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公开(公告)号：KR101882727B1
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：KR1020130094355
申请日：2013-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H04L12/807
Abstract: 컨텐츠중심네트워크(Content Centric Network)를구성하는단말장치및 이의통신방법이제공된다. 본단말장치의통신방법은외부의단말장치로부터특정컨텐츠에대한인터레스트패킷(interest packet)을수신하고, 특정컨텐츠에대한인터레스트패킷의요청빈도수및 통신상태중 적어도하나를바탕으로인터레스트패킷의사이즈를조절하며, 조절된윈도우사이즈의인터레스트패킷을주변단말장치에전송한다.
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公开(公告)号：KR101824227B1
公开(公告)日：2018-02-05
申请号：KR1020090072906
申请日：2009-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C7/1012 , G11C11/5642 , G11C2211/5647
Abstract: 본발명의실시예에따른비휘발성메모리장치의프로그램방법은, 데이터의상태쌍의개수를카운트하고, 상기상태쌍은, 제 1 워드라인에연결된메모리셀에프로그램될데이터의제 1 상태와상기제 1 워드라인에인접한제 2 워드라인에연결된메모리셀에프로그램될데이터의제 2 상태이고, 상기제 1 상태가프로그램될메모리셀과상기제 2 상태가프로그램될메모리셀은서로동일한비트라인에연결되는단계, 상기카운트값을줄이기위하여상기데이터를변조하는단계, 및상기변조된데이터를프로그램하는단계를포함한다. 본발명에따른비휘발성메모리장치의프로그램방법은특정상태로프로그램되는데이터를회피할수 있다.
Abstract translation: 一种对非易失性存储器件进行编程的方法包括：对输入数据单元中的多个状态对进行计数，对输入数据单元进行调制以减少其中所包含的状态对的数量，并且将经调制的输入数据单元编程到非易失性存储器 设备。 每个状态对包括具有第一状态并且被指定用于在连接到第一字线的存储单元中编程的数据以及被指定用于在连接到与第一字线相邻的第二字线的存储单元中编程的第二状态的数据 。 连接到第一字线的存储单元与连接到第二字线的存储单元相邻。
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公开(公告)号：KR101814661B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020110126262
申请日：2011-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03F1/34 , G11C27/026 , H03F1/086 , H03F3/45188 , H03F2200/153 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514
Abstract: 연산증폭기회로연산증폭기회로, 이를포함하는이미지센서, 및연산증폭기의주파수응답보상방법이개시된다. 본발명의실시예에따른연산증폭기회로는, 입력신호를차동증폭하는제1 연산증폭기, 제1 연산증폭기의출력단에연결되는부하커패시터와가변보상커패시터, 제1 연산증폭기의출력에피드백이득을합하여제1 연산증폭기의입력으로피드백하는피드백블록을포함하며, 가변보상커패시터의가변커패시턴스는피드백이득에기초하여가변한다.이에의해, 피드백이득의크기에따라서커패시턴스크기를조절하여대역폭을넓히고, 안정성을구현하여고주파수의신호를출력할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170106151A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160092482
申请日：2016-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 피치가좁고, 많은수의신호버스를포함하는반도체패키지의동작성능등을효과적으로검사함과동시에, 반도체패키지의생산성을향상시킬수 있는반도체패키지테스트방법을제공하는것이다. 상기반도체패키지테스트방법은제1 반도체칩을포함하는제1 반도체패키지를제공하되, 상기제1 반도체칩은제1 피치로배열된제1 외부단자그룹과, 상기제1 피치보다큰 제2 피치로배열된제2 외부단자그룹이일면에배치되고, 상기제1 외부단자그룹과제1 컨택터를접촉하여, 상기제1 반도체패키지에대한제1 테스트를수행하고, 상기제2 외부단자그룹과제2 컨택터를접촉하여, 상기제1 반도체패키지에대한제2 테스트를수행하는것을포함한다.
Abstract translation: 间距窄，以提供大量的信号必须有效地检查这样的半导体封装的操作性能包括总线，并在同一时间，可以提高半导体封装件的生产率，半导体封装用的测试方法。 的半导体封装测试方法的第一，但提供了一种半导体封装件，所述第一半导体芯片比第一外部端子组，其中所述第一间距布置在包括第一半导体芯片的第一间距大的第二间距， 布置在第二外部端子组被布置在一侧上，所述第一外部端子组分配第一接触器以接触，所述第一对所述半导体封装的第一次测试，并且所述第二外部端子组任务2个触点 并且对第一半导体封装执行第二测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101756111B1
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020110035353
申请日：2011-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418 , G11C29/44 , G11C29/56008 , G11C2029/1208 , G11C2029/4402
Abstract: 리드데이터의신뢰성이향상된메모리컨트롤러의구동방법, 메모리컨트롤러, 메모리장치및 메모리시스템이제공된다. 상기메모리컨트롤러의구동방법은제1 리드전압을이용하여, 비휘발성메모리장치로부터제1 데이터를리드하며, 상기제1 데이터는정정할수 없는(uncorrectable) 에러비트를포함한데이터이고, 상기제1 리드전압과상이한제2 리드전압을이용하여, 상기비휘발성메모리장치로부터제2 데이터를리드하고, 상기제2 데이터는에러비트정정이가능한데이터이며, 상기제1 리드전압과상기제2 리드전압의비교결과에따라, 상기비휘발성메모리를재프로그램하는단계를포함한다. 구체적으로, 제 2 리드전압은상기제 1 리드전압보다작으며, 제 1 리드전압과제 2 리드전압의차이가기준값(reference value)보다큰경우재프로그램을한다.
Abstract translation: 提供了一种驱动存储器控制器，存储器控制器，存储器件和具有改进的读取数据的可靠性的存储器系统的方法。 驱动存储器控制器的方法使用第一读取电压从非易失性存储器设备读取数据，其中第一数据是包括不可校正的错误位的数据，第一读取电压 使用第二读取电压和第二数据的易失性存储器件是错误位可校正数据，并且第一读取电压和第二读取电压的比较结果 并重新编程非易失性存储器。 具体而言，第二读取电压小于第一读取电压，并且当第一读取电压与第二读取电压之间的差大于参考值时重新编程。
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公开(公告)号：KR1020170068305A
公开(公告)日：2017-06-19
申请号：KR1020150175344
申请日：2015-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 아스트라한트세프안드리 , 슈르올렉산드르 , 코로보프미하일로 , 올리니크안드리 , 김재홍
Abstract: 이미지를표시하는디스플레이부, 사용자의생체정보를감지하는센서부및 상기이미지를분석하여, 이미지정보를획득하고, 획득한상기이미지정보와감지된상기생체정보에기초하여사용자정보를제공하는제어부를포함하는전자장치가개시된다.
Abstract translation: 分析了显示单元显示的图像，传感器单元和所述图像用于检测用户，用来提供用户信息，以获取图像信息的控制单元，基于所获得的hansanggi图像信息的生物信息和所感测的生物测量信息 公开了一种电子设备。
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公开(公告)号：KR101736337B1
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020110017565
申请日：2011-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/00 , G06F11/1012 , G06F11/108 , G06F12/00 , G06F12/14 , G11C11/00 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C16/3418
Abstract: 비휘발성메모리장치가개시된다. 상기비휘발성메모리장치는프로그램데이터를저장하는메모리셀 어레이와, 하드디시젼리드전압및 적어도하나이상의소프트디시젼리드전압을형성하는전압발생회로와, 랜덤시퀀스를발생시키는랜덤시퀀스발생회로와, 비트라인을통해상기메모리셀 어레이와연결되고, 상기랜덤시퀀스, 상기하드디시젼리드전압인가로인해리드된하드디시젼데이터와, 상기소프트디시젼리드전압인가로인해리드된소프트디시젼데이터를저장하는적어도하나의래치를포함하는페이지버퍼와, 상기프로그램데이터및 상기랜덤시퀀스를상기페이지버퍼에선택적으로전달하는멀티플렉서회로와, 상기랜덤시퀀스발생회로, 상기페이지버퍼, 및상기멀티플렉서회로를제어하는컨트롤로직을포함하며, 상기컨트롤로직의제어에따라, 상기페이지버퍼는상기랜덤시퀀스를사용하여상기하드디시젼데이터를디랜덤마이징하고상기소프트디시젼데이터는디랜덤마이징되지않는다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性存储器件。 非易失性存储器件包括：存储单元阵列，其存储的节目数据时，硬判决读取电压和至少一个软判决作为用于形成读出电压的电压产生电路，以及用于产生随机序列的随机序列发生器，位 并且由于应用软判决引线电压而读取的软判决数据和由于判定引线电压的硬应用而读取的硬判决数据被存储在存储器单元阵列中。 所述页缓冲器，和用于控制该多路复用器电路的控制逻辑，至少页缓冲器包括一个锁存器，多路复用器电路选择性地转移到页缓冲器，该程序数据和该随机序列，以及电路的随机序列产生， 其中页面缓冲器在控制逻辑的控制下， 去指示数据的去随机化，并且软变性数据不是去随机化的。
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公开(公告)号：KR101736792B1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020100092583
申请日：2010-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/10 , G11C16/3404
Abstract: 본발명의실시예에따른메모리시스템은데이터를저장하기위한플래시메모리; 및상기플래시메모리를제어하기위한메모리컨트롤러를포함하되, 상기플래시메모리는자체적으로인터리빙동작을수행한다. 본발명의실시예에따른메모리시스템에의하면, 비트에러율불균형을완화할수 있고, ECC 회로의오버헤드를줄일수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的存储系统包括用于存储数据的闪存; 并且存储器控制器用于控制闪存，闪存自己执行交织操作。 根据本发明实施例的存储器系统，可以减轻误码率不平衡，并且可以减少ECC电路的开销。
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公开(公告)号：KR101710663B1
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020100018660
申请日：2010-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C16/26
Abstract: 본발명은메모리시스템및 그것의동작방법에관한것이다. 본발명에의하면,불휘발성메모리장치를포함하는메모리시스템이동작하는방법은읽기전압을달리하여관찰메모리셀을적어도 1번읽어제 1 읽기데이터심볼을형성하는단계, 읽기전압을달리하여상기관찰메모리셀에인접한간섭메모리셀들을적어도 1번읽어제 2 읽기데이터심볼들을형성하는단계, 및상기제 1 읽기데이터심볼과상기제 2 읽기데이터심볼들에기반하여, 상기관찰메모리셀의논리값을판별하는단계로구성된다.
Abstract translation: 存储系统及其操作方法技术领域本发明涉及存储系统及其操作方法。 根据本发明，一种操作包括非易失性存储器件的存储器系统的方法包括以下步骤：通过用不同的读取电压至少读取一次观察到的存储器单元来形成第一读取数据符号; 读取与所述单元相邻的干扰存储器单元至少一次以形成第二读取数据符号，并且基于所述第一读取数据符号和所述第二读取数据符号来确定所观察的存储器单元的逻辑值 它包括如下步骤：
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