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121.
公开(公告)号:EP1454333A1
公开(公告)日:2004-09-08
申请号:EP02797085.4
申请日:2002-11-08
Applicant: Conventor, Incorporated , Turnstone Systems Inc.
Inventor: CUNNINGHAM, Shawn, J. , DEREUS, Dana, R. , Sett, Subham , TATIC-LUCIC, Svetlana
IPC: H01H57/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: A movable, trilayered microcomponent (108) suspended over a substrate (102) is provided and includes a first electrically conductive layer (116) patterned to define a movable electrode (114). The first metal layer (116) is separated from the substrate (102) by a gap. The microcomponent (108) further includes a dielectric layer formed (112) on the first metal layer (116) and having an end fixed with respect to the substrate (102). Furthermore, the microcomponent (102) includes a second electrically conductive layer (120) formed on the dielectric layer (112) and patterned to define an electrode interconnect (124) for electrically communicating with the movable electrode (114).
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公开(公告)号:JP2018527206A
公开(公告)日:2018-09-20
申请号:JP2018511120
申请日:2016-07-13
Applicant: ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Inventor: ブルーワー,ジョレイン・エイリーン , ケイメル,クリストファー・フレッド , エイミ,マルコ・フランセスコ , ミニック,アンドリュー・ジェームス , ラファロ,レナー・ステファン
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B3/0075 , B81B7/0003 , B81B7/008 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2201/0228 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/053 , B81B2207/015 , B81B2207/115 , B81C1/00134 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C1/00373 , B81C2201/0107 , G01L9/0042 , G01L9/0044
Abstract: 基板と、基板に形成された自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造とを含む微小電気機械システム(MEMS)デバイスのシステムおよび方法。自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造は、基板に機械的に結合された金属機械要素と、機械要素に機械的に結合されて電気的に連通し、高融点金属および高融点金属合金の少なくとも1つを含むシード層とを含み、機械要素の厚さは、シード層の厚さより実質的に厚く、それにより自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造の機械的および電気的特性は、機械要素の材料特性によって規定される。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP5474805B2
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:JP2010529377
申请日:2008-10-15
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: シャイク、ロベルタス テー.エフ. ファン , アンネ ジルストラ、ピエベ , コステル、ロナルド , ダイク、ピエテル シモン ファン
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B2203/0307 , B81B2203/0315 , B81C2201/0107 , H01G5/16 , H01G13/00
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公开(公告)号:JP2012040684A
公开(公告)日:2012-03-01
申请号:JP2011262334
申请日:2011-11-30
Applicant: Hon Hai Precision Industry Co Ltd , Qinghua Univ , ツィンファ ユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
Inventor: YI-LI CHENG-RONG , LI QUNQING , FAN FENG-YAN
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/0107
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To relate to a manufacturing method of a micromechanical device.SOLUTION: The method of manufacturing the micromechanical device provides a substrate, and includes a first step of forming a first material layer on the substrate, a second step of forming a sacrifice layer on the first material layer, a third step of forming a second material layer on the sacrifice layer, a forth step of etching a part of the sacrifice layer by a dry etching method, and a fifth step of etching the rest of the sacrifice layer by a wet etching method, forming a clearance between the first material layer and the second material layer, and forming a protrusion on a surface of the second material layer opposed to the first material layer.
Abstract translation: 要解决的问题:涉及微机械装置的制造方法。 解决方案:微机电器件的制造方法提供了一种衬底,并且包括在衬底上形成第一材料层的第一步骤,在第一材料层上形成牺牲层的第二步骤,第三步骤形成 在牺牲层上的第二材料层,通过干蚀刻方法蚀刻牺牲层的一部分的第四步骤,以及通过湿蚀刻方法蚀刻剩余的牺牲层的第五步骤,在第一 材料层和第二材料层,并且在与第一材料层相对的第二材料层的表面上形成突起。 版权所有(C)2012,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP3987809B2
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:JP2003063075
申请日:2003-03-10
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C2201/0107 , B81C2201/014 , H01H59/0009
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126.
公开(公告)号:JP3493068B2
公开(公告)日:2004-02-03
申请号:JP29865594
申请日:1994-12-01
Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Inventor: オッフェンベルク ミヒャエル
IPC: B81B3/00 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L49/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B3/0035 , B81B3/0078 , B81B2201/0235 , B81B2203/0118 , B81B2203/0136 , B81C1/00595 , B81C2201/0107 , B81C2201/0109 , B81C2201/016 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814
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公开(公告)号:JP2015522851A
公开(公告)日:2015-08-06
申请号:JP2015520299
申请日:2013-06-19
Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
Inventor: サンディープ・ケイ・ギリ
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2201/042 , B81C2201/0107
Abstract: 本開示は、改善された電気的特性およびデバイスの寿命を有する電気機械システムデバイスのためのシステム、方法、および装置を提供する。一態様では、コンフォーマル抗スティクション層が、粗面の上の電気機械システム装置のキャビティ内に形成される。コンフォーマル抗スティクション層は、誘電体層を含むことができる。コンフォーマル抗スティクション層は、誘電体層の上に形成された自己組織化単分子膜(SAM)を含むことができる。コンフォーマル抗スティクション層は、それが堆積される表面の粗さを複製することができる。
Abstract translation: 本公开提供了具有改善的电特性和器件寿命,方法,和装置的机电系统装置的系统。 在一个方面,形成在机电系统装置的粗糙表面上的保形腔的防粘连层。 保形的防粘连层可包括介电层。 保形的防粘连层可以包括形成在电介质层(SAM)上的自组装单层。 保形的防粘连层可以被复制它沉积在表面的粗糙度。
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公开(公告)号:JP5449300B2
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:JP2011262334
申请日:2011-11-30
Applicant: ツィンファ ユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/0107
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129.
公开(公告)号:JP2011525861A
公开(公告)日:2011-09-29
申请号:JP2011512625
申请日:2009-06-03
Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
Inventor: ウォン・スク・チュン , ジェイムズ・ランドルフ・ウェブスター , シャオミン・ヤン , タン・ギア・ツ
CPC classification number: B81B3/0008 , B81B2201/042 , B81C2201/0107 , B81C2201/0109 , B81C2201/115 , G02B26/001 , Y10T428/24917
Abstract: Methods of fabricating an electromechanical systems device that mitigate permanent adhesion, or stiction, of the moveable components of the device are provided. The methods provide an amorphous silicon sacrificial layer with improved and reproducible surface roughness. The amorphous silicon sacrificial layers further exhibit excellent adhesion to common materials used in electromechanical systems devices.
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130.
公开(公告)号:JP2010098518A
公开(公告)日:2010-04-30
申请号:JP2008267555
申请日:2008-10-16
Applicant: Rohm Co Ltd , ローム株式会社
Inventor: NAKAYA GORO
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00476 , B81C1/00595 , B81C2201/0107 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H04R19/005
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an MEMS sensor that prevents a protective film made of a nonmetallic material from being undesirably etched, and to provide the MEMS sensor.
SOLUTION: On one surface of a silicon wafer W, a first sacrificial layer 24, a diaphragm 6, a second sacrificial layer 25, a back plate 8, and the protective film 10 are formed. Polyimide is used as the material of the protective film 10, and Al is used as the material of the second sacrificial layer 25. Then a hole 13 communicating with a hole 9 of the back plate 8 is formed in the protective film 10. Further, a hole 14 is formed in the protective film 10 at a periphery of the back plate 8. Then a chlorine-based gas is supplied to the inside of the protective film 10 through the holes 9, 13 and 14 to remove the sacrificial layer 25.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题:提供一种制造MEMS传感器的方法,该MEMS传感器防止由非金属材料制成的保护膜被不期望地蚀刻,并提供MEMS传感器。 解决方案:在硅晶片W的一个表面上形成第一牺牲层24,隔膜6,第二牺牲层25,背板8和保护膜10。 使用聚酰亚胺作为保护膜10的材料,并且使用Al作为第二牺牲层25的材料。然后在保护膜10中形成与后板8的孔9连通的孔13.此外, 在背板8的周围,在保护膜10中形成有孔14。然后,通过孔9,13,14,14向保护膜10的内部供给氯系气体,除去牺牲层25。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT
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