公开(公告)号：KR1020090042824A

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：KR1020097004092

申请日：2007-07-23

Applicant: 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.

Inventor： 코타리마니시 ,  샘셀제프리비.

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00579 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132

Abstract: Provided herein are methods for preventing the formation and accumulation of surface-associated charges, and deleterious effects associated therewith, during the manufacture of a MEMS device. In some embodiments, methods provided herein comprise etching a sacrificial material in the presence of an ionized gas, wherein the ionized gas neutralizes charged species produced during the etching process and allows for their removal along with other etching byproducts. Also disclosed are microelectromechanical devices formed by methods of the invention, and visual display devices incorporating such devices.

Abstract translation: 本文提供了在制造MEMS器件期间防止表面相关电荷的形成和累积以及与其相关的有害影响的方法。 在一些实施例中，本文提供的方法包括在存在电离气体的情况下蚀刻牺牲材料，其中所述电离气体中和在蚀刻工艺期间产生的带电物质并允许其与其它蚀刻副产物一起去除。 还公开了通过本发明的方法形成的微机电装置以及包括这种装置的视觉显示装置。

公开(公告)号：KR1020050087703A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：KR1020040053844

申请日：2004-07-12

Applicant: 후지쯔 가부시끼가이샤

Inventor： 나카타니다다시 ,  미야시타츠토무

IPC: H01L21/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00142 ,  B81C2201/0109

Abstract: 본 발명은 마이크로 스위칭 소자를 양호한 제조 수율로 제조하는 것을 과제로 한다.
본 발명은 기판(S1)과, 서로 격리되어 기판(S1)에 고정된 한 쌍의 지지부(20)와, 한 쌍의 지지부(20)를 가교하는 막체(31), 상기 막체(31) 위에 배치된 가동 콘택트 전극(32) 및 가동 구동 전극(33)을 갖는 가동 빔부(30)와, 가동 콘택트 전극(32)에 대향하는 한 쌍의 고정 콘택트 전극(11)과, 가동 구동 전극(33)과 협동하여 정전기력을 발생시키기 위한 고정 구동 전극(12)을 구비하는 마이크로 스위칭 소자를 제조하기 위한 방법이며, 기판(S1) 위에 희생층을 형성하기 위한 공정과, 희생층 위에 막체(31)를 형성하기 위한 공정과, 서로 격리되어 기판(S1) 및 막체(31) 사이에 개재되는 한 쌍의 지지부(20)가 잔존 형성되도록 희생층에 대하여 막체(31)를 통하여 에칭 처리를 실시하기 위한 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040091034A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：KR1020047012516

申请日：2002-04-29

Applicant: 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스 인크.

Inventor： 마일즈마크더블유

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  B81B7/02

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136

Abstract: 본 발명은 MEMS 장치를 제조하는데 사용될 수 있는 미세제조 방법을 제공한다. 이 방법은 베이스층 상에 하나의 층 또는 복수의 층을 증착하는 단계로서, 상기 하나의 층, 또는 상기 복수의 층의 최상층은 희생층인 증착 단계; 상기 하나의 층 또는 상기 복수의 층을 패터닝하여 상기 베이스층이 노출되는 하나 이상의 개구를 제공하는 단계; 상기 하나의 층 또는 상기 복수의 층위에 감광층을 증착하는 단계; 및 상기 하나 이상의 개구를 통하여 광을 통과시켜 상기 감광층을 노출시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020030038753A

公开(公告)日：2003-05-16

申请号：KR1020037003989

申请日：2001-07-23

Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라미카 ,  호리카와마키오 ,  이시바시키요시 ,  니시가미다케후미

IPC: H01L29/84

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0109 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: 본 발명은, 반도체 가공기술을 사용하여 형성되는 박막 구조체의 제조방법에 관한 것으로, 열수축시에 희생막과 기판 사이에 생기는 응력차를 저감할 수 있는 박막 구조체의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고, 상기 목적을 달성하기 위해, 이 박막 구조체의 제조방법에서는, 기판(1) 상에 형성하는 희생막(51)이, 인 농도가 3mol%보다 크고, 4mol%보다 작은 값으로 설정된 PSG 막에 의해 형성된다. 희생막(51)은, 그 위에 박막층(53)이 형성되고, 그 박막층(53)이 패터닝된 후, 에칭처리에 의해 제거된다.

公开(公告)号：KR101524938B1

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：KR1020130129760

申请日：2013-10-30

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린루이저 ,  린춘-치에 ,  수헝-웬 ,  차이밍싱

IPC: H01L21/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B7/008 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0127 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0778 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

Abstract: TiN 하드마스크에의해전달되는스트레스의타입및 크기가제어되면서반도체디바이스의제조동안상호연결들을형성하는다마신공정에서티타늄질화물(TiN) 하드마스크를형성하기위한방법이개시된다. TiN 하드마스크는 TiN 및염소 PECVD 증착및 N/H플라즈마가스처리를포함하는공정들의사이클을반복함으로써각각의서브-층이연속적으로형성되는다중-계층구조체로형성된다. 그의형성동안, TiN 하드마스크에의해전달될스트레스는 TiN 서브-층들의개수및 플라즈마가스처리지속기간을제어함으로써제어되어서, 스트레스는종래에제조된 TiN 하드마스크상에서예상되며, 트랜치측벽왜곡, 트랜치개구수축및 간극충진문제를야기하는미리결정된외부스트레스와균형을맞출수 있다.

Abstract translation: 一种集成电路器件，包括设置在半导体衬底上的电介质层，所述电介质层具有形成在其中的牺牲腔，形成在所述电介质层上的膜层，以及形成在所述膜层上的封盖结构，从而形成第二腔， 第二腔通过形成于膜层中的通孔连接到牺牲腔。

公开(公告)号：KR101074581B1

公开(公告)日：2011-10-17

申请号：KR1020077018811

申请日：2005-12-21

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 일링마티아스 ,  베버헤리베르트 ,  셸링크리스토프 ,  슈탈하이코 ,  바이스슈테판

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053

Abstract: 본발명은마이크로공학적박막센서제조방법또는상기방법에의해서제조된마이크로공학적박막센서에관한것이다. 이경우마이크로공학적박막센서는적어도하나의제1 박막및 실질적으로제1 박막위에위치한제2 박막을포함한다. 또한마이크로공학적박막센서가제1 중공공간및 실질적으로제1 중공공간위에놓인제2 중공공간을포함한다.

公开(公告)号：KR101031990B1

公开(公告)日：2011-05-02

申请号：KR1020057011908

申请日：2003-10-23

Applicant: 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드

Inventor： 고고이,비쉬누

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

Abstract: 반도체 구조를 생성하는 방법이 제공된다. 상기 방법에 따라, 반도체 기판(101)이 제공되어 그 위에 희생층(103)이 배치되고, 얇은 단결정 반도체층(105)이 희생층(103) 위에 배치된다. 그 다음, 반도체층(105)을 통해 희생층(103)으로 연장하는 개구부(107)가 생성된다. 반도체층(105)은 적절한 장치 두께로 에피택셜 성장되고, 그에 의해 장치층이 된다. 반도체층은, 결과로서 생긴 장치층이 개구부(107)를 통해 연장하고, 개구부를 통해 연장하는 장치층의 일부 표면이 단결정 실리콘이 되도록 성장된다.
반도체 구조, 반도체층, 에피택셜 성장, 장치층, 희생층

公开(公告)号：KR1020090086238A

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：KR1020097011496

申请日：2007-11-09

Applicant: 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치

Inventor： 트리패시,수드히란얀 ,  사후무가나탄,빅네쉬에스/오

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/017

Abstract: A micromechanical structure and a method of fabricating a micromechanical structure are provided. The micromechanical structure comprises a silicon (Si) based substrate; a micromechanical element formed directly on the substrate; and an undercut formed underneath a released portion of the micromechanical element; wherein the undercut is in the form of a recess formed in the Si based substrate. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 提供微机械结构和制造微机械结构的方法。 微机械结构包括基于硅（Si）的衬底; 直接形成在基板上的微机械元件; 以及形成在微机械元件的释放部分下方的底切; 其中所述底切为形成在所述Si基衬底中的凹部的形式。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020080023313A

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：KR1020077030318

申请日：2006-06-27

Applicant: 코닌클리케 필립스 엔.브이.

Inventor： 덱커,로날드 ,  랑제르에이스,기어트 ,  폴맨,하우크 ,  두엠링,마르틴

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109

Abstract: The device (100) comprises a substrate (10) of a semiconductor material with a first and an opposite second surface (1,2) and a microelectromechanical (MEMS) element (50) which is provided with a fixed and a movable electrode (52, 51) that is present in a cavity (30). One of the electrodes (51,52) is defined in the substrate (10). The movable electrode (51) is movable towards and from the fixed electrode (52) between a first gapped position and a second position. The cavity (30) is opened through holes (18) in the substrate (10) that are exposed on the second surface (2) of the substrate (10). The cavity (30) has a height that is defined by at least one post (15) in the substrate (10), which laterally substantially surrounds the cavity (15). ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 装置（100）包括具有第一和相对的第二表面（1,2）和微机电（MEMS）元件（50）的半导体材料的衬底（10），该微机电（MEMS）元件设置有固定和可移动电极 ，51），其存在于空腔（30）中。 电极（51,52）中的一个限定在基板（10）中。 可移动电极（51）可以在第一间隙位置和第二位置之间朝向固定电极（52）移动。 空腔（30）通过暴露在基板（10）的第二表面（2）上的基板（10）中的通孔（18）。 腔（30）具有由衬底（10）中的至少一个柱（15）限定的高度，其横向基本上围绕空腔（15）。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR100617528B1

公开(公告)日：2006-09-01

申请号：KR1020047014954

申请日：2003-01-29

Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라미카 ,  호리카와마키오 ,  사토우키미토시

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 본 발명은 반도체기판, 예를 들면 가속도 센서를 탑재하는 실리콘기판과 접속되는 전극을 형성할 때, 포토레지스트가 덮는 단차를 감소하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고 상기 목적을 달성하기 위해, 희생층(4)이나 반도체막(50), 고정전극(51)을 형성하기 전에, 전극(90)을 형성하기 위한 개구(80)를 형성한다. 따라서 두꺼운 포토레지스트를 필요로 하지 않는다.
반도체, 가속도, 센서, 전극, 희생층, 개구, 포토레지스트

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种用于在形成连接到半导体衬底的电极（例如，其上安装有加速度传感器的硅衬底）时减小光致抗蚀剂的阶梯覆盖的技术。 在牺牲层4，半导体膜50和固定电极51形成之前形成用于形成电极90的开口80。 因此，不需要厚的光致抗蚀剂。