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公开(公告)号：KR101163533B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020090030267
申请日：2009-04-08
Applicant: 한국전자통신연구원 , 충북대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 강압 변환 시스템은, 외부로부터 제 1 전압을 입력받아 상기 제 1 전압보다 낮은 제 2 전압을 발생하는 전압 조절기, 및 상기 제 1 전압과 상기 제 2 전압으로 구동되는 상위 로직과 상기 제 1 전압과 접지 전압으로 구동되는 하위 로직을 갖는 로직 회로를 포함하되, 상기 로직 회로는 상기 상위 로직 및 상기 하위 로직의 전력 소비를 조절할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른, 고전압과 구동 전압으로 구동되는 상위 로직 및 상기 구동 전압과 접지 전압으로 구동되는 하위 로직을 갖는 로직 회로를 갖는 강압 변환 시스템의 강압 변환 방법은, 상기 상위 로직의 소비 전력과 상기 하위 로직의 소비 전력이 동일한 지 판별하는 단계, 및 상기 상위 로직의 소비 전력과 상기 하위 로직의 소비 전력이 동일하지 않을 때, 상기 상위 로직에서 사용되는 전하량과 상기 하위 로직에 사용되는 전하량이 동일하게 되도록 상기 상위 로직 혹은 상기 하위 로직의 비율을 가변하는 단계를 포함할 것이다.
강압, 전하 재활용, 선택, 상위, 하위-
公开(公告)号：KR101158751B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020090028882
申请日：2009-04-03
Applicant: 한국전자통신연구원 , 충북대학교 산학협력단
IPC: G11C11/416 , G11C11/419 , G11C11/413 , G11C11/4193
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치는, 데이터 버스라인쌍에 제 1 스윙전압을 제공하는 쓰기 드라이버, 상기 데이터 버스라인쌍을 입력 어드레스에 따라 선택된 비트라인쌍에 연결하는 컬럼 선택회로, 및 상기 선택된 비트라인쌍에 연결된 복수의 서브블록들을 포함하되, 상기 복수의 서브블록들 각각은, 상기 선택된 비트라인쌍의 상기 제 1 스윙 전압을 감지 증폭하여 제 2 스윙 전압을 생성하는 쓰기 감지기, 및 상기 제 2 스윙 전압을 제공받는 서브비트라인쌍에 연결되고, 상기 서브비트라인쌍의 상기 제 2 스윙 전압에 따라 데이터가 저장되는 복수의 메모리 셀들을 포함할 것이다.
반도체 메모리 장치, 전하 재활용, 읽기, 쓰기-
公开(公告)号：KR1020120055754A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100116324
申请日：2010-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A cliche and a manufacturing device for the same are provided to form an ink absorption layer on a substrate exposed from photo resist patterns and the ink absorption layer and photo-resist patterns have a minute line width and a high step difference. CONSTITUTION: A cliche and a manufacturing device for the same are as follows. A substrate(10) is provided. Organic patterns are formed on the substrate. An ink absorption layer(30) is formed on the substrate which is exposed to the organic patterns or on the organic patterns. The organic patterns comprise a negative photo resist. The ink absorption layer comprises one or more metal layers.
Abstract translation: 目的：提供一种陈列纸及其制造装置，以在从抗蚀剂图案曝光的基板上形成墨吸收层，并且墨吸收层和光致抗蚀剂图案具有微小的线宽和高的台阶差。 规定：相同的陈词滥调和制造装置如下。 提供基板（10）。 在基板上形成有机图案。 在暴露于有机图案或有机图案的基板上形成墨吸收层（30）。 有机图案包括负光致抗蚀剂。 油墨吸收层包括一个或多个金属层。
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124.发明授权
公开(公告)号：KR100975913B1
公开(公告)日：2010-08-13
申请号：KR1020080107801
申请日：2008-10-31
IPC: C08L33/00 , C08K5/16 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0558 , C08F8/30 , C08F2810/20 , H01L51/004 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , C08F220/30 , C08F220/14
Abstract: 안트라세닐 그룹을 포함하는 물질 및 말레이미드 그룹을 갖는 가교제를 포함하는 유기 박막 트랜지스터용 조성물(Composition for Manufacturing Organic Thin Film Transistor), 이를 이용하여 형성된 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법이 개시된다.
안트라세닐, 말레이미드, 유기 절연막, 유기 박막 트랜지스터, 가교반응-
公开(公告)号：KR1020100066285A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020090027376
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B32B27/28
CPC classification number: H01L51/052 , B32B27/28 , H01L51/0512
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by forming a polymer insulating film with different material properties due to a one-time spin coating. CONSTITUTION: An organic insulating film(40) is formed on a substrate(10). A gate electrode(50) is formed near the organic insulating film. An active layer is symmetrical with the gate electrode while interposing the organic insulting film. A source/drain electrode(20) is located on both sides of the gate electrode. The organic insulating film comprises a diblock copolymer which forms a lamella structure.
Abstract translation: 目的：提供有机薄膜晶体管及其制造方法，以通过由于一次旋涂形成具有不同材料性质的聚合物绝缘膜来简化工艺。 构成：在基板（10）上形成有机绝缘膜（40）。 在有机绝缘膜附近形成栅电极（50）。 有源层与介电栅极对称，同时插入有机绝缘膜。 源极/漏极（20）位于栅电极的两侧。 有机绝缘膜包括形成薄片结构的二嵌段共聚物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100066268A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020090023364
申请日：2009-03-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/016
Abstract: PURPOSE: A touch screen and an operating method of the same are provided to locally provide pressure, a repulsive force, and vibrations when a user contacts the touch screen in a contract feedback unit using a magnetic force. CONSTITUTION: A sensing unit(150) senses the access or contact of an object. A control unit receives a signal from the sensing unit. The control unit outputs a feedback signal. A tactile feedback unit receives the feedback signal of the control unit. The tactile feedback unit applies tactile feedback using a magnetic force in a contacted position. A magnetic force of a magnetic dipole is used in the tactile feedback. The tactile feedback comprises a first magnetic unit(142) and a second magnetic unit(144).
Abstract translation: 目的：提供触摸屏及其操作方法，以在用户使用磁力在合同反馈单元中触摸触摸屏时局部地提供压力，排斥力和振动。 构成：感测单元（150）感测对象的访问或接触。 控制单元接收来自感测单元的信号。 控制单元输出反馈信号。 触觉反馈单元接收控制单元的反馈信号。 触觉反馈单元在接触位置使用磁力来应用触觉反馈。 在触觉反馈中使用磁偶极子的磁力。 触觉反馈包括第一磁性单元（142）和第二磁性单元（144）。
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公开(公告)号：KR1020100065025A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020090026256
申请日：2009-03-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1266 , H01L27/1288 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor and a thin film transistor substrate are provided to improve a switching speed in an AC property and improve self-alignment. CONSTITUTION: A first doping area(121), a second doping area(122) and a channel area(123) are formed on a sacrificial layer of a first substrate and are formed as a semiconductor layer. The semiconductor layer is separated from the first substrate and is combined with a second substrate(201). An insulation layer(220) is formed on the second substrate and the semiconductor layer. A first photoresist layer is formed on the insulation layer. A first mask pattern is formed by exposing and developing the photo resist layer from the rear of the second substrate using the first doping area and the second doping area as a mask. A gate electrode(250) is overlapped with the channel area on the insulation layer using the first mask pattern as the mask. A source electrode(260) and a drain electrode(270) are connected to the first doping area and the second doping area.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜晶体管和薄膜晶体管基板的方法，以提高AC特性中的切换速度并改善自对准。 构成：在第一衬底的牺牲层上形成第一掺杂区域（121），第二掺杂区域（122）和沟道区域（123），并形成半导体层。 半导体层与第一衬底分离并与第二衬底（201）组合。 在第二基板和半导体层上形成绝缘层（220）。 在绝缘层上形成第一光致抗蚀剂层。 通过使用第一掺杂区域和第二掺杂区域作为掩模，从第二衬底的后部曝光和显影光致抗蚀剂层来形成第一掩模图案。 使用第一掩模图案作为掩模，将栅电极（250）与绝缘层上的沟道区域重叠。 源电极（260）和漏电极（270）连接到第一掺杂区域和第二掺杂区域。
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公开(公告)号：KR1020100050238A
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080109438
申请日：2008-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: F28D15/04 , F28D15/0233
Abstract: PURPOSE: A thin type cooling device is provided to overcome the limit of the electric heat performance related to the thickness by laminating a first or a third thin plate. CONSTITUTION: A first thin plate(100) comprises an evaporator and a condenser. A capillary tube area is located in the evaporator. A plurality of grooves are formed in the capillary tube area. The evaporator vaporizes the working fluid. The condenser has the vapor condensation space for condensing the vaporized working fluid. A second thin plate(200) has the vapor moving path for transferring the vaporized working fluid to the condenser. A third thin plate(300) has the liquid channel for transferring the condensed working fluid to the evaporator.
Abstract translation: 目的：提供一种薄型冷却装置，通过层压第一或第三薄板来克服与厚度相关的电热性能的极限。 构成：第一薄板（100）包括蒸发器和冷凝器。 毛细管区域位于蒸发器中。 在毛细管区域中形成多个槽。 蒸发器蒸发工作流体。 冷凝器具有用于冷凝蒸发的工作流体的蒸气冷凝空间。 第二薄板（200）具有用于将蒸发的工作流体转移到冷凝器的蒸气移动路径。 第三薄板（300）具有用于将冷凝的工作流体传送到蒸发器的液体通道。
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129.发明公开
公开(公告)号：KR1020100048576A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020080107801
申请日：2008-10-31
IPC: C08L33/00 , C08K5/16 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0558 , C08F8/30 , C08F2810/20 , H01L51/004 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/052 , C08F220/14 , C08F220/30
Abstract: PURPOSE: A composition for organic thin film transistor is provided to form organic insulating film having excellent solvent resistance, durability, and insulating property. CONSTITUTION: A composition for organic thin film transistor comprises a material of chemical formula I or II and cross linking agent having a maleimide group. In chemical formula I or II, R' and R" are separately hydrogen atom, hydroxy group, ester group, amide group, or alkyl group or alkoxy group of 1-12 carbon atoms.
Abstract translation: 目的：提供用于有机薄膜晶体管的组合物，以形成具有优异的耐溶剂性，耐久性和绝缘性的有机绝缘膜。 构成：用于有机薄膜晶体管的组合物包括化学式I或II的材料和具有马来酰亚胺基团的交联剂。 在化学式I或II中，R'和R“分别是氢原子，羟基，酯基，酰胺基或1-12个碳原子的烷基或烷氧基。
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公开(公告)号：KR1020100019853A
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020080078593
申请日：2008-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L51/0027 , H01L51/0036 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/0007
Abstract: PURPOSE: A method for locally crystallizing organic thin film and a method for improving organic thin film transistor using the same are provided to locally improve the crystallinity of an organic layer by performing thermal process. CONSTITUTION: An organic layer(150) is formed on a substrate(110). An organic solvent(S) is applied on a specific area(150a) for improving crystallinity. The organic solvent gradually is evaporated. The movement of particles of the organic layer is activated in the area spread by the organic solvent. The crystallinity of the area spread by the organic solvent is locally improved through self-alignment.
Abstract translation: 目的：提供局部结晶有机薄膜的方法和使用其的改进有机薄膜晶体管的方法，以通过进行热处理来局部地提高有机层的结晶度。 构成：在衬底（110）上形成有机层（150）。 将有机溶剂（S）施加在特定区域（150a）上以改善结晶度。 有机溶剂逐渐蒸发。 有机层的颗粒的移动在有机溶剂扩散的区域中被活化。 由有机溶剂扩散的区域的结晶度通过自对准而局部地改善。
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