公开(公告)号：US06902947B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US10435757

申请日：2003-05-09

Applicant: Jeffrey D. Chinn ,  Rolf A. Guenther ,  Michael B. Rattner ,  James A. Cooper ,  Toi Yue Becky Leung ,  Claes H. Bjorkman

Inventor： Jeffrey D. Chinn ,  Rolf A. Guenther ,  Michael B. Rattner ,  James A. Cooper ,  Toi Yue Becky Leung ,  Claes H. Bjorkman

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: Disclosed herein is a method of improving the adhesion of a hydrophobic self-assembled monolayer (SAM) coating to a surface of a MEMS structure, for the purpose of preventing stiction. The method comprises treating surfaces of the MEMS structure with a plasma generated from a source gas comprising oxygen and, optionally, hydrogen. The treatment oxidizes the surfaces, which are then reacted with hydrogen to form bonded OH groups on the surfaces. The hydrogen source may be present as part of the plasma source gas, so that the bonded OH groups are created during treatment of the surfaces with the plasma. Also disclosed herein is an integrated method for release and passivation of MEMS structures which may be adjusted to be carried out in a either a single chamber processing system or a multi-chamber processing system.

Abstract translation: 本文公开了一种改进疏水性自组装单层（SAM）涂层到MEMS结构表面的粘附性的方法，以防止粘结。 该方法包括用包含氧气和任选的氢气的源气体产生的等离子体处理MEMS结构的表面。 处理氧化表面，然后与氢气反应以在表面上形成键合的OH基团。 氢源可以作为等离子体源气体的一部分存在，使得在用等离子体处理表面期间产生结合的OH基团。 本文还公开了一种用于MEMS结构的释放和钝化的集成方法，其可以被调整为在单室处理系统或多室处理系统中进行。

公开(公告)号：US06794196B2

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：US09739940

申请日：2000-12-19

Applicant: Stephen J. Fonash ,  Sanghoon Bae ,  Daniel J. Hayes ,  Joseph Cuiffi

Inventor： Stephen J. Fonash ,  Sanghoon Bae ,  Daniel J. Hayes ,  Joseph Cuiffi

IPC: G01N100

CPC classification number: C23C16/511 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0176 ,  C23C16/24 ,  G01N21/17 ,  G01N27/44717 ,  Y10T436/119163 ,  Y10T436/25 ,  Y10T436/2575

Abstract: The present invention is directed to the use of deposited thin films for chemical or biological analysis. The invention further relates to the use of these thin films in separation adherence and detection of chemical of biological samples. Applications of these thin films include desorption-ionization mass spectroscopy, electrical contacts for organic thin films and molecules, optical coupling of light energy for analysis, biological materials manipulation, chromatographic separation, head space adsorbance media, media for atomic molecular adsorbance or attachment, and substrates for cell attachment.

Abstract translation: 本发明涉及使用沉积的薄膜进行化学或生物分析。 本发明还涉及这些薄膜在分离粘附和生物样品化学检测中的应用。 这些薄膜的应用包括解吸电离质谱，有机薄膜和分子的电接触，用于分析的光能的光耦合，生物材料操作，色谱分离，顶空吸附介质，用于原子分子吸附或附着的介质，以及 细胞附着物。

公开(公告)号：US20030139040A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：US09445374

申请日：2000-03-02

Inventor： MARTIN SCHOEFTHALER ,  PETER HEIN ,  HELMUT SKAPA ,  HORST MUENZEL

IPC: B44C001/22 ,  C03C015/00 ,  C03C025/68 ,  H01L021/302 ,  H01L021/461

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B3/0005 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  G01P1/023

Abstract: The invention proposes a method for manufacturing micromechanical components, and a micromechanical component, in which a movable element (4) is produced on a sacrificial layer (2). In a subsequent step the sacrificial layer (2) beneath the movable element (4) is removed so that the movable element (4) becomes movable. After removal of the sacrificial layer (2), a protective layer (7) is deposited on a surface of the movable element (4). Silicon oxide and/or silicon nitride is used for the protective layer (7).

Abstract translation: 本发明提出了一种用于制造微机械部件的方法，以及微机械部件，其中在牺牲层（2）上制造可移动元件（4）。 在随后的步骤中，去除可移动元件（4）下面的牺牲层（2），使得可移动元件（4）变得可移动。 在去除牺牲层（2）之后，在可移动元件（4）的表面上沉积保护层（7）。 氧化硅和/或氮化硅用于保护层（7）。

公开(公告)号：US06576489B2

公开(公告)日：2003-06-10

申请号：US09850923

申请日：2001-05-07

Applicant: Toi Yue Becky Leung ,  Jeffrey D. Chinn

Inventor： Toi Yue Becky Leung ,  Jeffrey D. Chinn

IPC: H01L2100

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: The invention includes methods of forming microstructure devices. In an exemplary method, a substrate is provided which includes a first material and a second material. At least one of the first and second materials is exposed to vapor-phase alkylsilane-containing molecules to form a coating over the at least one of the first and second materials.

公开(公告)号：US20010034076A1

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：US09771872

申请日：2001-01-29

Applicant: Analog Devices, Inc.

Inventor： John R. Martin

IPC: H01L021/00

CPC classification number: H01L21/3122 ,  B81B3/0005 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02263 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: This invention discloses a process for forming durable anti-stiction surfaces on micromachined structures while they are still in wafer form (i.e., before they are separated into discrete devices for assembly into packages). This process involves the vapor deposition of a material to create a low stiction surface. It also discloses chemicals which are effective in imparting an anti-stiction property to the chip. These include polyphenylsiloxanes, silanol terminated phenylsiloxanes and similar materials.

Abstract translation: 本发明公开了一种在微加工结构上形成持久的抗静电表面的方法，同时它们仍然是晶片形式（即，在它们被分离成用于组装成包装的分立装置之前）。 该方法涉及材料的气相沉积以产生低粘度表面。 它还公开了有效赋予芯片抗静电性能的化学品。 这些包括聚苯基硅氧烷，硅烷醇封端的苯基硅氧烷和类似的材料。

公开(公告)号：WO2015005193A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/JP2014/067678

申请日：2014-07-02

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 佐野　貴洋 ,  直野　崇幸

IPC: H03H9/17 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01L9/08 ,  G01P15/09 ,  H01L29/84 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H04R17/00 ,  H04R17/10 ,  H03H3/02

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0176 ,  G01C19/56 ,  G01P15/09 ,  G01P2015/084 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1138 ,  H01L41/319 ,  H03H9/17 ,  H03H2003/027 ,  H03H2003/0414 ,  H04R17/10 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

Abstract: 　ダイアフラム型共振ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、シリコン基板の第１の面に、熱酸化により、又は９００℃以上の熱処理を含むプロセスにより形成する第１のシリコン酸化膜、絶対値が１００［ＭＰａ］以下の応力を有する第２のシリコン酸化膜、下部電極、圧電体膜、上部電極を当該順に積層する積層工程と、シリコン基板の第１の面の反対側の面を、深堀り反応性イオンエッチングにより第１のシリコン酸化膜に到達するまでエッチング加工して凹部を形成するエッチング工程とを含み、第１のシリコン酸化膜の膜厚をｔ １ 、第２のシリコン酸化膜の膜厚をｔ ２ 、第１のシリコン酸化膜の膜厚と第２のシリコン酸化膜の膜厚との和に対する第２のシリコン酸化膜の膜厚の割合ｔ ２ ／（ｔ １ ＋ｔ ２ ）をＲ ２ とすると、０．１０［μｍ］≦ｔ １ ≦２．００［μｍ］、かつ、Ｒ ２ ≧０．７０を満たす。

Abstract translation: 用于制造隔膜型谐振MEMS器件的方法包括：层压步骤，其中通过热氧化形成的第一氧化硅膜或包括在900℃以上的热处理的工艺，第二氧化硅膜，其具有 绝对值为100以下的应力[MPa]，下电极，压电膜和上电极依次依次层叠在硅衬底的第一面上; 以及蚀刻步骤，其中所述表面位于第一表面的相反侧的硅衬底的表面被深反应离子蚀刻蚀刻直至第一氧化硅膜露出，从而形成凹陷部分。 如果t1是第一氧化硅膜的膜厚，则t2是第二氧化硅膜的膜厚，R2是t2 /（t1 + t2），即第二氧化硅膜的膜厚比相对于 第一氧化硅膜的膜厚和第二氧化硅膜的膜厚之和t1，t2和R2的关系式满足关系式0.10 [μm]≤t1≤2.00[μm]，R2≥0.70。

公开(公告)号：WO2015003523A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/CN2014/076636

申请日：2014-04-30

Applicant: 厦门华谱光电科技有限公司

Inventor： 姜丽萍

IPC: H01L31/042

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  F24S25/30 ,  F24S25/636 ,  F24S2025/016 ,  F24S2025/801 ,  F24S2025/807 ,  G01F1/56 ,  G01J1/42 ,  H02S20/00 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/50

Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能板紧固装置，它包括：导轨（1），所述导轨（1）的上端开设有卡块容置槽（11）；卡接件（2），所述卡接件（2）的上部为螺栓连接部（21），所述卡接件（2）的中部为对称设置的两个连接板（22），两个连接板（22）之间形成通槽（221），所述卡接件（2）的下部为卡块部（23），所述卡块部（23）与所述卡块容置槽（11）相配合，所述卡块部（23）的底端中心开设有弹簧安装孔（231）；螺栓（3），所述螺栓（3）与所述螺栓连接部（21）螺接并伸入所述通槽内（221）；压板（4），所述压板（4）位于所述卡接件（2）上方，所述压板（4）通过所述螺栓（3）与所述卡接件（2）连接；弹簧（5），所述弹簧（5）的上段固接于所述弹簧安装孔（231）内。本实用新型可满足不同厚度太阳能板安装要求且安装简便。

公开(公告)号：WO2014179340A3

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/US2014035920

申请日：2014-04-29

Applicant: UNIV NORTH CAROLINA

Inventor： CAHOON JAMES ,  CHRISTESEN JOSEPH ,  PINION CHRISTOPHER

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0171 ,  B81C2201/0176 ,  G01Q60/38 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/16 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/09 ,  Y02E10/50

Abstract: Methods of chemically encoding high-resolution shapes in silicon nanowires during metal nanoparticle catalyzed vapor-liquid-solid growth or vapor-solid-solid growth are provided. In situ phosphorus or boron doping of the silicon nanowires can be controlled during the growth of the silicon nanowires such that high-resolution shapes can be etched along a growth axis on the silicon nanowires. Nanowires with an encoded morphology can have high-resolution shapes with a size resolution of about 1,000 nm to about 10 nm and comprise geometrical shapes, conical profiles, nanogaps and gratings.

Abstract translation: 提供了在金属纳米颗粒催化的气 - 液 - 固 - 固生长或气 - 固 - 固生长期间在硅纳米线中化学编码高分辨率形状的方法。 可以在硅纳米线的生长期间控制硅纳米线的原位磷或硼掺杂，使得可以沿硅纳米线上的生长轴蚀刻高分辨率形状。 具有编码形态的纳米线可以具有约1000nm至约10nm的尺寸分辨率的高分辨率形状，并且包括几何形状，锥形轮廓，纳米光栅和光栅。

公开(公告)号：WO2004108585A2

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/US2004009661

申请日：2004-03-30

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  PARTRIDGE AARON ,  LUTZ MARKUS ,  KRONMUELLER SILVIA

Inventor： PARTRIDGE AARON ,  LUTZ MARKUS ,  KRONMUELLER SILVIA

IPC: B81B7/00 ,  B81B

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/095 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136

Abstract: There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures encapsulated in a chamber prior to final packaging and a contact area disposed at least partially outside the chamber. The contact area is electrically isolated from nearby electrically conducting regions by way of dielectric isolation trench that is disposed around the contact area. The material that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilitates integration with high-performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.

Abstract translation: 这里描述和说明了许多发明。 一方面，本发明涉及MEMS器件，以及制造或制造MEMS器件的技术，其具有在最终封装之前封装在腔室中的机械结构以及至少部分地设置在腔室外部的接触区域。 接触区域通过设置在接触区域周围的绝缘隔离沟槽与附近的导电区域电隔离。 当沉积时，封装机械结构的材料包括以下属性中的一个或多个：低拉伸应力，良好的阶梯覆盖，在经受后续加工时保持其完整性，不会显着和/或不利地影响 室中的机械结构（如果在沉积期间涂覆材料）和/或促进与高性能集成电路的集成。 在一个实施例中，封装机械结构的材料是例如硅（多晶，无定形或多孔，无论掺杂或未掺杂），碳化硅，硅 - 锗，锗或砷化镓。

公开(公告)号：WO02090245A2

公开(公告)日：2002-11-14

申请号：PCT/US0214142

申请日：2002-05-01

Applicant: APPLIED MATERIALS INC

Inventor： LEUNG TOI YUE BECKY ,  CHINN JEFFREY D

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: The invention includes methods of forming microstructure devices. In an exemplary method, a substrate is provided which includes a first material and a second material. At least one of the first and second materials is exposed to vapor-phase alkylsilane-containing molecules to form a coating over the at least one of the first and second materials.

Abstract translation: 本发明包括形成微结构器件的方法。 在示例性方法中，提供了包括第一材料和第二材料的基底。 将第一和第二材料中的至少一种暴露于含气相烷基硅烷的分子，以在第一和第二材料中的至少一种材料上形成涂层。