公开(公告)号：DE102010028461A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028461

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GROSCHOPF JOHANNES ,  HUESELITZ RICO ,  KITSCHE MARCO ,  STEFFEN KATJA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

Abstract: Für komplexe CMP-Prozesse, in denen das Abtragen unterschiedlicher dielektrischer Materialien erforderlich ist, möglicherweise in Anwesenheit eines Polysiliziummaterials, wird ein Schleifmittelmaterial am Punkt der Verwendung angepasst, indem ein geeigneter pH-Wert ausgewählt wird und indem eine Agglomeration der abreibenden Teilchen vermieden wird. Die in-situ-Präparation des Schleifmittelmaterials ermöglicht ferner eine sehr dynamische Anpassung der Abtragungsbedingungen, wenn beispielsweise das Polysiliziummaterial von Gateelektrodenstrukturen in Austauschgateverfahren freigelegt wird.

公开(公告)号：DE102010028459A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028459

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  LENSKI MARKUS ,  CARTER RICHARD

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/308

Abstract: In einer Fertigungsstrategie zur Bereitstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase können Prozesse in Bezug auf Ungleichmäßigkeiten während und nach dem Strukturieren der Gateelektrodenstrukturen verbessert werden, indem eine bessere Oberflächentopographie geschaffen wird. Zu diesem Zweck wird der Materialverlust in dem Isolationsgebiet generell verringert und es wird eine symmetrische Einwirkung von reaktiven Ätzatmosphären während des nachfolgenden Entfernens der Aufwachsmaske erreicht, indem eine zusätzliche Ätzmaske bereitgestellt wird, wenn die Aufwachsmaske von den aktiven Gebieten von n-Kanaltransistoren entfernt wird, nachdem das schwellwerteinstellende Halbleitermaterial auf den aktiven Gebieten der p-Kanaltransistoren aufgewachsen wurde.

公开(公告)号：DE102010003562A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010003562

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GRILLBERGER MICHAEL ,  LEHR MATTHIAS ,  GIEDIGKEIT RAINER

IPC: H01L21/60

Abstract: In einem Wiederaufschmelzprozess zum Verbinden eines Halbleiterchips eines Gehäusesubstrats wird der Temperaturgradient und somit die thermisch hervorgerufene mechanische Spannung in einem empfindlichen Metallisierungssystem des Halbeleiterchips während der Abkühlphase verringert. Dazu werden ein oder mehrere Heizintervalle in die Abkühlphase eingeführt, wodurch die Temperaturdifferenz effizient verringert wird. In anderen Fällen wird das zentrale Gebiet zusätzlich gekühlt, indem geeignet lokal beschränkte Mechanismen vorgesehen werden, etwa ein lokal beschränkter Gasfluss und dergleichen. Folglich können gewünschte kurze Gesamtprozesszeiten erreicht werden, ohne dass zu erhöhten Ausbeuteverlusten beigetragen wird, wenn komplexe Metallisierungssysteme auf der Grundlage eines bleifreien Kontaktschemas verarbeitet werden.

公开(公告)号：DE102010003451A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010003451

申请日：2010-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HEINRICH JENS ,  WEI ANDY

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das Freilegen des Platzhaltermaterials der Gateelektrodenstrukturen auf der Grundlage eines Ätzprozesses bewerkstelligt, wodurch das Erzeugen von prozessabhängigen Ungleichmäßigkeiten vermieden wird, die typischerweise mit einem komplexen Polierprozess zum Freilegen der oberen Oberfläche des Platzhaltermaterials verknüpft sind. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird das Platzhaltermaterial mittels eines Ätzprozesses, der auf einem Opfermaskenmaterial beruht, freigelegt.

公开(公告)号：DE102009015746B4

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：DE102009015746

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FAHR TORSTEN ,  SCHALLER MATTHIAS ,  BUCHHOLTZ WOLFGANG

IPC: G01J3/453

Abstract: Während der Bearbeitung komplexer Halbleiterbauelemente können dielektrische Materialsysteme mit einer Struktur in einer zerstörungsfreien Weise analysiert werden unter Verwendung einer FTIR-Technik in Kombination mit mehreren Einfallswinkeln. Auf diese Weise können topographieabhängige Informationen erhalten werden und/oder die Datenanalyse kann effizienter gestaltet werden auf Grund der größeren Menge an Information, die durch die mehreren Einfallswinkel erhalten wird.

公开(公告)号：DE102010002450A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010002450

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEYER SVEN ,  HOENTSCHEL JAN ,  SCHEIPER THILO ,  GRIEBENOW UWE

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird ein Austauschgateverfahren angewendet, in welchem ein Kanalhalbleitermaterial durch die Gateöffnung hindurch vor dem Ausbilden des Gatedielektrikumsmaterials und des Elektrodenmaterials vorgesehen wird. Auf diese Weise können spezielle Kanalmaterialien in einer späten Fertigungsphase für unterschiedliche Transistortypen bereitgestellt werden, wodurch ein besseres Transistorleistungsverhalten und ein höherer Grad an Flexibilität bei der Einstellung der elektronischen Eigenschaften der Transistoren erreicht werden.

公开(公告)号：DE102010002410A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010002410

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  BEYER SVEN ,  GRIEBENOW UWE ,  SCHEIPER THILO

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/302 ,  H01L29/04

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird die anfängliche Verformungskomponente einer global verformten Halbleiterschicht während der Herstellung von flachen Grabenisolationen im Wesentlichen beibehalten, indem ein steifes Maskenmaterial verwendet wird, das effizient eine Deformation der Halbleiterinseln beim Strukturieren der Isolationsgräben vermeidet oder verringert. Folglich können ausgewählte Gebiete mit hohem inneren Verspannungsanteil bereitgestellt werden, wobei dies unabhängig von dem Aspektverhältnis von Höhe zu Länge ist, das ansonsten das Anwenden global verformter Halbleiterschichten in konventionellen Vorgehensweisen beschränkt. In einigen anschaulichen Ausführungsformen werden aktive Gebiete mit im Wesentlichen nicht verformten Zustand oder mit einer inversen Verformung zusätzlich zu den stark verformten aktiven Gebieten bereitgestellt, wodurch eine effiziente Prozessstrategie zur Herstellung komplementärer Transistoren möglich ist.

公开(公告)号：DE102007057684B4

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：DE102007057684

申请日：2007-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GRILLBERGER MICHAEL ,  LEHR MATTHIAS

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

Abstract: Verfahren mit: Erzeugen eines abgesenkten Oberflächenbereichs (204s) in einer ersten Metallisierungsschicht (210) eines Testbereichs (250, 250a) für ein Halbleiterbauelement (200), die ein dielektrisches Material (202) umfasst, durch Ausbilden einer Öffnung in dem dielektrischen Material (202), Füllen der Öffnung mit einem Metall (204) und Ausführen eines ersten CMP-Prozesses an der ersten Metallisierungsschicht (210); Bilden eines ersten Metallgebiets (251a) und eines zweiten Metallgebiets (251b) in einem Leckstrombereich einer zweiten Metallisierungsschicht (220), die auf der ersten Metallisierungsschicht (210) gebildet ist, indem Öffnungen in dem Leckstrombereich mit einem Metall gefüllt und überschüssiges Metall durch Ausführen eines zweiten CMP-Prozesses entfernt wird, wobei der Leckstrombereich zu dem abgesenkten Oberflächenbereich justiert ist, und wobei das erste Metallgebiet (251a) und das zweite Metallgebiet (251a) mit einem lateralen Abstand (251d) voneinander ausgebildet werden, der kleiner als die laterale Breite der Öffnung ist, die in dem dielektrischen Material (202) der ersten Metallisierungsschicht (210) ausgebildet...

公开(公告)号：DE102010001406A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：DE102010001406

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MARXSEN GERD ,  METZGER JOACHIM ,  BINDER ROBERT ,  LENSKI MARKUS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: In einem Austausch-Gate-Verfahren wird ein Austrittsarbeitsmetall in einer frühen Fertigungsphase, d. h. beim Abscheiden des Gate-Schichtstapels, vorgesehen, wodurch die Anzahl der Abscheideschritte, die in einer späteren Fertigungsphase erforderlich sind, verringert wird. Folglich kann das weitere Austrittsarbeitsmetall und das Elektrodenmetall in die Gate-Gräben auf der Grundlage besserer Prozessbedingungen im Vergleich zu konventionellen Austausch-Gate-Verfahren eingefüllt werden.

公开(公告)号：DE102009055439A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102009055439

申请日：2009-12-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： POPPE JENS ,  AUBEL OLIVER ,  HENNESTHAL CHRISTIAN ,  PAGEL HOLGER ,  KURZ ANDREAS

IPC: H01L23/525

Abstract: Metallsicherung in Halbleiterbauelementen werden auf der Grundlage zusätzlicher Mechanismen hergestellt, um eine verstärkte Elektromigration in dem Sicherungskörper zu erreichen. Dazu wird die kompressive Verspannung, die durch die strominduzierte Metalldiffusion hervorgerufen wird, im Sicherungskörper beschränkt oder verringert, beispielsweise indem ein Verspannungspuffergebiet und/oder ein spezielles Metallagglomerationsgebiet bereitgestellt werden. Das Konzept kann auf das Metallisierungssystem angewendet werden, und kann auch ebenfalls in der Bauteilebene zur Anwendung kommen, wenn die Metallsicherung in Verbindung mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; hergestellt wird.