公开(公告)号：KR1020090026569A

公开(公告)日：2009-03-13

申请号：KR1020070091644

申请日：2007-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송훈 ,  김정우 ,  이홍석 ,  최재영

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/167 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/37 ,  G09G2320/028

Abstract: A display device is provided to unroll a display window during the use and roll the display window during non use, thereby simply carrying the display device. A body frame(110) comprises a common electrode(141) and a control electrode(142). The control electrode corresponds to the common electrode. A moving frame(160) is separated from the body frame. A display window(170) is supported in the body frame and the moving frame. An exposed space of the display window increases according as the moving frame is getting farther from the body frame. The display window displays an image when passing through a gap between the control electrode and common electrode. A pair of winding rollers(151,152) are prepared in the inside of the body frame. A support roller(161) is prepared in the moving frame.

Abstract translation: 提供显示装置以在使用期间展开显示窗口，并且在不使用期间滚动显示窗口，从而简单地携带显示装置。 主体框架（110）包括公共电极（141）和控制电极（142）。 控制电极对应于公共电极。 移动框架（160）与主体框架分离。 显示窗口（170）被支撑在主体框架和移动框架中。 随着移动框架越过身体框架，显示窗口的暴露空间就会增加。 当通过控制电极和公共电极之间的间隙时，显示窗口显示图像。 一对卷绕辊（151,152）准备在车身框架的内部。 在移动框架中准备支撑辊（161）。

公开(公告)号：KR100885910B1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：KR1020030027543

申请日：2003-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 채수두 ,  김정우 ,  이정현 ,  김문경 ,  황현상

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833

Abstract: 소정 거리만큼 이격된 소오스 및 드레인 영역이 형성된 반도체 기판; 및 상기 소오스 및 드레인 영역사이의 상기 반도체 기판 상에 양단이 상기 소오스 및 드레인 영역과 접촉되도록 형성된 게이트 적층물을 구비하는 비휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 게이트 적층물은 터널링막, 질화막(Si
3 N
4 )보다 유전율이 크고 제1 불순물이 도핑된 제1 트랩 물질막, 상기 질화막보다 유전율이 큰 제1 절연막 및 게이트 전극이 순차적으로 적층되어 구성되고, 상기 제1 불순물은 Dy를 포함하는 란탄계열원소인 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치를 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 도핑 농도에 따라 트랩밀도를 효과적으로 조절할 수 있고, 그에 따라 종래보다 낮은 전압으로 데이터를 기록 및 소거할 수 있으며, 종래보다 빠른 동작 속도를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100881201B1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：KR1020030001311

申请日：2003-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류원일 ,  이조원 ,  윤세욱 ,  김정우

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 소노스 메모리 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 적층된 절연막, 상기 절연막의 소정 영역 상에 형성되어 소오스, 드레인 및 채널영역으로 구획된 활성층 및 상기 활성층의 채널영역 양측면에 각각 적층된 제1 및 제2 사이드 게이트 적층물을 구비하고, 상기 제1 및 제2 사이드 게이트 적층물은 각각 독립된 방식으로 제어될 수 있게 구비되고, 상기 활성층은 탄소나노튜브 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 소노스 메모리 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 메모리 소자 당 적어도 두 개의 정보를 저장할 수 있기 때문에, 메모리 노드가 채널영역 측면에 구비된 형태에 따라 종래보다 집적도를 1.5배 내지 2배정도 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090001524A

公开(公告)日：2009-01-09

申请号：KR1020070039368

申请日：2007-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장기태 ,  김정우

IPC: G06Q50/32

CPC classification number: G06Q10/107 ,  H04L51/08 ,  H04L51/28

Abstract: A terminal for distinguishing e-mail recipient by a specific delimiter capable of distinguishing the e-mail recipient and a method for the same are provided to have an individual transmission condition by improving recipient input method of SMTP protocol. A terminal for distinguishing e-mail recipient by a specific delimiter capable of distinguishing the e-mail recipient comprises a step of a step for setting up an individual e-mail transmission condition according to each recipient by the specific delimiter capable of distinguishing the e-mail recipient(S502); a step of transmitting recipient command with parameter indicating a set up transmission condition to the recipient, if the specific delimiter is set up(S503); a step of transmitting recipient command to the recipient without parameter if the specific delimiter is not set up(S506); and a step of transmitting e-mail according to the transmission condition which is set up to each recipient when receiving response about the recipient command(S507).

Abstract translation: 通过改进SMTP协议的接收者输入方法，提供了一种用于区分电子邮件接收者的能够区分电子邮件接收者的特定分隔符的终端及其方法，以具有单独的传输条件。 用于区分能够区分电子邮件接收者的特定分隔符的电子邮件接收者的终端包括通过能够区分电子邮件接收者的特定定界符根据每个接收者建立单独的电子邮件传送条件的步骤的步骤， 邮件收件人（S502）; 如果设置了特定的分隔符，则向接收者发送具有指示建立传输条件的参数的接收者命令的步骤（S503）; 如果没有设置特定分隔符，则将收件人命令发送给接收者而不用参数的步骤（S506）; 以及当接收到关于接收者命令的响应时，根据在每个接收者设置的发送条件发送电子邮件的步骤（S507）。

公开(公告)号：KR1020080107834A

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：KR1020070056135

申请日：2007-06-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종진 ,  김정우 ,  이영구

IPC: H05B33/02

CPC classification number: H05B33/02 ,  H01L33/02 ,  H01L51/0096 ,  H01L2924/12044 ,  H05B33/12

Abstract: A paper board manufacture method and an indicating device using the same are provided to use the indicating device as a indicating device and electronic device including a TV, notebook computer and mobile and replace a plastic substrate by a paper substrate. A paper substrate comprises a paper(1) and a protective layer in which an organic film and inorganic film are laminated and mixed in one side or both sides of the paper surface . The protective layer forms a dispersion interface between the organic film and the laminated inorganic film on the paper surface. The paper comprises one or more natural fibers selected from the group consisting of hemp, ramie, wood pulp, hemp cloth and wool or one or more chemical fabric selected from the group consisting of the vinylon, nylon, acryl, layon, polypropylene and asbestos fiber.

Abstract translation: 提供一种纸板制造方法和使用该纸板制造方法的指示装置，以使用指示装置作为指示装置和包括TV，笔记本电脑和移动装置的电子装置，并用纸基板代替塑料基板。 纸基材包括纸（1）和保护层，其中有机膜和无机膜在纸表面的一侧或两侧层压并混合。 保护层在纸表面上形成有机膜和层压无机膜之间的分散界面。 该纸包含一种或多种选自大麻，苎麻，木浆，大麻布和羊毛的天然纤维，或选自维尼纶，尼龙，丙烯酸，布洛芬，聚丙烯和石棉纤维的一种或多种化学织物 。

公开(公告)号：KR100866948B1

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：KR1020030007758

申请日：2003-02-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 채수두 ,  김정우 ,  김주형

IPC: H01L29/775

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/7888 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/938

Abstract: 메모리 기능을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 단전자 트랜지스터는 순차적으로 적층된 제1 기판 및 절연막과, 상기 절연막 상에 적층되어 소오스 영역, 채널영역 및 드레인 영역으로 구분된 제2 기판과, 상기 제2 기판 상에 형성된 터널링 막과, 상기 채널영역에 적어도 하나의 양자점이 형성될 수 있는 간격으로 상기 터널링 막 상에 형성된 적어도 두 개의 트랩층들 및 상기 적어도 두 개의 트랩층들 사이의 상기 터널링 막과 접촉된 게이트 전극을 구비한다. 이러한 단전자 트랜지스터를 이용하면, 구성이 단순하고 단일 게이트 전극을 구비하기 때문에, 제조 공정 및 동작회로를 단순화할 수 있고, 전력 소모도 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR100855992B1

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：KR1020070032517

申请日：2007-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 채수두 ,  김정우 ,  박찬진 ,  한정희 ,  박병국 ,  이길성

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L21/28132 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923 ,  H01L29/7926 ,  H01L27/2463

Abstract: A non-volatile memory transistor including an active pillar having a sloped sidewall, a non-volatile memory array having the same, and a method for fabricating the same are provided to reduce power consumption by improving program efficiency. An active pillar(P) is protruded from a semiconductor substrate(10). The active pillar includes a sloped sidewall formed continuously from a surface of the semiconductor substrate. A gate electrode is formed to surround the sloped sidewall of the active pillar. An electric charge storage layer(23) is inserted between the active pillar and the gate electrode. A drain region(10d) is formed in an inside of an upper region of the active pillar. A source region(10s) is formed in the inside of the semiconductor substrate adjacent to a lower region of the active pillar.

Abstract translation: 提供了包括具有倾斜侧壁的有源支柱，具有其的非易失性存储器阵列及其制造方法的非易失性存储器晶体管，以通过提高程序效率来降低功耗。 活性柱（P）从半导体衬底（10）突出。 活性柱包括从半导体衬底的表面连续形成的倾斜侧壁。 栅电极形成为围绕有源支柱的倾斜侧壁。 电荷存储层（23）插入有源柱和栅电极之间。 漏极区域（10d）形成在有源支柱的上部区域的内部。 源极区域（10s）形成在与活性柱的下部区域相邻的半导体衬底的内部。

公开(公告)号：KR100855991B1

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：KR1020070030048

申请日：2007-03-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아

Inventor： 한정희 ,  김지영 ,  김정우 ,  왕강롱 ,  마시광

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/15311 ,  H01L21/76897 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to increase integration degree of a substrate by reducing a diameter or a width of a semiconductor pillar. A first doping layer(115) of a first conductive type is formed on a substrate(105). A semiconductor pillar(120) of a second conductive type is formed on the first doping layer. The second conductive type is opposite to the first conductive type. A control gate electrode(150a) is formed to surround a sidewall of the semiconductor pillar. An electric charge storage layer(140a) is inserted between the semiconductor pillar and the control gate electrode. A second doping layer(130) of the first conductive type is arranged on the second semiconductor pillar in order to be electrically connected to the semiconductor pillar.

Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以通过减小半导体柱的直径或宽度来增加衬底的集成度。 在衬底（105）上形成第一导电类型的第一掺杂层（115）。 在第一掺杂层上形成第二导电类型的半导体柱（120）。 第二导电类型与第一导电类型相反。 控制栅电极（150a）形成为围绕半导体柱的侧壁。 电荷存储层（140a）插入在半导体柱和控制栅电极之间。 第一导电类型的第二掺杂层（130）被布置在第二半导体柱上以与半导体柱电连接。

公开(公告)号：KR1020080072216A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：KR1020070010662

申请日：2007-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호현 ,  김재홍 ,  김정우 ,  김철환 ,  전상준 ,  최창익

IPC: H04N5/761 ,  H04N5/76

CPC classification number: H04N5/91 ,  H04N21/4335 ,  H04N21/47214 ,  H04N21/475

Abstract: A method for managing a title of a digital broadcasting recorder is provided to copy streams in which only highlighted parts of the original title are summarized in other storages for generating additional highlight titles and to delete the original titles while leaving the highlighted titles in oldest orders for providing a user with the summarized titles and carrying out the reservation recording normally. A method for managing a title of a digital broadcasting recorder comprises: judging whether a key signal corresponding to the reservation setting is inputted(S100); setting program broadcasting channels, program broadcasting dates and reservation recording time(S102); when the recording is started(S104), judging whether storage space of a storage medium is sufficient(S106); receiving the broadcasting signal in the storage medium and generating an original title(S108); displaying where a highlighted part of the original title is stored in any of physical addresses of the storage medium(S110); finishing the recording of the broadcasting program(S112); copying streams in which only highlighted parts of the original title are summarized in other storages to generate additional highlight titles(S114); starting the reservation recording(S116); and deleting the original titles except for the highlight titles in oldest orders(S118).

Abstract translation: 提供一种用于管理数字广播记录器的标题的方法，用于复制其中只有原始标题的突出部分被总结在其他存储器中以产生其他高亮标题的流，并且删除原始标题，同时以最早的顺序留下突出显示的标题 向用户提供总结标题，并正常进行预约录制。 一种用于管理数字广播录像机的标题的方法，包括：判断是否输入了与预约设置相对应的按键信号（S100）; 设置节目广播频道，节目播放日期和预约录制时间（S102）; 当开始记录（S104）时，判断存储介质的存储空间是否足够（S106）; 在所述存储介质中接收所述广播信号并产生原始标题（S108）; 显示原始标题的突出显示部分存储在存储介质的任何物理地址中的位置（S110）; 完成广播节目的录制（S112）; 复制流，其中只有原始标题的突出部分被汇总在其他存储器中以产生其他高亮标题（S114）; 开始预约录音（S116）; 并删除除了最早命令中的高亮标题之外的原始标题（S118）。

公开(公告)号：KR1020080062768A

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：KR1020060138863

申请日：2006-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박완준 ,  이조원 ,  전상훈 ,  김정우

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234

Abstract: A non-volatile memory device using a metal-insulator transition material is provided to lower the threshold voltage by forming an MIT(Metal-Insulator Transition) material layer at the upper or lower part of a charge storage layer. A non-volatile memory device using a metal-insulator transition material comprises a gate laminate(120) having a tunnel layer, a charge storage layer(140), a blocking layer(150), and a gate electrode(160) on a substrate(110). At least one of the tunnel layer and the blocking layer is made of an MIT (Metal-Insulator Transition) material. A tunnel oxide layer(130) is also formed between the tunnel layer and the substrate. The MIT material is made of at least one material selected from a group formed of WO3, TiAlO, NiO, V2O3, VO2, TiO2, BaTiO3, ZrO2, Nb2O5, SrTiO3, TiAlO, and ZrAlO. The MIT material has the thickness of 5mm to 100mm.

Abstract translation: 提供了使用金属 - 绝缘体转移材料的非易失性存储器件，以通过在电荷存储层的上部或下部形成MIT（金属 - 绝缘体转移）材料层来降低阈值电压。 使用金属 - 绝缘体转移材料的非易失性存储器件包括在衬底上具有隧道层的栅极叠层（120），电荷存储层（140），阻挡层（150）和栅电极（160） （110）。 隧道层和阻挡层中的至少一个由MIT（金属 - 绝缘体转移）材料制成。 在隧道层和衬底之间也形成隧道氧化物层（130）。 MIT材料由选自由WO 3，TiAlO，NiO，V 2 O 3，VO 2，TiO 2，BaTiO 3，ZrO 2，Nb 2 O 5，SrTiO 3，TiAlO和ZrAlO形成的组中的至少一种材料制成。 MIT材料的厚度为5mm至100mm。