 인접 메모리 셀에 저장된 정보를 파괴하거나 변경시키지 않는다.
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公开(公告)号：KR100723839B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020050081314
申请日：2005-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: 저소비전력형 상변화 메모리소자의 제작을 위한 발열성 관통전극 구조를 포함하는 상변화 메모리소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 소자 및 방법은 소정의 영역을 관통한 관통전극 구조를 내재한 제1 상변화 박막층과, 관통전극 구조에 매립된 발열성 금속전극을 포함한다. 발열성 금속전극에 의해 가해진 열에너지에 의해 결정상태가 변화하고, 변화된 영역이 상기 제1 상변화 박막층에 제한된다.
상변화 메모리소자, 관통전극 구조, 상변화 박막층-
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公开(公告)号：KR1020070014837A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069803
申请日：2005-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: A phase change memory device is provided to maximize the contact area between a phase change material layer and a heat generating electrode by including a phase change material layer at least one surface of which is surrounded by a heat generating electrode covering at least one sidewall of a pore. At least one surface of a lower electrode(102) is covered with an insulation layer(104) in which a pore for exposing a part of the one surface of the lower electrode is formed. At least one side surface of the insulation layer exposed by the pore and a part of the one surface of the lower electrode are covered with a heat generating electrode(110) including a recessed region. A phase change material layer(112) is formed on the heat generating electrode, burying the recessed region. An upper electrode is formed on the phase change material layer. The heat generating electrode surrounds at least one surface of the phase change material layer, having a uniform thickness.
Abstract translation: 提供了一种相变存储器件，用于通过包括相变材料层来最大化相变材料层和发热电极之间的接触面积，所述相变材料层的至少一个表面由覆盖至少一个侧壁的发热电极包围 孔。 下电极（102）的至少一个表面被绝缘层（104）覆盖，其中形成用于暴露下电极的一个表面的一部分的孔。 由孔隙露出的绝缘层的至少一个侧表面和下电极的一个表面的一部分被包括凹陷区域的发热电极（110）覆盖。 在发热电极上形成相变材料层（112），埋入凹部。 在相变材料层上形成上电极。 发热电极围绕相变材料层的至少一个表面，具有均匀的厚度。
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