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公开(公告)号：KR1020150104924A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140026914
申请日：2014-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/57 , G06F21/64 , G06F21/79 , G06F2221/034 , G06F2221/2139
Abstract: 전자 시스템은 메모리 장치, CPU 및 무결성 검증 장치를 포함한다. 메모리 장치는 복수의 검증 데이터들을 저장한다. CPU는 복수의 검증 데이터들 각각에 상응하는 시작 주소, 길이 정보 및 기준 해시값을 포함하는 복수의 설정 레코드들을 제공한다. 무결성 검증 장치는 CPU로부터 수신되는 복수의 설정 레코드들을 저장하고, 복수의 설정 레코드들 각각을 순환하여 선택하고, 선택된 설정 레코드에 포함되는 시작 주소 및 길이 정보에 기초하여 메모리 장치에 직접 접근하여 메모리 장치로부터 선택된 설정 레코드에 상응하는 검증 데이터를 독출하고, 검증 데이터에 대해 해시 연산을 수행하여 검증 해시값을 생성하고, 검증 해시값과 선택된 설정 레코드에 포함되는 기준 해시값에 기초하여 인터럽트 신호를 생성한다.
Abstract translation: 电子系统包括：存储装置，CPU和完整性验证装置。 存储装置存储多个验证数据。 CPU提供多个设置记录，包括与每个验证数据对应的起始地址，长度信息和参考散列值。 完整性验证装置存储从CPU接收的建立记录，循环地选择每个建立记录，基于开始直接访问存储装置，从存储装置读取对应于所选建立记录的验证数据 包括在所选择的设置记录中的地址和长度信息通过对验证数据执行哈希计算来产生验证哈希值，并且基于包括在验证散列值和所选择的设置中的参考哈希值来生成中断信号 记录。
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公开(公告)号：KR101547326B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020080122388
申请日：2008-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 산화물반도체로 형성된 채널층 및 3차원 구조의 게이트를 포함할 수 있다. 복수의 상기 트랜지스터가 기판에 수직한 방향으로 적층될 수 있다. 상기 복수의 트랜지스터 중 적어도 일부는 서로 연결될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101496151B1
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：KR1020080060228
申请日：2008-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/7869 , H01L33/18 , H01L33/28
Abstract: 나노 막대 구조의 산화물 다이오드, 특히 산화아연(ZnO)으로 이루어진 나노 막대 구조의 산화물 다이오드를 이용한 디스플레이 장치를 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따른 디스플레이 장치는, 기판; 상기 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터층; 및 상기 박막 트랜지스터층 위에 배치된 발광층;을 포함하며, 상기 발광층은, 상기 박막 트랜지스터층 위에 배치된 플러그 금속층; 상기 플러그 금속층 위에 수직으로 형성된 다수의 나노 막대 다이오드; 및 상기 나노 막대 다이오드 위에 형성된 투명 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101496148B1
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：KR1020080096027
申请日：2008-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/66969 , H01L29/78621 , H01L29/78648 , H01L29/78696
Abstract: 박막트랜지스터를 포함하는 반도체소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체소자는 자기 정렬(self-align) 탑(top) 게이트 구조를 갖는 산화물 박막트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 산화물 박막트랜지스터는, 제1소오스영역, 제1드레인영역 및 그들 사이의 제1채널영역을 갖는 제1산화물반도체층, 및 상기 제1채널영역 상에 순차 적층된 제1게이트절연층과 제1게이트전극을 포함할 수 있다. 상기 제1산화물반도체층 아래에 바텀게이트전극이 더 구비될 수 있고, 상기 제1산화물반도체층은 다층 구조를 가질 수 있다.
Abstract translation: 公开了包括薄膜晶体管的半导体器件及其制造方法。 所公开的半导体器件可以包括具有自对准顶栅结构的氧化物薄膜晶体管。 所述氧化物薄膜晶体管包括：第一氧化物半导体层，其具有第一源极区，第一漏极区和位于其间的第一沟道区;以及第一栅极绝缘层，顺序地堆叠在所述第一沟道区上， 栅电极。 底栅电极可以进一步形成在第一氧化物半导体层之下，并且第一氧化物半导体层可以具有多层结构。
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公开(公告)号：KR101490112B1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020080029327
申请日：2008-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/84 , H01L27/0883
Abstract: 인버터 및 그를 포함하는 논리회로에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 인버터는 제1 산화물층을 채널층으로 갖는 공핍형(depletion mode) 부하(load) 트랜지스터, 및 상기 부하 트랜지스터와 연결된 것으로, 제2 산화물층을 채널층으로 갖는 증가형(enhancement mode) 구동(driving) 트랜지스터를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140134183A
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020130054006
申请日：2013-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01T1/208
Abstract: 픽셀에 포함된 복수의 포토 다이오드(photodiode)들에 공급되는 바이어스 전압(bias voltage)을 제어하는 보상 회로(compensation circuit)는 상기 포토 다이오드들로부터 발생하는 다크 카운트(dark count)를 모니터링하고, 상기 다크 카운트를 기초로 상기 포토 다이오드들 중에 바이어스 전압의 변경이 필요한 포토 다이오드를 결정하는 제어부(controller); 및 상기 제어부의 제어에 따라, 상기 결정된 포토 다이오드에 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 전압 공급부(bias voltage supplier)를 포함한다.
Abstract translation: 用于控制从包含在像素中的多个光电二极管提供的偏置电压的补偿电路包括：监视从光电二极管产生的暗计数的控制器，以及基于暗计数确定需要在光电二极管之间改变偏置电压的光电二极管; 以及偏置电压供应器，以根据控制部分的控制将偏置电压提供给所确定的光电二极管。
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公开(公告)号：KR1020140096646A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130009452
申请日：2013-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L31/105 , G01T1/2018 , G01T1/208 , H01L27/1446 , H01L27/14658 , H01L31/103 , H01L31/107
Abstract: Provided are a silicon photomultiplier detector cell and a manufacturing method thereof. The silicon photomultiplier detector cell includes a light diode region and a readout circuit region which are formed on the same substrate. The light diode region includes a first semiconductor layer which is doped with a first type impurity and is exposed on the surface of the silicon photomultiplier detector, a second semiconductor layer which is doped with a second type impurity, and a first epi layer which is arranged between the first and the second semiconductor layer to touch the first and the second semiconductor layer, respectively, and is doped with the first type impurity which has a lower concentration compared to the first semiconductor layer.
Abstract translation: 提供一种硅光电倍增管检测器单元及其制造方法。 硅光电倍增管检测器单元包括形成在同一基板上的光二极管区域和读出电路区域。 光二极管区域包括掺杂有第一类型杂质并暴露在硅光电倍增管检测器的表面上的第一半导体层，掺杂有第二类型杂质的第二半导体层和布置在第二半导体层中的第一外延层 在第一和第二半导体层之间分别接触第一和第二半导体层，并掺杂与第一半导体层相比具有较低浓度的第一类型杂质。
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公开(公告)号：KR101410926B1
公开(公告)日：2014-06-24
申请号：KR1020070016778
申请日：2007-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78609
Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 물질로 형성된 채널층, 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소오스 전극 및 드레인 전극, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 아래에서 상기 채널층을 커버하도록 형성된 보호층, 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극, 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020140055791A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120123098
申请日：2012-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 부산대학교 산학협력단
CPC classification number: G01T7/005
Abstract: Disclosed is a method to calibrate a threshold voltage of an X-ray detector, which detects a plurality of X-rays having different energy level spectrums using a plurality of threshold voltages and judges the correspondence between a threshold voltage through which a maximum amount of photons at the same energy level are detected, and energy having maximum intensity on the spectrums of each X-ray to calibrate the threshold voltage based on the judged correspondence.
Abstract translation: 公开了一种用于校准X射线检测器的阈值电压的方法，其使用多个阈值电压来检测具有不同能级光谱的多个X射线，并且判断阈值电压之间的对应关系，通过该阈值电压，最大量的光子 检测相同的能量水平，并且在每个X射线的光谱上具有最大强度的能量，以基于所判断的对应度来校准阈值电压。
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公开(公告)号：KR1020140019599A
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020120085892
申请日：2012-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L9/0816 , H04L9/0894
Abstract: Disclosed are a method for managing a key for the secure storage of data and a device for the same. The device for managing a key according to the present invention includes a main control part to receive commands inputted by a host and to read and execute the commands; an encryption part to encrypt non-encrypted data or a non-encrypted key and to restore encrypted data or an encrypted key; a hash part to hash the key; a non-encrypted key memory for storing the non-encrypted key; and an encrypted key memory for storing the encrypted key.
Abstract translation: 公开了一种用于管理用于数据的安全存储的密钥的方法和用于其的设备。 根据本发明的用于管理密钥的设备包括：主控制部分，用于接收由主机输入的命令并读取和执行命令; 用于加密未加密数据或非加密密钥并恢复加密数据或加密密钥的加密部分; 哈希部分哈希键; 用于存储未加密密钥的非加密密钥存储器; 以及用于存储加密密钥的加密密钥存储器。
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