公开(公告)号：WO2012019741A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：PCT/EP2011/003948

申请日：2011-08-05

Applicant: GIESECKE & DEVRIENT GMBH ,  LOCHBIHLER, Hans

Inventor： LOCHBIHLER, Hans

IPC: B23K26/08 ,  B23K26/06 ,  B23K26/00 ,  G03H1/02

CPC classification number: B23K26/0084 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0853 ,  B42D25/328 ,  B44B5/026 ,  B44C1/228 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0143 ,  G03H1/028 ,  G03H2001/0296 ,  G03H2001/0478 ,  G03H2260/62 ,  G03H2270/13

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Prägewerkzeugen (3, 3'), die aus einem Substrat (3, 3') bestehen, in dessen Oberfläche Prägestrukturen für Mikrostrukturelemente, wie Hologramme, Nanostrukturen oder dergleichen, eingebracht werden. Erfindungsgemäß werden die Prägestrukturen für die Mikrostrukturelemente in die Oberfläche des Substrats (3, 3') mittels ultrakurzer Laserpulse aus polarisierten elektromagnetischen Wellen bzw. polarisierter elektromagnetischer Strahlung eingebracht. Es wird somit ein Verfahren der Oberflächenstrukturierung benutzt, um Prägewerkzeuge (3, 3') für Mikrostrukturelemente herzustellen. Damit kann die Originalstruktur direkt auf die Oberfläche eines Prägewerkzeugs übertragen und davon Folienabzüge angefertigt werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产的压花工具（3,3“）组成的底物（3,3”在压印结构的表面为微结构元件，例如全息图，纳米结构，或类似物制成），可以引入。 根据本发明，用于通过分别偏振的电磁辐射被并入偏振电磁波的超短激光脉冲来在基板（3，3“）的表面上的微结构元件的压花结构。 因此，它被用于产生压花工具（3,3“），用于微结构的元件，表面图案化的方法。 因此，原来的结构可以直接转移到冲压工具和电影拷贝制成的表面上。

公开(公告)号：WO2010088111A2

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/US2010021470

申请日：2010-01-20

Applicant: FUJIFILM DIMATIX INC ,  HOISINGTON PAUL A ,  TORREY MARC A

Inventor： HOISINGTON PAUL A ,  TORREY MARC A

IPC: B81C1/00 ,  B41J2/045 ,  B81B7/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00904 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019

Abstract: A MEMS device is described that has a body with a component bonded to the body. The body has a main surface and a side surface adjacent to the main surface and smaller than the main surface. The body is formed of a material and the side surface is formed of the material and the body is in a crystalline structure different from the side surface. The body includes an outlet in the side surface and the component includes an aperture in fluid connection with the outlet.

Abstract translation: 描述了一种MEMS器件，其具有与部件结合在一起的本体。 主体具有主表面和与主表面相邻并且小于主表面的侧表面。 主体由材料形成并且侧表面由材料形成并且主体处于与侧表面不同的晶体结构中。 该主体在侧表面中包括出口，并且该部件包括与出口流体连接的孔。

公开(公告)号：WO2009128855A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：PCT/US2008/075227

申请日：2008-09-04

Applicant: SIONYX, INC. ,  ALIE, Susan

Inventor： ALIE, Susan

IPC: H01L23/26 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01L23/26 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0143 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: The present disclosure relates to methods of treating a silicon substrate with an ultra-fast laser to create a getter material for example in a substantially enclosed MEMS package. In an embodiment, the laser treating comprises irradiating the silicon surface with a plurality of laser pulses adding gettering microstructure to the treated surface. Semiconductor based packaged devices, e.g. MEMS, are given as examples hereof.

Abstract translation: 本公开涉及用超快速激光处理硅衬底以产生例如在基本封闭的MEMS封装中的吸气材料的方法。 在一个实施例中，激光处理包括用多个激光脉冲对硅表面照射，以将吸收微结构加到被处理的表面上。 基于半导体的封装器件，例如 MEMS作为示例。

公开(公告)号：WO2004078640A1

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：PCT/NL2004/000166

申请日：2004-03-05

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT ,  STORM, Arnoldus, Jan ,  ZANDBERGEN, Hendrik, Willem

Inventor： STORM, Arnoldus, Jan ,  ZANDBERGEN, Hendrik, Willem

IPC: B81B1/00

CPC classification number: G01N33/48721 ,  B81B1/004 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0143 ,  H01J37/31

Abstract: The invention relates to a method for manufacturing nanometer-scale apertures, wherein, in an object, in a conventional manner, at least one aperture is provided with a nanometer-scale surface area, after which, by means of an electron beam, energy is supplied to at least the edge of said at least one aperture, such that the surface area of the respective aperture is adjusted, wherein the surface area of the aperture is controlled during adjustment and the supply of energy is regulated on the basis of the surface area change.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造纳米尺度孔径的方法，其中在一个目的中，以常规方式，至少一个开口具有纳米级的表面积，之后借助于电子束，能量是 供应到所述至少一个孔的至少边缘，使得调节相应孔的表面积，其中在调节期间控制孔的表面积，并且基于表面积调节能量供应 更改。

公开(公告)号：WO2003015145A1

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：PCT/JP2002/007999

申请日：2002-08-06

Applicant: 財団法人新産業創造研究機構 ,  金子 忠昭 ,  浅岡 康 ,  佐野 直克

Inventor： 金子 忠昭 ,  浅岡 康 ,  佐野 直克

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C2201/0143 ,  H01L21/302

Abstract: A micromachining method using an ionbeam, characterized in that it comprises injecting an Ga ion controlled to have a predetermined ion beam diameter and ion current density into the surface of a Ga x In 1−x As y P 1−y (0 ≤ x, y ≤ 1) layer, including a GaAs and InP substrate, in a condition wherein an oxide film is formed on its surface or the surface is being irradiated with oxygen molecules, to thereby convert the oxide selectively to Ga 2 O 3 or Ga 2 O or form the gallium oxide, and then subjecting the surface of the Ga x In 1−x As y P 1−y layer to a dry etching on one atomic layer basis by the use of a bromide to remove the above oxide film formed on the surface and the Ga x In 1−x As y P 1−y layer which have not converted to Ga 2 O 3 or Ga 2 O.

Abstract translation: 一种使用离子束的微加工方法，其特征在于，其包括将控制的具有预定离子束直径和离子电流密度的Ga离子注入到Ga x Sb 1-x < / sb> As y P 1-y （0≤x，y≤1）层，包括GaAs和InP衬底，在形成氧化物膜的条件下 在其表面或表面上被氧分子照射，从而将氧化物选择性地转化为Ga 2 O 3 s 3或Ga 2 S 2 O 3，或 形成氧化镓，然后使Ga x Sb 1-x Sb的表面经受1 / sb>层通过使用溴化物去除在表面上形成的上述氧化膜和Ga x Sb 1-x Seb的一个原子层的干法蚀刻。 作为尚未转换为Ga sb> O 3 或Ga sb> 2的 y P 1-y 层 0。

公开(公告)号：WO2003014009A2

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：PCT/US2002/024653

申请日：2002-08-02

Applicant: HEWLETT-PACKARD COMPANY

Inventor： IVES, Thomas W,

IPC: B81B3/00

CPC classification number: G01P15/08 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0143 ,  G01P2015/0817

Abstract: A microelectromechanical device (MEMD) defined within a substrate of a MEMS includes a mass element defining an area of interest. The device also includes a support beam supporting the mass element in spaced-apart relationship from the substrate. The support beam includes a first beam member defined by a first fixed end connected to the substrate, and a first free end connected to the mass element. The support beam further includes a second beam member defined by a second fixed end connected to the substrate, and a second free end connected to the mass element. The beam members are in spaced-apart relationship from one another. A first cross member connects the first beam member and the second beam member. Preferably, the support beam includes a plurality of cross members. Two such support beams can be used to support a mass element in a MEMD in a bridge configuration.

Abstract translation: 限定在MEMS的衬底内的微机电装置（MEMD）包括限定感兴趣区域的质量元件。 该装置还包括支撑梁，该支撑梁以与衬底隔开的关系支撑质量元件。 支撑梁包括由连接到基板的第一固定端和连接到质量元件的第一自由端限定的第一梁构件。 支撑梁还包括由连接到基板的第二固定端限定的第二梁构件和连接到质量元件的第二自由端。 梁构件彼此间隔开。 第一横向构件连接第一梁构件和第二梁构件。 优选地，支撑梁包括多个横向构件。 可以使用两个这样的支撑梁来支撑桥梁构造中的MEMD中的质量元件。

公开(公告)号：WO2016167848A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/US2016/012133

申请日：2016-01-05

Applicant: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY ,  MEYER, David, J. ,  DOWNEY, Brian, P.

Inventor： MEYER, David, J. ,  DOWNEY, Brian, P.

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L27/04

CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0177

Abstract: A process for fabricating a suspended microelectromechanical system (MEMS) structure comprising epitaxial semiconductor functional layers that are partially or completely suspended over a substrate. A sacrificial release layer and a functional device layer are formed on a substrate. The functional device layer is etched to form windows in the functional device layer defining an outline of a suspended MEMS device to be formed from the functional device layer. The sacrificial release layer is then etched with a selective release etchant to remove the sacrificial release layer underneath the functional layer in the area defined by the windows to form the suspended MEMS structure.

Abstract translation: 一种用于制造悬浮微机电系统（MEMS）结构的方法，其包括部分或完全悬浮在衬底上的外延半导体功能层。 在基板上形成牺牲剥离层和功能元件层。 功能器件层被蚀刻以在功能器件层中形成窗口，其限定要由功能器件层形成的悬置的MEMS器件的轮廓。 然后用选择性释放蚀刻剂蚀刻牺牲剥离层，以去除由窗口限定的区域中的功能层下方的牺牲剥离层，以形成悬浮的MEMS结构。

公开(公告)号：WO2013163433A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/US2013/038223

申请日：2013-04-25

Applicant: ALERE SAN DIEGO, INC.

Inventor： OLSSON, Erik, Mikael ,  RIVERON, Jonathan ,  TOVAR, Armando, Raul

IPC: B23K26/20

CPC classification number: B29C65/7855 ,  B23K26/244 ,  B23K26/324 ,  B23K26/60 ,  B23K2203/30 ,  B29C59/16 ,  B29C65/08 ,  B29C65/1606 ,  B29C65/1609 ,  B29C65/1612 ,  B29C65/1616 ,  B29C65/1632 ,  B29C65/1635 ,  B29C65/1654 ,  B29C65/1664 ,  B29C65/1677 ,  B29C65/1683 ,  B29C65/1696 ,  B29C65/72 ,  B29C66/0246 ,  B29C66/028 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/21 ,  B29C66/232 ,  B29C66/234 ,  B29C66/24244 ,  B29C66/30223 ,  B29C66/3452 ,  B29C66/53461 ,  B29C66/71 ,  B29C66/73361 ,  B29C66/73921 ,  B29C66/8122 ,  B29C66/81267 ,  B29C66/836 ,  B29C66/9513 ,  B29C2035/0838 ,  B29C2791/009 ,  B29K2995/0027 ,  B29L2009/00 ,  B29L2031/756 ,  B81C1/00357 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019 ,  Y10T156/1039 ,  Y10T156/1064 ,  B29K2025/06 ,  B29K2069/00 ,  B29K2033/12 ,  B29K2067/00 ,  B29K2071/00 ,  B29K2909/08

Abstract: The present invention relates to methods for joining materials as well as articles manufactured using such processes. The invention pertains to a process for joining a first substrate to a second substrate. The process includes irradiating a portion of a first substrate with a laser beam having a first wavelength and intensity sufficient to increase the absorbance of the first substrate to light having a second, different wavelength. The laser beam may carbonize at least a portion of the irradiated portion of the first substrate imparting a higher absorbance to light than non-irradiated portions of the first substrate. A second substrate is then placed in contact with the irradiated portion of the first substrate. The first substrate is then irradiated with a second laser having a second wavelength, different to the first wavelength; with a sufficient intensity to heat and, preferably melt, the irradiated portion of the first substrate.

Abstract translation: 本发明涉及用于连接材料的方法以及使用这些方法制造的制品。 本发明涉及将第一衬底接合到第二衬底的方法。 该方法包括用具有第一波长和强度的激光束照射第一衬底的一部分，该第一波长和强度足以将第一衬底的吸光度增加到具有第二不同波长的光。 所述激光束可以将所述第一基板的照射部分的至少一部分碳化，使得比所述第一基板的未照射部分赋予更高的吸光度。 然后将第二衬底放置成与第一衬底的照射部分接触。 然后用具有与第一波长不同的第二波长的第二激光器照射第一衬底; 具有足够的强度以加热并且优选地熔化第一基底的照射部分。

公开(公告)号：WO2012024696A2

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：PCT/US2011/048695

申请日：2011-08-22

Applicant: PURDUE RESEARCH FOUNDATION ,  CHITNIS, Girish ,  ZIAIE, Babak ,  DING, Zhenwen

Inventor： CHITNIS, Girish ,  ZIAIE, Babak ,  DING, Zhenwen

IPC: G01N27/26 ,  B23K26/00 ,  B81B1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B23K26/082 ,  B23K26/361 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0143 ,  G01N27/44791 ,  H01L51/0023

Abstract: A patterned circuit, including a hydrophilic substrate, a hydrophobic layer formed on the hydrophilic substrate, and a pattern formed in the hydrophobic layer to expose the hydrophilic substrate.

Abstract translation: 图案化电路包括亲水基底，在亲水基底上形成的疏水层以及在疏水层中形成的图案，以暴露亲水基底。

公开(公告)号：WO2012014709A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/JP2011/066319

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  下井 英樹 ,  久嶋 浩之 ,  荒木 佳祐

Inventor： 下井　英樹 ,  久嶋　浩之 ,  荒木　佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L23/481 ,  B23K26/006 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/50 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0143 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: シリコンで形成された板状の加工対象物（１）に孔（２４）を形成するためのレーザ加工方法であって、加工対象物（１）のレーザ光入射面側において該レーザ光入射面（３）に開口する凹部（１０）を孔（２４）に対応する部分に形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後、加工対象物（１）にレーザ光（Ｌ）を集光させることにより、加工対象物（１）における孔（２４）に対応する部分に沿って改質領域（７）を形成する改質領域形成工程と、改質領域形成工程の後、加工対象物（１）に異方性エッチング処理を施すことにより、改質領域（７）に沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物（１）に孔（２４）を形成するエッチング処理工程と、を備え、改質領域形成工程では、改質領域（７）又は該改質領域（７）から延びる亀裂（Ｃ）を凹部の内面に露出させることを特徴とするレーザ加工方法。

Abstract translation: 公开了一种用于在由硅形成的平坦目标物体（1）中形成孔（24）的激光加工方法。 所述方法包括：凹陷形成步骤，其中在所述激光入射表面的一部分中形成有朝向所述目标物体（1）的激光入射表面（3）开口的凹部（10），所述凹部 对应于上述孔（24）; 变形区域形成步骤，在所述凹陷形成步骤之后，其中激光（L）被聚焦到所述目标物体（1）上以沿着对象物体（1）的一部分形成修改区域（7） 到所述孔（24）; 以及蚀刻处理步骤，在所述目标物体（1）被各向异性蚀刻后的所述改质区域形成工序之后，使所述蚀刻沿着所述改质区域（7）选择性地进行，以在所述靶材中形成孔（24） 对象（1）。 所公开的激光加工方法的特征在于，在改质区域形成步骤中，从改质区域（7）延伸的改质区域（7）或裂纹（C）暴露于凹部的内表面。