BANDABSTANDSREFERENZ-SCHALTUNG
    111.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102021112735B3

    公开(公告)日:2022-08-04

    申请号:DE102021112735

    申请日:2021-05-17

    Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft Bandabstandsreferenz-Schaltungen umfassend eine Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210). Die Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210) umfasst einen ersten Bipolartransistor (212) mit einer ersten Emitterstromdichte und einer ersten Basis-Emitter-Spannung, einen zweiten Bipolartransistor (214) mit einer zweiten Emitterstromdichte, die kleiner ist als die erste Emitterstromdichte, und mit einer zweiten Basis-Emitter-Spannung, einen Widerstand (216), der mit dem Emitter des zweiten Bipolartransistors (214) verbunden ist, und eine Differenzverstärkerschaltung (218; 518), die ausgebildet ist, um erste und zweite Emitterströme durch den ersten und zweiten Bipolartransistor zu steuern, sodass sich eine Summe aus der zweiten Basis-Emitter-Spannung und einem Spannungsabfall über dem Widerstand der ersten Basis-Emitter-Spannung annähert. Die Bandabstandsreferenz-Schaltungen umfassen ferner eine erste Replika-Schaltung (220) umfassend einen ersten Replika-Bipolartransistor (222), der einen Arbeitspunkt des ersten Bipolartransistors (212) der Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210) nachbildet, wobei die erste Replika-Schaltung (220) ausgebildet ist, um einen Basisstrom des ersten Replika-Bipolartransistors (222) mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors (212) der Bandabstandsreferenz-Kernschaltung zu koppeln, und eine zweite Replika-Schaltung (230) umfassend einen zweiten Replika-Bipolartransistor (234), der einen Arbeitspunkt des zweiten Bipolartransistors (214) der Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210) nachbildet, wobei die zweite Replika-Schaltung (230) ausgebildet ist, um einen Basisstrom des zweiten Replika-Bipolartransistors (234) mit dem Emitter des zweiten Bipolartransistors (214) der Bandabstandsreferenz-Kernschaltung (210) zu koppeln.

    TRANSISTORBASIERTER STRESS-SENSOR UND VERFAHREN ZUM ERMITTELN EINER GRADIENTEN-KOMPENSIERTEN MECHANISCHEN SPANNUNGSKOMPONENTE

    公开(公告)号:DE102021200720A1

    公开(公告)日:2022-07-28

    申请号:DE102021200720

    申请日:2021-01-27

    Inventor: MOTZ MARIO

    Abstract: Das hierin beschriebene innovative Konzept betrifft einen transistorbasierten Stress-Sensor (10), aufweisend ein Halbleitersubstrat (20) mit einer ersten MOS-Transistor-Anordnung (11) und einer zweiten MOS-Transistor-Anordnung (12). Die erste MOS-Transistor-Anordnung (11) kann einen ersten MOS-Transistor (1) mit einem ersten Source-Drain-Kanalgebiet (23) und einen zweiten MOS-Transistor (2) mit einem zweiten Source-Drain-Kanalgebiet (33) aufweisen, wobei der erste MOS-Transistor (1) und der zweite MOS-Transistor (2) so zueinander ausgerichtet sind, dass eine Stromflussrichtung (24) im ersten Source-Drain-Kanalgebiet (23) entgegengesetzt zu einer Stromflussrichtung (34) im zweiten Source-Drain-Kanalgebiet (33) ist. Die zweite MOS-Transistor-Anordnung (12) kann einen dritten MOS-Transistor (3) mit einem dritten Source-Drain-Kanalgebiet (43) und einen vierten MOS-Transistor (4) mit einem vierten Source-Drain-Kanalgebiet (53) aufweisen, wobei der dritte MOS-Transistor (3) und der vierte MOS-Transistor (4) so zueinander ausgerichtet sind, dass eine Stromflussrichtung (44) im dritten Source-Drain-Kanalgebiet (43) entgegengesetzt zu einer Stromflussrichtung (54) im vierten Source-Drain-Kanalgebiet (53) ist. Der transistorbasierte Stress-Sensor (10) liefert ein Gradienten-kompensiertes Ausgangssignal, das zur Bestimmung einer auf das Halbleitersubstrat (20) wirkenden mechanischen Stresskomponente dient.

    SYSTEME UND VERFAHREN ZUR OFFSETFEHLERKOMPENSATION IN SENSOREN

    公开(公告)号:DE102013105231B4

    公开(公告)日:2021-12-23

    申请号:DE102013105231

    申请日:2013-05-22

    Abstract: Sensor, der zum Erfassen einer physikalischen Eigenschaft konfiguriert ist, umfassend:mindestens ein Sensorelement (100; 200; 300; 402) mit einem Ausgang, wobei ein Ausgangssignal bei Fehlen der physikalischen Eigenschaft einen Offsetfehler umfasst, wobei eine andere Eingangsgröße als die physikalische Eigenschaft den Offsetfehler beeinflusst, wobei in einer ersten Betriebsphase des Sensors eine erste Eingangsgröße ein erstes Ausgangssignal mit einem ersten Offsetfehler erzeugt und wobei in einer zweiten Betriebsphase des Sensors eine von der ersten Eingangsgröße verschiedene, zweite Eingangsgröße ein zweites Ausgangssignal mit einem zweiten Offsetfehler erzeugt; undeine Offsetkorrekturschaltungsanordnung (400), die mit dem Ausgang gekoppelt und konfiguriert ist:einen Korrekturfaktor basierend auf dem ersten Offsetfehler und dem zweiten Offsetfehler zu erzeugen, wobei der Korrekturfaktor der negative Quotient aus dem ersten Offsetfehler durch den zweiten Offsetfehler ist,ein korrigiertes zweites Ausgangssignal durch Multiplizieren des zweiten Ausgangssignals mit dem Korrekturfaktor zu erzeugen; undein Sensorausgangssignal durch Summieren des ersten Ausgangssignals und des korrigierten zweiten Ausgangssignals zu erzeugen, um eine Differenz zwischen dem ersten Offsetfehler und dem zweiten Offsetfehler auszugleichen.

    Vorrichtung mit einem Sensor, Steuerung und entsprechende Verfahren

    公开(公告)号:DE102020108928A1

    公开(公告)日:2021-09-30

    申请号:DE102020108928

    申请日:2020-03-31

    Inventor: MOTZ MARIO

    Abstract: Sensorvorrichtungen, Steuerungen und entsprechende Verfahren werden bereitgestellt. In einer Sensorvorrichtung wird dabei ein analoges Sensorsignal in ein erstes digitales Signal gewandelt. Mittels eines Sigma-Delta-Modulators wird ein zweites digitales Signal auf Basis des ersten digitalen Signals erzeugt. Ein pulsweitenmoduliertes Signal wird auf Basis des zweiten digitalen Signals erzeugt.

    Elektrische Bauelemente, integrierte Schaltungen und Verfahren zum Überwachen von Spannungen

    公开(公告)号:DE102017102499B4

    公开(公告)日:2021-06-17

    申请号:DE102017102499

    申请日:2017-02-08

    Abstract: Ein elektrisches Bauelement umfasst eine Leistungsversorgungsschaltung. Die Leistungsversorgungsschaltung ist ausgebildet zum Bereitstellen einer ersten Spannung und zumindest einer zweiten Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement eine erste Verifizierungsschaltung. Die erste Verifizierungsschaltung umfasst einen Eingangsanschluss für die erste Spannung. Die erste Verifizierungsschaltung ist ausgebildet zum Herleiten einer ersten und einer zweiten inneren Spannung von der ersten Spannung, zum Vergleichen der ersten inneren Spannung mit der zweiten inneren Spannung und zum Erzeugen eines ersten Ausgangssignals basierend auf dem Vergleich der ersten inneren Spannung mit der zweiten inneren Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement eine zweite Verifizierungsschaltung, die einen ersten Eingangsanschluss für die erste Spannung und einen zweiten Eingangsanschluss für die zweite Spannung aufweist. Die zweite Verifizierungsschaltung ist ausgebildet zum Vergleichen der ersten Spannung mit der zweiten Spannung und zum Erzeugen eines zweiten Ausgangssignals basierend auf dem Vergleich der ersten Spannung mit der zweiten Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement 200 eine Kombinationsschaltung, die ausgebildet ist zum Erzeugen eines dritten Ausgangssignals, wenn zumindest eines von dem ersten Ausgangssignal und dem zweiten Ausgangssignal anzeigt, dass zumindest eine von der ersten Spannung und der zweiten Spannung außerhalb eines vordefinierten Toleranzbereiches ist.

    Sensorvorrichtung mit Hilfsstruktur zum Kalibrieren der Sensorvorrichtung

    公开(公告)号:DE102019118545B3

    公开(公告)日:2020-10-29

    申请号:DE102019118545

    申请日:2019-07-09

    Abstract: Eine Sensorvorrichtung umfasst einen elektrisch leitfähigen Chipträger, wobei der Chipträger eine Hilfsstruktur umfasst, wobei die Hilfsstruktur einen ersten Vorkalibrierstromanschluss und einen zweiten Vorkalibrierstromanschluss umfasst, einen auf einer Montagefläche des Chipträgers angeordneten Magnetfeldsensorchip, wobei der Magnetfeldsensorchip ein Sensorelement umfasst, wobei die Form der Hilfsstruktur so ausgebildet ist, dass ein von dem ersten Vorkalibrierstromanschluss zu dem zweiten Vorkalibrierstromanschluss durch die Hilfsstruktur fließender elektrischer Vorkalibrierstrom ein vorgegebenes Vorkalibriermagnetfeld am Ort des Sensorelements induziert, wobei im Messbetrieb der vorkalibrierten Sensorvorrichtung kein Vorkalibrierstrom zwischen dem ersten Vorkalibrierstromanschluss und dem zweiten Vorkalibrierstromanschluss fließt.

    Elektrische Bauelemente, integrierte Schaltungen und Verfahren zum Überwachen von Spannungen

    公开(公告)号:DE102017102499A1

    公开(公告)日:2018-08-09

    申请号:DE102017102499

    申请日:2017-02-08

    Abstract: Ein elektrisches Bauelement umfasst eine Leistungsversorgungsschaltung. Die Leistungsversorgungsschaltung ist ausgebildet zum Bereitstellen einer ersten Spannung und zumindest einer zweiten Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement eine erste Verifizierungsschaltung. Die erste Verifizierungsschaltung umfasst einen Eingangsanschluss für die erste Spannung. Die erste Verifizierungsschaltung ist ausgebildet zum Herleiten einer ersten und einer zweiten inneren Spannung von der ersten Spannung, zum Vergleichen der ersten inneren Spannung mit der zweiten inneren Spannung und zum Erzeugen eines ersten Ausgangssignals basierend auf dem Vergleich der ersten inneren Spannung mit der zweiten inneren Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement eine zweite Verifizierungsschaltung, die einen ersten Eingangsanschluss für die erste Spannung und einen zweiten Eingangsanschluss für die zweite Spannung aufweist. Die zweite Verifizierungsschaltung ist ausgebildet zum Vergleichen der ersten Spannung mit der zweiten Spannung und zum Erzeugen eines zweiten Ausgangssignals basierend auf dem Vergleich der ersten Spannung mit der zweiten Spannung. Ferner umfasst das elektrische Bauelement 200 eine Kombinationsschaltung, die ausgebildet ist zum Erzeugen eines dritten Ausgangssignals, wenn zumindest eines von dem ersten Ausgangssignal und dem zweiten Ausgangssignal anzeigt, dass zumindest eine von der ersten Spannung und der zweiten Spannung außerhalb eines vordefinierten Toleranzbereiches ist.

    Außeraxiale Magnetfeld-Winkelsensoren

    公开(公告)号:DE102017110197A1

    公开(公告)日:2017-11-16

    申请号:DE102017110197

    申请日:2017-05-11

    Abstract: Ausführungsformen beziehen sich auf Magnetfeld-Winkelerfassungssysteme und -verfahren. In einer Ausführungsform umfasst ein Magnetfeld-Winkelerfassungssystem, das dazu ausgelegt ist, eine Rotationsposition einer Magnetfeldquelle um eine Achse zu bestimmen, N Sensoreinrichtungen, die in einem Kreis angeordnet sind, der konzentrisch zu einer Achse ist, wobei N > 1 und die Sensoreinrichtungen voneinander um etwa (360/N) Grad entlang des Kreises beabstandet sind, wobei jede Sensoreinrichtung eine Magnetfeld-Erfassungseinrichtung mit einer Empfindlichkeitsebene umfasst, die wenigstens eine Bezugsrichtung der Magnetfeld-Erfassungseinrichtung umfasst, wobei die Magnetfeld-Erfassungseinrichtung gegenüber einer Magnetfeldkomponente in der Empfindlichkeitsebene empfindlich ist und dazu ausgelegt ist, ein Signal bereitzustellen, das zu einem Cosinus bzw. Sinus eines Winkels zwischen der Bezugsrichtung und dem Magnetfeld in der Empfindlichkeitsebene in Bezug steht; und die Schaltungsanordnung, die mit den N Sensoreinrichtungen gekoppelt ist und dazu ausgelegt ist, ein Signal bereitzustellen, das eine Rotationsposition einer Magnetfeldquelle um die Achse angibt, die durch Kombinieren der Signale aus den Magnetfeld-Erfassungseinrichtungen der N Sensoreinrichtungen bestimmt worden ist, wobei die Schaltungsanordnung dazu ausgelegt ist, (i) das Signal der N Sensoreinrichtungen als Winkelwerte zu interpretieren, (ii) ganzzahlige Vielfache, die äquivalent zu 360° sind, zu ausgewählten der N Winkelwerte zu addieren, damit sie wenigstens eine monoton steigende oder fallende Sequenz aller N korrigierten Werte in einer einzigen Uhrzeiger- oder Gegenuhrzeigerrichtung von Winkelpositionen jeweiliger der N Sensoreinrichtungen ergeben, und (iii) diese korrigierten Werte zu mitteln.

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