公开(公告)号：FR3072520A1

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：FR1759683

申请日：2017-10-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BENABDELAZIZ GHAFOUR ,  REYMOND CEDRIC

IPC: H02M1/08 ,  H02M7/162 ,  H03K17/72

Abstract: L'invention concerne un circuit de commande d'un thyristor (TH) ou triac comportant : un premier élément capacitif (C1), en série avec une premiÚre diode (D1), entre une premiÚre borne (21) et une deuxiÚme borne (23) destinée à être reliée à une gâchette du thyristor ou triac ; un deuxiÚme élément capacitif (C2) entre ladite deuxiÚme borne et une troisiÚme borne (25), destinée à être connectée à une borne de conduction du thyristor ou triac cÎté gâchette ; et une deuxiÚme diode (D2) entre ladite troisiÚme borne et le noeud de connexion du premier élément capacitif et de la premiÚre diode.

公开(公告)号：FR3062962B1

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：FR1751264

申请日：2017-02-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  PIERRE FABIEN

IPC: H01M10/058

Abstract: Procédé de fabrication d'une batterie au lithium (1) comprenant le dépôt par plasma de LiPON (13) sur une structure comprenant une zone de prise de contact d'anode (21) et une zone de prise de contact de cathode (11), comprenant les étapes suivantes : avant le dépôt de LiPON (13), prévoir des portions conductrices court-circuitant la zone de prise de contact d'anode et la zone de prise de contact de cathode ; et après le dépôt de LiPON (13), couper lesdites portions.

公开(公告)号：FR3066325A1

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：FR1754148

申请日：2017-05-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： GUY-BOUYSSOU DELPHINE

IPC: H01M10/052 ,  H01M10/0585

Abstract: L'invention concerne une batterie lithium-ion ou lithium-métal (26) comprenant un empilement (14) comportant une couche de cathode en LiCoO2 (15), une couche d'anode (19) et une couche d'électrolyte en LiPON (17) intercalée entre les couches de cathode et d'anode ; une couche d'encapsulation (21) recouvrant l'empilement ; et une couche d'interface (27) en un matériau apte à capturer de l'oxygène disposée sous la couche d'encapsulation.

公开(公告)号：FR3062539A1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：FR1750773

申请日：2017-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BIMBAUD IGOR ,  COLLEONI ERIC

IPC: H04M1/02

Abstract: L'invention concerne un étui (2) à rabat (24) pour téléphone portable, comportant, dans le rabat : au moins un logement (29) destiné à recevoir une carte (1) à microcircuit ; et au moins une première antenne (34) de communication sans contact, la première antenne étant électriquement connectée à une deuxième antenne (32) placée dans un fond (22) de l'étui.

公开(公告)号：FR3049769B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：FR1652823

申请日：2016-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/74

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité ; un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (31) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (31) étant apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium, de façon à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1).

公开(公告)号：FR3022400A1

公开(公告)日：2015-12-18

申请号：FR1455528

申请日：2014-06-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUYSSOU EMILIEN ,  GUY-BOUYSSOU DELPHINE ,  CANTIN FREDERIC

IPC: H01M10/42 ,  H02H7/18 ,  H02J7/00

Abstract: L'invention concerne un ensemble de batteries comportant : une première batterie fournissant sa capacité dans une première plage de tensions (LL1, HL1) de fourniture d'énergie ; et une deuxième batterie, connectée électriquement en parallèle avec la première et fournissant sa capacité dans une deuxième plage de tensions (LL5, HL5), la limite haute (HL5) de la deuxième plage étant comprise entre les limites haute (HL1) et basse (LL1) de la première plage.

公开(公告)号：FR3021168A1

公开(公告)日：2015-11-20

申请号：FR1454274

申请日：2014-05-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUYSSOU EMILIEN ,  GRILLON NATHANAEL

IPC: H02J7/00

Abstract: L'invention concerne un procédé de gestion de charge d'une batterie, dans lequel une tension de fin de charge de la batterie augmente au fur et à mesure des cycles de charge auxquels celle-ci est soumise.

公开(公告)号：FR3018395A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：FR1451835

申请日：2014-03-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV NANTES

Inventor： DELANNOY PIERRE-EMMANUEL ,  RIOU BENOIT ,  LE BIDEAU JEAN ,  BROUSSE THIERRY ,  LESTRIEZ BERNARD ,  GUYOMARD DOMINIQUE ,  CROSNIER OLIVIER

IPC: H01M10/04 ,  B01J10/02 ,  H01M10/0565

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une microbatterie, comprenant une étape de dépôt, par impression jet d'encre, sur une face d'une première électrode (101), d'une couche d'une solution comportant un mélange d'un liquide ionique, d'un sel de lithium et d'un précurseur de silice, ladite solution étant adaptée, au contact d'une atmosphère contenant de la vapeur d'eau, à se transformer en un gel conducteur ionique (103) comportant une matrice solide à base de silice dans laquelle est confinée le liquide ionique mélangé au sel de lithium.

公开(公告)号：FR3017242A1

公开(公告)日：2015-08-07

申请号：FR1450886

申请日：2014-02-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： YVON ARNAUD ,  ALQUIER DANIEL ,  CORDIER YVON

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: L'invention concerne une diode Schottky (400) comportant : un substrat (401) conducteur ou semiconducteur recouvert d'un empilement comportant, dans l'ordre à partir d'une première face du substrat, une couche tampon (403), une première couche de GaN dopée de type N (405), et une deuxième couche de GaN dopée de type N (407) de niveau de dopage inférieur à celui de la première couche ; un contact Schottky (409) sur une première face opposée au substrat de la deuxième couche de GaN (407) ; et une première métallisation (411) connectant au substrat (401) une première face opposée au substrat de la première couche de GaN (405), ladite métallisation (411) étant située dans une ouverture (410) située dans une zone de l'empilement non revêtue par le contact Schottky (409), cette ouverture (410) s'étendant depuis la première face de la deuxième couche (407) jusqu'au substrat (401).

公开(公告)号：FR3012256A1

公开(公告)日：2015-04-24

申请号：FR1360094

申请日：2013-10-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  GAUTIER GAEL

IPC: H01L21/328 ,  H01L29/70

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comprenant un substrat en silicium d'un premier type de conductivité et du côté d'une face inférieure du substrat, un premier caisson du second type de conductivité bordé à la périphérie du composant par un premier anneau en silicium poreux isolant dont la face supérieure est en contact uniquement avec le substrat du premier type de conductivité, le premier anneau isolant pénétrant dans le substrat sur une profondeur supérieure à l'épaisseur du premier caisson.