열전도성 고분자 복합소재 및 이의 제조방법
    121.
    发明授权
    열전도성 고분자 복합소재 및 이의 제조방법 有权
    具有高导热性的聚合物复合材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR101416910B1

    公开(公告)日:2014-07-08

    申请号:KR1020120099520

    申请日:2012-09-07

    Abstract: 본 발명의 열전도성 고분자 복합소재는 제1고분자입자와, 상기 제1고분자입자의 표면을 감싸고 상기 제1고분자입자의 열전도도보다 높은 열전도도를 갖는 열전도성층을 포함하는 단위체를 복수개로 포함하고, 상기 단위체의 열전도성층이 서로 연결되어 열전달 통로를 구성하는 것이다. 상기 열전도성 고분자 복합소재를 이용하면, 종래의 복합소재와 비교하였을 때 가벼운 중량에도 불구하고 우수한 열전도도를 제공할 수 있고, 이를 열간가압성형이라는 간단한 공정을 통하여 제조할 수 있어서, 효율적으로 복합소재 내에 열전달 통로를 형성시킬 수 있는 고분자 복합소재를 제공할 수 있다.

    외부자극에 의하여 자가도핑이 가능한 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체, 이의 제조방법, 이를 이용한 전도성 박막 및 그 제조방법
    123.
    发明公开
    외부자극에 의하여 자가도핑이 가능한 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체, 이의 제조방법, 이를 이용한 전도성 박막 및 그 제조방법 有权
    由外部STIMULI自行掺杂的聚苯乙烯星形共聚物,其制备方法,使用其的导电薄膜和用于制备导电薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020130117237A

    公开(公告)日:2013-10-25

    申请号:KR1020120040216

    申请日:2012-04-18

    Abstract: PURPOSE: A polythiophene star polymer copolymer capable of self doping by external stimulus is provided to steadily increase conductivity as a self-doping material, thereby being used for the material of a conductive thin film. CONSTITUTION: A manufacturing method of a polythiophene star polymer copolymer capable of self doping by external stimulus comprises: a step of forming a polythiophene macro initiator, a functional group capable of the polymerization of living radical is introduced at the terminus of polythiophene or the derivative; a step of forming a polymer macro initiator providing one or more dopants selected from sulfone group, carboxyl group, and phosphate group by external stimulus through living radical polymerization; and a step of polymerizing the polythiophene star polymer copolymer by adding the polymer macro initiator and at least one kind of divinyl monomer to the polythiophene macro initiator.

    Abstract translation: 目的:提供能够通过外部刺激自掺杂的聚噻吩星形聚合物共聚物,以稳定地增加作为自掺杂材料的导电性,由此用于导电薄膜的材料。 构成:能够通过外部刺激自掺杂的聚噻吩星形聚合物共聚物的制造方法包括:形成聚噻吩大分子引发剂的步骤,在聚噻吩或其衍生物的末端引入能够活性自由基聚合的官能团; 通过活性自由基聚合通过外部刺激形成提供一种或多种选自砜基,羧基和磷酸基的掺杂剂的聚合物宏观引发剂的步骤; 以及通过向聚噻吩宏引发剂中加入聚合物大分子引发剂和至少一种二乙烯基单体使聚噻吩星形聚合物共聚物聚合的工序。

    이온교환수지 및 그 제조방법
    124.
    发明授权
    이온교환수지 및 그 제조방법 有权
    离子交换树脂及其制造方法

    公开(公告)号:KR101321035B1

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:KR1020120013210

    申请日:2012-02-09

    Abstract: 본 발명은 특정 촉매 및 반응 조건이 적용된 클로로메틸레이션 반응, 클로로메틸레이션 반응 후의 추가 화학반응을 통해 고밀도의 기능기가 부착됨과 함께 높은 비표면적을 갖는 이온교환수지를 제조할 수 있는 이온교환수지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 이온교환수지의 제조방법은 스타이렌 단량체와 다이비닐벤젠을 수용액 상에서 혼합하여 고분자 비드를 형성하는 단계와, 유기용매 내에 상기 고분자 비드, 알킬할라이드 물질 및 반응촉매를 혼합하여 클로로메틸레이션 반응을 유도하여, 염화메틸기가 구비된 수지를 제조하는 단계 및 상기 염화메틸기가 구비된 수지를 아민 물질과 반응시켜, 상기 염화메틸기가 구비된 수지에 아민기를 부착시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 유기용매는 다이클로로에텐(DCE), 알킬할라� ��드 물질은 클로로메틸메틸에테르(CMME), 반응촉매는 염화금속(FeCl
    3 )인 것을 특징으로 한다.

    CNT-고분자 복합체 및 이의 제조방법
    125.
    发明授权
    CNT-고분자 복합체 및 이의 제조방법 有权
    一种CNT-聚合物的复合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR101297316B1

    公开(公告)日:2013-08-16

    申请号:KR1020110084176

    申请日:2011-08-23

    Abstract: 본 발명은 고분자 기재 중 고르게 분산된 CNT를 포함하는 CNT-고분자 복합체로서, 상기 CNT는 공액성 고분자 기반 블록 공중합체로 코팅된 것을 특징으로 하는 CNT-고분자 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 CNT-고분자 복합체는 공액성 고분자 기반 블록 공중합체가 코팅된 CNT가 고분자 기재에 효과적으로 분산되어 높은 전기적 특성을 가지므로 고분자 복합체 액츄에이터의 전기역학 특성을 매우 향상시키는 장점이 있다.

    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법
    129.
    发明授权
    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법 有权
    使用环硅氧烷的基于硅氧烷的低介电常数薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR101224514B1

    公开(公告)日:2013-01-22

    申请号:KR1020100064332

    申请日:2010-07-05

    CPC classification number: C08L83/06 C08G77/16

    Abstract: 본 발명은 실세스퀴옥산 중합체 매트릭스를 전구체로 하여 제조된 저유전막으로서, 상기 실세스퀴옥산 중합체 매트릭스는 알콕시실란에 다반응성 환형 실록산의 입체 이성질체를 첨가하여 제조된 실세스퀴옥산 졸(sol)인 것을 특징으로 하는 저유전막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 저유전막은 ~500℃의 경화온도에서도 열에 의해 분해되지 않고 안정된 도막 상태를 유지하며, 도막 표면의 굴곡 정도가 작아 매우 균일한 표면 특성을 나타낼 뿐 아니라, 500nm 이상의 두께에서도 균열 현상없이 매끄럽게 코팅될 수 있어 코팅성이 매우 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 저유전막은 높은 표면 모듈러스 및 경도를 가지면서도, 우수한 저유전 특성을 발휘할 수 있다.

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