公开(公告)号：FR3062962A1

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：FR1751264

申请日：2017-02-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  PIERRE FABIEN

IPC: H01M10/058

Abstract: Procédé de fabrication d'une batterie au lithium (1) comprenant le dépôt par plasma de LiPON (13) sur une structure comprenant une zone de prise de contact d'anode (21) et une zone de prise de contact de cathode (11), comprenant les étapes suivantes : avant le dépôt de LiPON (13), prévoir des portions conductrices court-circuitant la zone de prise de contact d'anode et la zone de prise de contact de cathode ; et après le dépôt de LiPON (13), couper lesdites portions.

公开(公告)号：FR3062962B1

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：FR1751264

申请日：2017-02-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  PIERRE FABIEN

IPC: H01M10/058

Abstract: Procédé de fabrication d'une batterie au lithium (1) comprenant le dépôt par plasma de LiPON (13) sur une structure comprenant une zone de prise de contact d'anode (21) et une zone de prise de contact de cathode (11), comprenant les étapes suivantes : avant le dépôt de LiPON (13), prévoir des portions conductrices court-circuitant la zone de prise de contact d'anode et la zone de prise de contact de cathode ; et après le dépôt de LiPON (13), couper lesdites portions.

公开(公告)号：FR3099887A1

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：FR1909184

申请日：2019-08-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ALLANIC FABIEN ,  LADROUE JULIEN

IPC: B05D3/06 ,  B23K26/359 ,  H01L21/64

Abstract: Formation d'un polymère La présente description concerne un procédé de formation d'un polymère (130) sur une surface (116) à partir d'un fluide, comprenant une étape d'augmentation de la mouillabilité d'au moins une partie de ladite surface vis-à-vis dudit fluide par application d'une ou plusieurs impulsions laser sur ladite au moins une partie. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3062520B1

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：FR1750771

申请日：2017-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/04 ,  H01M50/528

Abstract: L'invention concerne une structure de batterie ayant des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) en face avant et en face arrière comprenant une batterie ayant des contacts d'anode (52) et de cathode (54) en face avant uniquement, cette batterie étant enveloppée dans un film (60) comprenant une couche conductrice (64) et une couche isolante (66), la couche conductrice (64) reposant sur les contacts d'anode (52) et de cathode (54) de la batterie et étant interrompue entre ces contacts d'anode (52) et de cathode (54), et la couche isolante (66) comprenant des ouvertures (74A, 74B, 76A, 76B) sur les faces avant et arrière de la batterie pour former des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) de la structure de batterie.

公开(公告)号：FR3062520A1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：FR1750771

申请日：2017-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/04 ,  H01M50/528

Abstract: L'invention concerne une structure de batterie ayant des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) en face avant et en face arrière comprenant une batterie ayant des contacts d'anode (52) et de cathode (54) en face avant uniquement, cette batterie étant enveloppée dans un film (60) comprenant une couche conductrice (64) et une couche isolante (66), la couche conductrice (64) reposant sur les contacts d'anode (52) et de cathode (54) de la batterie et étant interrompue entre ces contacts d'anode (52) et de cathode (54), et la couche isolante (66) comprenant des ouvertures (74A, 74B, 76A, 76B) sur les faces avant et arrière de la batterie pour former des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) de la structure de batterie.

公开(公告)号：FR3009129A1

公开(公告)日：2015-01-30

申请号：FR1357407

申请日：2013-07-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED ,  LADROUE JULIEN ,  GOSSET NICOLAS

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/872

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique dans et sur une couche (3) de nitrure de gallium, comportant une étape d'amincissement d'une portion de ladite couche (3) par usinage ionique.

公开(公告)号：FR2959595B1

公开(公告)日：2012-05-25

申请号：FR1053361

申请日：2010-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  MERITAN ALINE ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

公开(公告)号：FR2959595A1

公开(公告)日：2011-11-04

申请号：FR1053361

申请日：2010-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  MERITAN ALINE ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une couche (3) de nitrure de gallium à structure cristalline hexagonale orientée selon un plan cristallin (0001), cette couche comprenant des dislocations (21) et des nanotubes (23), ce procédé comprenant les étapes suivantes : amincir la couche par gravure sèche, dans des conditions aptes à favoriser l'apparition de défauts de planéité en forme de protubérances cylindriques (33) liées à la présence des dislocations et des nanotubes, et à éviter l'apparition de défauts de planéité en forme de creux liés à la présence des dislocations (21) ; et éliminer les protubérances (33) par gravure humide.