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公开(公告)号:DE102021112735B3
公开(公告)日:2022-08-04
申请号:DE102021112735
申请日:2021-05-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MOTZ MARIO , POLO FRANCESCO
Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft Bandabstandsreferenz-Schaltungen umfassend eine Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210). Die Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210) umfasst einen ersten Bipolartransistor (212) mit einer ersten Emitterstromdichte und einer ersten Basis-Emitter-Spannung, einen zweiten Bipolartransistor (214) mit einer zweiten Emitterstromdichte, die kleiner ist als die erste Emitterstromdichte, und mit einer zweiten Basis-Emitter-Spannung, einen Widerstand (216), der mit dem Emitter des zweiten Bipolartransistors (214) verbunden ist, und eine Differenzverstärkerschaltung (218; 518), die ausgebildet ist, um erste und zweite Emitterströme durch den ersten und zweiten Bipolartransistor zu steuern, sodass sich eine Summe aus der zweiten Basis-Emitter-Spannung und einem Spannungsabfall über dem Widerstand der ersten Basis-Emitter-Spannung annähert. Die Bandabstandsreferenz-Schaltungen umfassen ferner eine erste Replika-Schaltung (220) umfassend einen ersten Replika-Bipolartransistor (222), der einen Arbeitspunkt des ersten Bipolartransistors (212) der Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210) nachbildet, wobei die erste Replika-Schaltung (220) ausgebildet ist, um einen Basisstrom des ersten Replika-Bipolartransistors (222) mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors (212) der Bandabstandsreferenz-Kernschaltung zu koppeln, und eine zweite Replika-Schaltung (230) umfassend einen zweiten Replika-Bipolartransistor (234), der einen Arbeitspunkt des zweiten Bipolartransistors (214) der Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210) nachbildet, wobei die zweite Replika-Schaltung (230) ausgebildet ist, um einen Basisstrom des zweiten Replika-Bipolartransistors (234) mit dem Emitter des zweiten Bipolartransistors (214) der Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210) zu koppeln.
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公开(公告)号:DE102021200720A1
公开(公告)日:2022-07-28
申请号:DE102021200720
申请日:2021-01-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MOTZ MARIO
IPC: G01L1/18 , H01L27/088 , H01L29/84
Abstract: Das hierin beschriebene innovative Konzept betrifft einen transistorbasierten Stress-Sensor (10), aufweisend ein Halbleitersubstrat (20) mit einer ersten MOS-Transistor-Anordnung (11) und einer zweiten MOS-Transistor-Anordnung (12). Die erste MOS-Transistor-Anordnung (11) kann einen ersten MOS-Transistor (1) mit einem ersten Source-Drain-Kanalgebiet (23) und einen zweiten MOS-Transistor (2) mit einem zweiten Source-Drain-Kanalgebiet (33) aufweisen, wobei der erste MOS-Transistor (1) und der zweite MOS-Transistor (2) so zueinander ausgerichtet sind, dass eine Stromflussrichtung (24) im ersten Source-Drain-Kanalgebiet (23) entgegengesetzt zu einer Stromflussrichtung (34) im zweiten Source-Drain-Kanalgebiet (33) ist. Die zweite MOS-Transistor-Anordnung (12) kann einen dritten MOS-Transistor (3) mit einem dritten Source-Drain-Kanalgebiet (43) und einen vierten MOS-Transistor (4) mit einem vierten Source-Drain-Kanalgebiet (53) aufweisen, wobei der dritte MOS-Transistor (3) und der vierte MOS-Transistor (4) so zueinander ausgerichtet sind, dass eine Stromflussrichtung (44) im dritten Source-Drain-Kanalgebiet (43) entgegengesetzt zu einer Stromflussrichtung (54) im vierten Source-Drain-Kanalgebiet (53) ist. Der transistorbasierte Stress-Sensor (10) liefert ein Gradienten-kompensiertes Ausgangssignal, das zur Bestimmung einer auf das Halbleitersubstrat (20) wirkenden mechanischen Stresskomponente dient.
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113.
公开(公告)号:DE102020132425A1
公开(公告)日:2022-06-23
申请号:DE102020132425
申请日:2020-12-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KOLLMITZER BENJAMIN , GRANIG WOLFGANG , MICHENTHALER CHRISTOF , MOTZ MARIO , SLAMA PETER
IPC: G08C13/00 , H03K19/003
Abstract: Die vorliegende Offenlegung bezieht sich auf Verfahren und Vorrichtungen zum Vergleich redundanter Signale in funktionalen sicheren Systemen. Es werden Konzepte zur Abschwächung unterschiedlicher Signalpfadverzögerungen und zur Signalgewichtung der redundanten Signale vorgeschlagen.
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公开(公告)号:DE102013105231B4
公开(公告)日:2021-12-23
申请号:DE102013105231
申请日:2013-05-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUSSERLECHNER UDO , MOTZ MARIO
Abstract: Sensor, der zum Erfassen einer physikalischen Eigenschaft konfiguriert ist, umfassend:mindestens ein Sensorelement (100; 200; 300; 402) mit einem Ausgang, wobei ein Ausgangssignal bei Fehlen der physikalischen Eigenschaft einen Offsetfehler umfasst, wobei eine andere Eingangsgröße als die physikalische Eigenschaft den Offsetfehler beeinflusst, wobei in einer ersten Betriebsphase des Sensors eine erste Eingangsgröße ein erstes Ausgangssignal mit einem ersten Offsetfehler erzeugt und wobei in einer zweiten Betriebsphase des Sensors eine von der ersten Eingangsgröße verschiedene, zweite Eingangsgröße ein zweites Ausgangssignal mit einem zweiten Offsetfehler erzeugt; undeine Offsetkorrekturschaltungsanordnung (400), die mit dem Ausgang gekoppelt und konfiguriert ist:einen Korrekturfaktor basierend auf dem ersten Offsetfehler und dem zweiten Offsetfehler zu erzeugen, wobei der Korrekturfaktor der negative Quotient aus dem ersten Offsetfehler durch den zweiten Offsetfehler ist,ein korrigiertes zweites Ausgangssignal durch Multiplizieren des zweiten Ausgangssignals mit dem Korrekturfaktor zu erzeugen; undein Sensorausgangssignal durch Summieren des ersten Ausgangssignals und des korrigierten zweiten Ausgangssignals zu erzeugen, um eine Differenz zwischen dem ersten Offsetfehler und dem zweiten Offsetfehler auszugleichen.
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公开(公告)号:DE102020108928A1
公开(公告)日:2021-09-30
申请号:DE102020108928
申请日:2020-03-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MOTZ MARIO
Abstract: Sensorvorrichtungen, Steuerungen und entsprechende Verfahren werden bereitgestellt. In einer Sensorvorrichtung wird dabei ein analoges Sensorsignal in ein erstes digitales Signal gewandelt. Mittels eines Sigma-Delta-Modulators wird ein zweites digitales Signal auf Basis des ersten digitalen Signals erzeugt. Ein pulsweitenmoduliertes Signal wird auf Basis des zweiten digitalen Signals erzeugt.
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116.
公开(公告)号:DE102017102499B4
公开(公告)日:2021-06-17
申请号:DE102017102499
申请日:2017-02-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MOTZ MARIO , ARACRI UMBERTO , MICHELUTTI ALESSANDRO
IPC: G01R19/165 , G05F3/30
Abstract: Ein elektrisches Bauelement umfasst eine Leistungsversorgungsschaltung. Die Leistungsversorgungsschaltung ist ausgebildet zum Bereitstellen einer ersten Spannung und zumindest einer zweiten Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement eine erste Verifizierungsschaltung. Die erste Verifizierungsschaltung umfasst einen Eingangsanschluss für die erste Spannung. Die erste Verifizierungsschaltung ist ausgebildet zum Herleiten einer ersten und einer zweiten inneren Spannung von der ersten Spannung, zum Vergleichen der ersten inneren Spannung mit der zweiten inneren Spannung und zum Erzeugen eines ersten Ausgangssignals basierend auf dem Vergleich der ersten inneren Spannung mit der zweiten inneren Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement eine zweite Verifizierungsschaltung, die einen ersten Eingangsanschluss für die erste Spannung und einen zweiten Eingangsanschluss für die zweite Spannung aufweist. Die zweite Verifizierungsschaltung ist ausgebildet zum Vergleichen der ersten Spannung mit der zweiten Spannung und zum Erzeugen eines zweiten Ausgangssignals basierend auf dem Vergleich der ersten Spannung mit der zweiten Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement 200 eine Kombinationsschaltung, die ausgebildet ist zum Erzeugen eines dritten Ausgangssignals, wenn zumindest eines von dem ersten Ausgangssignal und dem zweiten Ausgangssignal anzeigt, dass zumindest eine von der ersten Spannung und der zweiten Spannung außerhalb eines vordefinierten Toleranzbereiches ist.
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公开(公告)号:DE102011083111B9
公开(公告)日:2021-04-22
申请号:DE102011083111
申请日:2011-09-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GASTINGER FERDINAND , GRANIG WOLFGANG , HAMMERSCHMIDT DIRK , MOTZ MARIO , RASBORNIG FRIEDRICH , SCHAFFER BERNHARD
Abstract: Monolithisches Integrierte-Schaltung-Sensorsystem, das folgende Merkmale aufweist:eine erste Sensorvorrichtung mit einem ersten Signalweg für ein erstes Sensorsignal auf einem Halbleiterchip; undeine zweite Sensorvorrichtung mit einem zweiten Signalweg für ein zweites Sensorsignal auf dem Halbleiterchip, wobei sich der zweite Signalweg von dem ersten Signalweg unterscheidet, und wobei der zweite Signalweg, verglichen mit dem ersten Signalweg, zumindest eine Charakteristik aufweist, die aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus langsamer sein, weniger präzise sein, rauschbehafteter sein und ein unterschiedliches Arbeitsprinzip aufweisen,wobei ein Vergleich des ersten Signalwegsignals und des zweiten Signalwegsignals einen Sensorsystem-Selbsttest liefert.
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公开(公告)号:DE102019118545B3
公开(公告)日:2020-10-29
申请号:DE102019118545
申请日:2019-07-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BINDER GERNOT , LUNARDINI DIEGO , DAPRETTO RICCARDO , STRUTZ VOLKER , MOTZ MARIO
Abstract: Eine Sensorvorrichtung umfasst einen elektrisch leitfähigen Chipträger, wobei der Chipträger eine Hilfsstruktur umfasst, wobei die Hilfsstruktur einen ersten Vorkalibrierstromanschluss und einen zweiten Vorkalibrierstromanschluss umfasst, einen auf einer Montagefläche des Chipträgers angeordneten Magnetfeldsensorchip, wobei der Magnetfeldsensorchip ein Sensorelement umfasst, wobei die Form der Hilfsstruktur so ausgebildet ist, dass ein von dem ersten Vorkalibrierstromanschluss zu dem zweiten Vorkalibrierstromanschluss durch die Hilfsstruktur fließender elektrischer Vorkalibrierstrom ein vorgegebenes Vorkalibriermagnetfeld am Ort des Sensorelements induziert, wobei im Messbetrieb der vorkalibrierten Sensorvorrichtung kein Vorkalibrierstrom zwischen dem ersten Vorkalibrierstromanschluss und dem zweiten Vorkalibrierstromanschluss fließt.
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119.
公开(公告)号:DE102017102499A1
公开(公告)日:2018-08-09
申请号:DE102017102499
申请日:2017-02-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MOTZ MARIO , ARACRI UMBERTO , MICHELUTTI ALESSANDRO
IPC: G01R19/165 , G05F3/30
Abstract: Ein elektrisches Bauelement umfasst eine Leistungsversorgungsschaltung. Die Leistungsversorgungsschaltung ist ausgebildet zum Bereitstellen einer ersten Spannung und zumindest einer zweiten Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement eine erste Verifizierungsschaltung. Die erste Verifizierungsschaltung umfasst einen Eingangsanschluss für die erste Spannung. Die erste Verifizierungsschaltung ist ausgebildet zum Herleiten einer ersten und einer zweiten inneren Spannung von der ersten Spannung, zum Vergleichen der ersten inneren Spannung mit der zweiten inneren Spannung und zum Erzeugen eines ersten Ausgangssignals basierend auf dem Vergleich der ersten inneren Spannung mit der zweiten inneren Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement eine zweite Verifizierungsschaltung, die einen ersten Eingangsanschluss für die erste Spannung und einen zweiten Eingangsanschluss für die zweite Spannung aufweist. Die zweite Verifizierungsschaltung ist ausgebildet zum Vergleichen der ersten Spannung mit der zweiten Spannung und zum Erzeugen eines zweiten Ausgangssignals basierend auf dem Vergleich der ersten Spannung mit der zweiten Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement 200 eine Kombinationsschaltung, die ausgebildet ist zum Erzeugen eines dritten Ausgangssignals, wenn zumindest eines von dem ersten Ausgangssignal und dem zweiten Ausgangssignal anzeigt, dass zumindest eine von der ersten Spannung und der zweiten Spannung außerhalb eines vordefinierten Toleranzbereiches ist.
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公开(公告)号:DE102017110197A1
公开(公告)日:2017-11-16
申请号:DE102017110197
申请日:2017-05-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUSSERLECHNER UDO , MOTZ MARIO
IPC: G01B7/30
Abstract: Ausführungsformen beziehen sich auf Magnetfeld-Winkelerfassungssysteme und -verfahren. In einer Ausführungsform umfasst ein Magnetfeld-Winkelerfassungssystem, das dazu ausgelegt ist, eine Rotationsposition einer Magnetfeldquelle um eine Achse zu bestimmen, N Sensoreinrichtungen, die in einem Kreis angeordnet sind, der konzentrisch zu einer Achse ist, wobei N > 1 und die Sensoreinrichtungen voneinander um etwa (360/N) Grad entlang des Kreises beabstandet sind, wobei jede Sensoreinrichtung eine Magnetfeld-Erfassungseinrichtung mit einer Empfindlichkeitsebene umfasst, die wenigstens eine Bezugsrichtung der Magnetfeld-Erfassungseinrichtung umfasst, wobei die Magnetfeld-Erfassungseinrichtung gegenüber einer Magnetfeldkomponente in der Empfindlichkeitsebene empfindlich ist und dazu ausgelegt ist, ein Signal bereitzustellen, das zu einem Cosinus bzw. Sinus eines Winkels zwischen der Bezugsrichtung und dem Magnetfeld in der Empfindlichkeitsebene in Bezug steht; und die Schaltungsanordnung, die mit den N Sensoreinrichtungen gekoppelt ist und dazu ausgelegt ist, ein Signal bereitzustellen, das eine Rotationsposition einer Magnetfeldquelle um die Achse angibt, die durch Kombinieren der Signale aus den Magnetfeld-Erfassungseinrichtungen der N Sensoreinrichtungen bestimmt worden ist, wobei die Schaltungsanordnung dazu ausgelegt ist, (i) das Signal der N Sensoreinrichtungen als Winkelwerte zu interpretieren, (ii) ganzzahlige Vielfache, die äquivalent zu 360° sind, zu ausgewählten der N Winkelwerte zu addieren, damit sie wenigstens eine monoton steigende oder fallende Sequenz aller N korrigierten Werte in einer einzigen Uhrzeiger- oder Gegenuhrzeigerrichtung von Winkelpositionen jeweiliger der N Sensoreinrichtungen ergeben, und (iii) diese korrigierten Werte zu mitteln.
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